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  • 英伟达将访问三星HBM4工厂
    英伟达近期对三星电子天安封装工厂的一系列短期访问引发了广泛猜测,认为其下一代HBM4(高带宽内存)供应链评估已进入最后阶段。业内人士推测,此次访问并非简单的合作关系评估,而可能是为了验证英伟达用于其下一代人工智能加速器VeraRubin的HBM4量产和封装生产线的实际性能。 关键不在于“性能数据”,而在于“交付性能”。鉴于三星电子强调HBM4的量产及其高达13Gbps(13吉比特/秒)的传输速度承
  • 三星HBM4E计划导入2nm,下半年送样
    三星电子通过自研4nm工艺和2nm晶圆代工技术,力争在HBM4E领域保持领先地位,与竞争对手拉开差距。
  • 警惕“结构性抽血”:HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
    2026年2月6日,供应链确认三星电子 HBM4 正式通过英伟达(NVIDIA)认证,将于2月第三周(农历新年假期后)启动量产。为了在这一代产品上追平竞争对手,三星采用了激进的技术组合:1c nm DRAM 工艺配合 4nm 逻辑 Base Die(基础裸片)。
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    02/14 14:37
    警惕“结构性抽血”:HBM4狂欢背后的DRAM产业冷思考
  • HBM4内存大单被瓜分!
    HBM战局再起波澜!美光科技提前量产并出货HBM4,三星紧随其后推出业界首款商用HBM4,SK海力士面临巨大竞争压力。美光HBM4数据处理速度超11Gbps,三星HBM4采用12层堆叠技术,容量最高可达48GB。尽管市场需求旺盛,但存储芯片巨头们仍需平衡HBM4与通用DRAM的生产策略。
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    02/14 10:27
    HBM4内存大单被瓜分!
  • 美光官宣:HBM4已开始出货!驳斥传闻!
    美光科技宣布,其第六代高带宽内存(HBM4)已开始出货,直接驳斥了近期关于其“退出”英伟达供应链的传闻。 英伟达下一代人工智能加速器Vera Rubin计划于今年下半年发布,其HBM4芯片的供应竞争异常激烈。美光否认了市场此前关于三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应的预期。 美光首席财务官马克·墨菲(Mark Murphy)于当地时间11日在美国研究公司Wolf Research主办的半导体会议