HBM4

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  • 从DDR5到HBM4,全球存储封装产业竞争力深度分析
    本文综述了全球存储封装市场的现状和发展趋势,特别是普通存储封装与HBM封装两条技术主线的区别及其各自的发展特点。文中详细介绍了SK hynix、Samsung、Micron、TSMC等国际大厂的HBM技术和系统集成平台,以及深科技、太极实业、华天科技等中国企业的存储封装能力。此外,还探讨了普通存储封装与HBM封装在良率、测试、热管理等方面的不同要求,并提出了中国企业在存储封装领域的最佳升级路径。最后,预测了2026年至2030年间存储封装技术与市场需求的变化趋势,认为普通存储封装将继续占据主导地位,而HBM封装将成为高端市场的主要发展方向。
    从DDR5到HBM4,全球存储封装产业竞争力深度分析
  • 三星HBM4E良率突破70%
    继全球首款量产高带宽内存(HBM)4(第六代)之后,三星电子在HBM4E(第七代)和下一代DRAM的研发方面取得了显著成果。三星电子首席技术官(CTO)兼半导体研究院院长宋载赫在近期的一次内部管理简报会上表示,HBM4E的可靠性测试良率(合格产品比例)已提升至70%以上,公司在下一代10nm级第七代(D1d)DRAM工艺方面已取得领先优势。基于此,三星电子有望进一步加快步伐,增强其在下一代AI内存
  • 三星HBM4销额已突破10亿美元
    三星电子第六代高带宽内存(HBM4)作为全球首款量产产品,营收首次突破10亿美元,创下行业纪录。预计该产品上市首年(今年),营收就将超过100亿美元。三星电子计划在年底前大幅提升HBM4的供应量。得益于HBM4的强劲表现,三星电子预计也将迅速扩大其在整体HBM市场的份额。
  • 三大存储巨头通过英伟达HBM4认证
    NVIDIA CEO黄仁勋宣布三星电子、SK海力士和美光内存获准生产第六代高带宽内存(HBM4),用于即将发布的AI加速器“Vera Rubin”。此消息表明NVIDIA正加快AI基础设施建设,预计下半年将有更多活动展开。
  • 存储巨头错位冲刺:谁在进攻,谁在防守?
    英伟达Rubin架构即将发布,HBM4产能爬坡冲刺。三星上调HBM4逻辑裸片代工价格,SK海力士降低出货量,美光利用能效差异化寻求突破。HBM4量产改变了行业竞争维度,三星、SK海力士、美光各有策略应对挑战。
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    04/22 17:03
    存储巨头错位冲刺:谁在进攻,谁在防守?