HBM4

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  • 存储巨头错位冲刺:谁在进攻,谁在防守?
    英伟达Rubin架构即将发布,HBM4产能爬坡冲刺。三星上调HBM4逻辑裸片代工价格,SK海力士降低出货量,美光利用能效差异化寻求突破。HBM4量产改变了行业竞争维度,三星、SK海力士、美光各有策略应对挑战。
    存储巨头错位冲刺:谁在进攻,谁在防守?
  • HBM4 突然“改道”:被寄予厚望的混合键合,为何临阵推迟?
    AI时代,HBM作为核心内存方案,原本预计HBM4需采用混合键合来实现16层堆叠。然而,JEDEC修改规则后,HBM4仍使用微凸点技术,延迟至HBM4E才引入混合键合。尽管混合键合具有显著优势,但由于成本高昂和良率难题,微凸点方案暂时胜出。HBM4不仅提升了带宽和能效,还增加了定制化底die和安全性。混合键合虽非立即采用,但其潜力巨大,预计将在HBM5阶段全面普及。
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    04/20 16:03
  • 2026内存拐点:HBM4与4F² DRAM重构AI硬件格局(IMW 报告解读)
    芯科技圈研读应用材料IMW关于高级DRAM和HBM的材料、器件和系统协同优化报告,深入探讨了八个关键技术问题及其解决方案:混合键合:AI算力需求推动HBM从微凸块转向混合键合,低温铜键合的关键技术挑战在于CuO最小化与高扩散率平衡,以及TSV引起的量产缺陷。垂直沟道晶体管:DRAM从6F²过渡到4F²需要垂直沟道晶体管来提高密度,平面结构无法满足缩微要求,必须采用垂直自对准晶体管(S2CAT/VCT)。
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    04/01 17:09
  • SK海力士CEO:按客户要求时间供应HBM4
    SK海力士(000660)CEO郭鲁正于3月25日宣布,公司已完成第六代高带宽内存(HBM4)的验证,并正按客户要求的时间表进行供应。 在今天上午于京畿道利川市举行的例行股东大会上,郭鲁正CEO表示:“经过客户验证,我们目前正按客户要求的时间表进行供货,没有任何误差。” 郭鲁正指出:“HBM市场的竞争确实非常激烈,其竞争格局与DRAM或NAND闪存市场类似。”但他补充道:“我们将通过卓越的品质,持
  • 三星将首次供OpenAI HBM4
    三星电子将首次独家向总部位于美国的全球最大人工智能(AI)公司OpenAI供应下一代高带宽内存(HBM4)。OpenAI计划将三星电子的HBM4应用于其第一代AI半导体Titan芯片。继英伟达之后,三星电子也开始向OpenAI供应HBM4,这被认为将巩固其在先进AI芯片市场的领先地位。 据业内人士3月19日透露,三星电子已决定在今年下半年独家向OpenAI供应容量高达8亿Gb的HBM4(12层产品