BUCK功率参数合集(8)：MOSFET导通损耗(有效值)公式推导方法3付费

——基于TSW开关周期内的有效电流 $I_{SW-H,RMS,TSW}$ 计算导通功率损耗有效值

在BUCK降压开关电源电路中，MOSFET导通损耗的计算，对于转换效率的评估至关重要。本文将详细探讨基于TSW开关周期内有效电流的导通功率损耗有效值的计算方法（推导方法3）。

1、高边 MOSFET 导通功率损耗计算

(1) 高边MOSFET在TSW开关周期内的有效电流

由《开关电源宝典·降压电路(BUCK)的原理与应用》3.3.8章节“3. 高边开关管的有效电流”可知，TSW开关周期内开关管上的有效电流为公式(3.259)：

$$ I_{SW-H,RMS} = \sqrt{D \times \left( I_{OUT}^2 + \frac{\Delta I_L^2}{12} \right)} \tag{3.259} $$

这一公式反映了MOSFET在TSW开关周期内流过的电流的综合效应，包括连续工作模式下电感电流的平均值和纹波电流的影响。

(2) 高边MOSFET在TSW开关周期内的导通功率损耗有效值

基于(3.259)这个有效电流公式，使用 $I_{RMS}^2 \times R_{DS(ON)}$ 计算MOSFET在TSW开关周期内的导通功率损耗有效值，如下所示：