中芯成都代工,采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数:镜头NA:1.35 单次曝光分辨率:38-41nm 双工件台:DWSi,产率在每小时200片晶圆 套刻精度:优于2.5nm 设计指标:能够在单次曝光条件下满足28nm平面planner晶体管逻辑电路工艺需求。
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中芯成都代工,采用上海微光刻机 SSA800/10W浸入式光刻机参数:镜头NA:1.35 单次曝光分辨率:38-41nm 双工件台:DWSi,产率在每小时200片晶圆 套刻精度:优于2.5nm 设计指标:能够在单次曝光条件下满足28nm平面planner晶体管逻辑电路工艺需求。
器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
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BM04B-GHS-TBT(LF)(SN)(N) | 1 | JST Manufacturing | CONN HEADER GH TOP 4POS 1.25MM |
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$0.41 | 查看 | |
FI-X30SSLA-HF-R2500 | 1 | Japan Aviation Electronics Industry Limited | Card Edge Connector, 30 Contact(s), 1 Row(s), Female, Right Angle, 0.039 inch Pitch, Surface Mount Terminal, Locking, Black Insulator, LEAD FREE |
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$13.31 | 查看 | |
DNF14-250FIB-M | 1 | Panduit Corp | Push-On Terminal, 2.5mm2, |
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$0.45 | 查看 |