BUCK功率参数合集(11)：MOSFET截止损耗公式推导方法揭秘付费

在BUCK电路功率损耗估算中，MOSFET 截止损耗常被忽略，是因为其占比非常小，最终是因为MOSFET关断之后的漏电流非常小。“知其然，不知其所以然”是经验，是迷信，“知其然，又知其所以然”是理论，是科学。此文，揭秘BUCK电路MOSFET截止损耗计算公式推导方法，让大家既知其然、又知其所以然。

1、MOSFET 截止损耗基础概念

(1) 截止状态解释

截止损耗发生在 MOSFET 工作于截止状态时，即栅极驱动电压为零，此时漏极和源极之间呈现高阻状态，相当于一个断开的开关，“几乎”没有电流正常流通。理想假设下，关断状态没有电流；实际情况中，关断状态有一个很小的漏电流。

(2) 截止功率损耗

截止损耗，是指MOSFET工作在截止状态（栅极驱动电压为零时，漏极和源极之间为高阻的状态）下，漏极电压（Drain-to-Source Voltage, V_DS ）与漏极-源极泄漏电流（Drain-to-Source Leakage Current, I_DSS ）的乘积。

2、高边MOSFET 截止损耗计算公式

在非同步或同步降压开关电源电路中，当处于 TOFF 关断期间（也就是高边MOSFET处于关断截止状态），高边开关管 MOSFET 的截止损耗计算公式为：