芯耀
与非AI
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在 PD 快充、中大功率适配器方案，同步整流替代肖特基二极管是提升转换效率、降低温升的关键手段。无锡曜硅 LS8523，SOP‑8L 封装，内置100V/10mΩ 超低导通阻抗 MOS 管，支持 DCM/CCM/QR/CRM 多种反激工作模式，最高工作频率 200kHz，支持高侧、低侧两种整流拓扑，无需辅助绕组供电，非常适合 15‑65W 反激电源副边同步整流应用。作为无锡曜硅总一级代理，提供规格书、参考电路，FAE 协助效率优化、防误导通调试，支持样品到大批量交付。
产品定位
LS8523 是全模式兼容副边同步整流功率开关芯片，SOP‑8L 贴片封装，内部集成 100V/10mΩ 功率 MOS，依靠 SW 引脚检测二极管压降自供电，不需要辅助绕组，简化变压器设计。可直接替换副边肖特基二极管，大幅降低整流损耗，轻松满足 DOE VI、COC 能效法规。
核心技术特点
多模式全兼容，支持 CCM 连续模式 同时支持 DCM、CCM、CRM、QR 准谐振拓扑，市面上很多 SR 芯片无法稳定 CCM 工况，LS8523 凭借高速检测逻辑，CCM 大占空比场景稳定工作，适配 PD 宽电压输出快充电源；最大工作频率 200kHz。
超低 Rds (on)=10mΩ，效率显著提升 内置低阻 MOS，相比传统肖特基二极管，副边导通损耗大幅下降，降低整机温升，提升转换效率；轻载静态电流低至 150uA，不恶化空载待机功耗。
支持高侧、低侧整流，免辅助绕组 SW 引脚自检测自供电，不需要变压器辅助绕组，变压器绕制简化；硬件兼容高边、低边两种整流接法，原理图改动小，适配不同客户的旧板改造。
开通阈值 Vds ≈‑260mV；关断阈值 Vds≈‑12mV；
开通延时典型 80ns，关断延时 15‑25ns，高速响应，减少续流体二极管导通时间。
丰富的防误操作逻辑与保护 内置前沿消隐、关断消隐时间，抑制开关尖峰，避免谐振误导通；支持原边开通检测，防止副边误开启；集成欠压 UVLO 保护、过温 OTP 保护、短路保护，故障条件实现可靠保护。
关键电气参数
内置 MOS：100V / Rds (on)=10mΩ；
VDD UVLO 开启 2.5V，迟滞 0.4V；
IQ 静态电流典型 150uA；
最高工作频率 200kHz；
SOP‑8L 封装，盘装 4000 颗 / 盘。
典型应用场景
15‑65W PD/QC 快充适配器
路由器、机顶盒、工业隔离反激电源
LED 大功率恒流驱动电源
需要提升效率、降低温升的反激电源，替代肖特基二极管
传统 SR 方案国产化替换
PCB 布局设计要点
SW 功率引脚大面积铺铜，提升 MOS 散热；
SW 到输出节点走线尽量短粗，减少引线寄生电感；
VDD 引脚就近放置旁路电容；
副边功率环路（变压器次级‑SR‑输出电解）面积尽量最小；
GND 功率地完整铺铜，减小地阻抗。
代理服务说明
无锡曜硅总一级代理，原厂直供配额；可免费提供样品申请，输出完整 DEMO、原理图 BOM；FAE 工程师协助效率调试、抑制误导通、可靠性验证，支持大小批量订单交付。
小结
LS8523 最大亮点是原生支持 CCM 连续模式同步整流，10mΩ 超低内阻，高 / 低侧都能用，免辅助绕组，适配快充宽输出电压场景。SOP‑8L 通用封装，替换肖特基可以显著改善电源效率与温升，是中大功率反激同步整流优选国产芯片。
