BUCK功率参数合集(17)：MOSFET开关损耗中的交叉时间Tr-H如何精准确定？付费

在高频开关电源设计中，你是否也曾被MOSFET开关损耗问题困扰？是否认为复杂的公式推导才能解决Tr-H的确定难题？但其实，一个“宝藏公式”Tr-H=Qg/Ig就能轻松搞定！

前文[ BUCK功率参数合集(12)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式直观理解 ][ BUCK功率参数合集(14)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式推导方法1 ][ BUCK功率参数合集(15)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式推导方法2 ]使用了不同方法推导了开关损耗表达式(3.354)。

$$ P_{SW-H} = \frac{1}{2} \times V_{IN} \times \left( T_{r-H} + T_{f-H} \right) \times I_{OUT} \times F_{SW} \tag{3.354} $$

其实很简单，根据电流公式I=Q/t可得Tr-H=Qg/Ig，影响交叉时间Tr-H大小的因素有两个，即电荷量Qg和电流Ig。

1、交叉时间Tr-H的重要性

MOSFET开关损耗主要分为开通损耗和关断损耗。Tr-H，即上升时间，是指MOSFET在开通过程中，漏极电流从0开始上升到漏源电压下降到0的时间。Tr-H越长，开通损耗越大，这直接制约着电源在高频应用中的效率和性能。因此，如何缩短Tr-H成为优化设计的关键。

2、交叉时间Tr-H的表达式

图1所示，交叉时间Tr-H由t1和t2两段组成，即 T_r-H = t1 + t2 。那么在确定的驱动电流I_G的情况下，交叉时间T_r-H的表达式，如下所示：

$$ T_{r-H} = \frac{Q_{GS2}}{I_{G1(on)}} + \frac{Q_{GD}}{I_{G2(on)}} \tag{1} $$