BUCK功率参数合集(16)：揭秘不同资料中MOSFET开关损耗的表述和计算方法差异付费

在电源设计领域，MOSFET 开关损耗的计算一直是工程师们需要关心的重点。不同资料中的表述和计算方法差异，常常让人一头雾水。

参考前文[ BUCK功率参数合集(14)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式推导方法1 ]给出的图3.72和公式(3.356)(3.357)，图和公式相符吗？数学功底好的工程师可能还记得相关知识，能够看出二者不符。今天，咱们就来扒一扒哪里不相符，以及更常规的表达方式是什么。

图 3.72高边开关管的状态转换过程

$$ v_{DS-H,TURN-ON}(t) = V_{IN} - \frac{V_{IN}}{T_{r-H}} \times t, \quad t \in [0, T_{r-H}] \tag{3.356} $$

$$ v_{DS-H,TURN-OFF}(t) = \frac{V_{IN}}{T_{f-H}} \times t, \quad t \in [0, T_{f-H}] \tag{3.357} $$

1、斜率和截距

先回忆点中学知识。图1、2、3所示，斜率-截距通用公式表示为y=mx+b。当斜率m为正数时，表示为y=mx+b；当斜率为负数时，表示为y=-mx+b或y=b-mx。

图1 斜截式通用公式推导过程

图2 斜率为正时的斜截式

图3 斜率为负时的斜截式

2、非常规的开关损耗示意图