JSM21834STR4A 700V集成自举高侧同低侧反驱动芯片

一、产品概述

JSM21834S是高压、高速功率MOSFETIGBT高低侧驱动系列芯片，具有两个非独立传输通道。内部集成了高、低侧欠压锁定电路、过压钳位电路、和防直通锁定电路等保护电路，具备大电流脉冲输出能力，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平，输出电流能力最大可达4A，其浮地通道最高工作电压可达700V。可用于驱动N沟道高压功率MOSFETIGBT等器件。JSM21834S采用SOP-14封装，可以在-40C至125℃温度范围内工作。

二、核心产品特性

• 自举工作的浮动通道
• 最高工作电压为 700V
• 兼容 3.3 V, 5V 和 15V 输入逻辑
• dV/dt 耐受能力可达±50 V/nsec
• Vs负压耐受能力达-9V
• 栅极驱动电压:10V到20V
• 高、低侧欠压锁定电路--欠压锁定正向阅值 8.9V

  --欠压锁定负向阈值 8.2V

• 死区时间可通过外部电阻(RDT)调节:--DT=400ns@RDT=0

  -- DT=5μS@RDT=200kΩ

• 芯片开通/关断传输延时--Ton/Toff =130ns/130ns
• 高低侧廷时匹配
• 驱动电流能力:--拉电流/灌电流=4.0A/4.0A
• 符合 RoSH 标准
• SOP-14

三、硬核性能参数解析

（一）电压与电流能力

最高工作电压：可达 700V，浮地通道能轻松应对高压场景需求。

栅极驱动电压：范围在 10V 到 20V 之间，为功率器件提供稳定的驱动电压。

驱动电流能力：拉电流和灌电流均能达到 4.0A，强大的电流输出确保功率器件快速开关。

（二）保护与兼容特性

保护电路集成：内部包含高、低侧欠压锁定电路，欠压锁定正向阈值为 8.9V，负向阈值为 8.2V；还集成过压钳位电路和防直通锁定电路，全方位保障芯片及功率器件安全。

逻辑兼容性：兼容 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑，可与多种逻辑电平的控制电路无缝对接。

（三）动态性能表现

传输延时：开通和关断传输延时均为 130ns，高速的信号响应让控制更精准。

dV/dt 耐受能力：可达 + 50V/nsec，Vs 负压耐受能力达 - 9V，在复杂电磁环境中稳定性更强。

死区时间调节：可通过外部电阻（RDT）灵活调节，当 RDT=0 时死区时间为 400ns，当 RDT=200kΩ 时死区时间为 5μs，有效避免功率器件直通。

四、应用范围

凭借其优异的性能，JSM21834STR 的应用范围十分广泛：

• 电机控制：为各类电机提供稳定高效的驱动，确保电机运行平稳。
• 家电领域：适用于空调、洗衣机等家电设备，提升家电的能效与可靠性。
• 逆变器应用：可用于通用逆变器和微型逆变器驱动程序，实现高效的能量转换。

五、引脚功能描述

极限与环境参数

ESD 额定值

 推荐工作范围

市场优势显著，引领行业新潮流

供应稳定，满足市场需求

在电子元器件市场，供应的稳定性至关重要。JSM21834 背后的供应商具备强大的生产能力和完善的供应链体系，能够确保芯片的稳定供应。无论是大规模的工业生产，还是小型的电子产品研发，都能及时获得所需的 JSM21834 芯片，有效避免了因芯片短缺而导致的生产停滞和项目延误。相比之下，市场上 IRS21834 的供应可能会受到各种因素的影响，如原厂产能调整、供应链中断等，给用户带来诸多不便。JSM21834 的稳定供应，为用户提供了可靠的保障，使其能够更加安心地进行产品设计和生产。

性价比突出，助力企业降本增效

在追求高性能的同时，成本也是企业在选择芯片时需要重点考虑的因素。JSM21834 以其出色的性能和合理的价格，展现出了极高的性价比。它在提供超越 IRS21834 性能的同时，价格却具有竞争力，能够帮助企业在不增加过多成本的前提下，提升产品的性能和质量。这对于追求成本效益最大化的企业来说，无疑是一个极具吸引力的选择。通过使用 JSM21834 替代 IRS21834，企业可以在降低采购成本的同时，提高产品的市场竞争力，实现降本增效的目标。

综上所述，JSM21834 在性能、应用和市场等方面都展现出了超越 IRS21834 的优势。它不仅为电子设备的设计和制造提供了更强大、更可靠的驱动解决方案，还为企业带来了诸多实际的利益。无论是从技术创新的角度，还是从市场需求的角度来看，JSM21834 都当之无愧地成为替代 IRS21834 的不二之选。相信在未来，JSM21834 将在电子元器件市场中大放异彩，引领行业发展的新潮流。让我们共同期待 JSM21834 在更多领域创造出令人瞩目的成就，为电子产业的发展注入新的活力。