STM32G4 程序 + Option Bytes 一起烧录就死机？LAT1150 官方根治方案

用 STM32G4（比如 G474）双 Bank 芯片的工程师，几乎都会踩这个坑：

想一次性烧录 APP + 把 DBANK 从 1 改成 0（单 Bank），结果程序直接不跑。

图形工具（ST-LINK Utility / CubeProgrammer）怎么设置都不对，必须烧两遍才行。

ST 官方 LAT1150 笔记把时序、原理、一步到位命令行全部讲清楚，看完再也不踩双 Bank 烧录坑。

资料获取：【应用笔记】LAT1150 STM32G4 应用程序与 Option Bytes 同时烧录问题

1. 典型故障现象（完全一致就是同款问题）

• 芯片：STM32G474（双 Bank Flash）
• 默认 DBANK=1（双 Bank 模式）
• 需求：烧程序 + DBANK=0（单 Bank）一步完成
• 用 GUI 工具同时烧程序 + 改 OB → 程序不运行、读 Flash 乱码
• 必须先改 DBANK → 复位 → 再烧程序才正常

2. 根因：烧录顺序反了！

GUI 工具的执行顺序是：

1. 先烧程序（此时还是 DBANK=1 双 Bank 模式）
2. 再改 DBANK=0（变成单 Bank）

问题在于：
双 Bank 模式烧的程序，在单 Bank 模式下取指方式完全不同，程序直接 “错位” 变无效。

• DBANK=1（双 Bank）：64bit 读取
• DBANK=0（单 Bank）：128bit 读取

模式不匹配 → Flash 内容读出来不一样 → 程序跑飞。

3. 正确顺序（必须这样才对）

1. 先改 DBANK=0
2. 复位让 OB 生效
3. 再烧程序

但 GUI 工具不能调整顺序，所以做不到一步完成。

4. 一步到位解决方案：ST-LINK_CLI 命令行

LAT1150 给出唯一正确方法：

用命令行工具 ST-LINK_CLI.exe，先改 OB → 复位 → 擦除 → 烧录。

直接复制这条命令（G4 单 Bank 专用）

st-link_cli.exe -c SWD -OB DBANK=0 -Rst -ME -P test.hex -V

命令含义（顺序不能乱）

• -c SWD：连接调试口
• -OB DBANK=0：先改选项字节，关闭双 Bank
• -Rst：复位，让 OB 生效
• -ME：全片擦除
• -P xxx.hex：烧录程序
• -V：校验

执行一次，程序 + OB 同时到位，直接运行。

5. 为什么 GUI 工具不行？

因为 CubeProgrammer / ST-LINK Utility 都是固定顺序：

先烧程序 → 后改 OB

无法改成 “先改 OB → 再烧程序”。

所以在 G4 双 Bank 切单 Bank 这个场景下，GUI 工具天生不支持。

STM32G4 切换 DBANK 必须先改 OB、再烧程序，GUI 做不到，只能用命令行一步完成。

7. LAT1150 最终结论

1. STM32G4 双 Bank 切单 Bank 时，烧录顺序决定程序是否能运行
2. 先烧程序后改 OB → 程序异常
3. 先改 OB 再烧程序 → 正常运行
4. 一键完成只能用 ST-LINK_CLI 命令行
5. 命令顺序：修改 OB → 复位 → 擦除 → 烧录