Q:宽温晶振指的是什么晶振?
A:指工作温度范围在“-40℃~+85℃”及以上的晶振(晶体谐振器及晶体振荡器),如“-40℃~+105℃”、-55℃~+85℃或-40℃~+125℃。
注:因为晶振的频率稳定性受温度影响,因此“工作温度范围”是晶振电气参数的一个重要指标。
AT切与BT切石英晶体频率变化vs温度变化,如下图所示:

CMOS波形图
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A:指工作温度范围在“-40℃~+85℃”及以上的晶振(晶体谐振器及晶体振荡器),如“-40℃~+105℃”、-55℃~+85℃或-40℃~+125℃。
注:因为晶振的频率稳定性受温度影响,因此“工作温度范围”是晶振电气参数的一个重要指标。
AT切与BT切石英晶体频率变化vs温度变化,如下图所示:

CMOS波形图
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BAT54S-7-F | 1 | Diodes Incorporated | Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.2A, 30V V(RRM), Silicon, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
|
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$0.2 | 查看 | |
| PA4342.103NLT | 1 | Pulse Electronics Corporation | General Purpose Inductor, |
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暂无数据 | 查看 | |
| C0805C103K5RAC | 1 | Defense Logistics Agency | Ceramic Capacitor, Multilayer, Ceramic, 50V, 10% +Tol, 10% -Tol, X7R, 15% TC, 0.01uF, Surface Mount, 0805, CHIP, ROHS COMPLIANT |
|
|
$0.15 | 查看 |
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