长鑫存储，黎明前夜

【本文涉及的相关企业】长鑫存储、SK海力士、美光、三星、南亚易胜、美光、台积电

巨头减产叠加需求井喷

预计到2026年，全球DRAM存储器将出现严重短缺，需求量将达到380BGB，而产能仅为300BGB，导致约30%的供应缺口。从市场需求分布来看，数据中心服务器领域占据最大份额，为160BGB，多种应用场景如智能穿戴、车载电子、工业控制等总计需求为100BGB，移动设备市场需求为80BGB，个人电脑领域需求为40BGB。

并且市场预计在2028年左右，数据中心服务器占比将进一步扩大，进一步挤压其他场景，形成高度集中的市场竞争格局，三星、海力士和美光三巨头占据了全球85%至90%的生产能力，近乎垄断了市场上从DDR4到HBM4的高中低端全部产品系列，尤其是三星凭借其垂直整合的芯片设计和生产体系，具备更强的成本控制能力，在定价和市场推广策略上拥有更大的自主权。然而就是这种市场极强的话语权和对于AI算力服务器需求高端HBM的敏锐嗅觉，使其从2025年初逐步确立将资源倾斜至HBM和DDR5x等高附加值产品上，其高层会议透露从2024初的DDR4和LPDDRx占比30%逐渐削减至2025的个位数，并同步扩张HBM3e、HBM4高端产品产能。也就是说，三星和海力士宣布减产DDR内存并非有意为之，而是产线升级成更高端的HBM产线的设备更新和现有产能倾斜所致。

根据行业价格网站pcpartpicker显示，DDR5-5200 2x16GB高性能电脑内存条价格在2025年九月开始迎来暴涨，短短半年时间从最初的110美元涨到如今的470美元左右，用两个季度实现了4倍之多的涨幅，并且市场预计价格高企将持续至2028年底，未来两年DRAM可能仍将供不应求，价格可能会继续上涨。根据市场调研显示，DDR全球产能端结构来看，DRAM行业的主要生产商包括三星Samsung（每月生产75万片晶圆）、海力士SK Hynix每月生产60万片晶圆）和美光Micron（每月生产36万片晶圆），以及长鑫存储CXMT（每月生产19.8万片晶圆），总计月产能约为190万片，而2026年预测则基本与25年产能持平。

全球DRAM厂商产能预测 (数据源：Omdia 和 TrendForce)

另一方面，HBM在制程端则比DRAM复杂得多，生产 1 颗 HBM 芯片所消耗的晶圆面积和工序，大约相当于生产 3 颗传统的 DDR5 芯片，由于 HBM 需要复杂的 3D 堆叠（TSV 技术），不仅产能上远远落后于DRAM，产线综合良率还远不如2D封装的DRAM，进一步稀释了可供出货的实际比特（Bit）量。

国产替代浪潮下的黎明前夜

2025年的第二十二届中国国际半导体博览会，长鑫存储发布了最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足各领域的高端市场需求。并且其最新的LPDDR5X产品瞄准移动市场旗舰产品，带宽可达10667Mbps，处于全行业第一梯队。

凭借产品性能的达标和技术方案不断对中高端消费电子的渗透，近年来长鑫存储（DRAM）和长江存储（NAND）等国内存储公司在本土手机制造商中的市场份额不断增加，目前行业内主流手机厂商已完成国产品牌的供应链引入，并且随着海外产能进一步紧缩和价格的暴涨，本土企业成为了重要的替代渠道。据行业调研显示，中国的智能手机市场中，长鑫存储的市场份额大约在10%到15%之间，诸如华为、OPPO和小米等中国的安卓手机设备制造商更倾向于选择国内的厂商，原因包括确保供应链的稳定性、推动国内产业的发展，以及国产已经达到了足够的成熟水平，质量风险相对较低。同时，国际供应商的供货紧张和高昂的价格也促使了对本土产品的选择。

并且也就在2025年12月30日，长鑫存储在科创板IPO申请获受理，据招股书显示，公司拟募集资金总额为295亿元，将用于“存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目”“DRAM存储器技术升级项目”和“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”。自2016年成立以来，公司始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售。公司采取“跳代研发”的策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产，以及DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等产品覆盖和迭代升级，目前公司核心产品及工艺技术已达到国际先进水平。

目前来看，无论是按产能、出货量还是销售额来计算，长鑫存储都已排名全球第四、中国第一，在其后面则是诸如南亚科技、华邦电子等台湾地区小厂商，而国内其他DRAM行业的半导体公司多为芯片设计与IP、算法研发，长鑫存储是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，其IPO登录资本市场意义重大。并且根据招股书中营收和利润来看，2025年1—9月，长鑫存储营收同比增长97.79%，第三季度营收更是同比大幅增长148.8%，综合毛利率上升至35%，预计2025年全年，长鑫存储的营收将达到550亿至580亿元，净利润将达到20亿至35亿元。这一营收规模，在科创板已上市的半导体公司中，仅次于中芯国际（2024年营收577亿元）。

有人说很多企业的目标不是更大的发展，而是为了上市变现，但是长鑫存储绝非为了资本变现，其在招股书中对募集资金的分配体现了其技术驱动发展的核心逻辑，在“DRAM 存储器技术升级项目”募集高达130亿元资金，其旨在实现向 12nm 级及更先进制程的跨越，从制程底层革新技术；在“动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目”中则表示力争攻克 HBM3/3E、3D DRAM 等下一代存储架构，对标国际最尖端水平。超过60%的资金投入到新技术研发的高风险项目中，不仅是企业对于自身实力的信任，更是其在技术路径上采取了极具进取心的“跳代研发”策略又一深入贯彻。一边扩展现有产能，一边下重注研发高端产品，填补国内HBM行业空白，长鑫存储若能在2027年实现 HBM 的量产，不仅将极大地缓解国内 AI 芯片厂商的“内存焦虑”，更将提升其在全球存储产业中的议价权。

国产低中高端DDR内存产品，长鑫存储已经站稳脚跟，此时的IPO募集资金是为了日后的新产能升级，属于国产内存的黎明就要来了。