FD-SOI

全球半导体技术追求更高能效与更强性能，FD-SOI技术因其独特背偏压调控能力成为5G、汽车电子、边缘计算等领域首选。第十届上海FD-SOI论坛展示CEA-Leti最新路线图，提出FD-SOI技术向10nm及以下节点迈进，通过自适应背偏压技术实现能效飞跃。CEA-Leti计划从28nm至7nm不断优化，目标大幅提升晶体管密度与射频性能，同时强调设计与工艺协同优化的重要性。尽管面临挑战，CEA-Leti计划在2025至2029年完成多版本迭代，推动FD-SOI技术在先进制程中的应用。

清华大学电子工程系教授陈文华在上海FD-SOI论坛上介绍，基于22纳米全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI CMOS）工艺的集成电路展现出显著优势，尤其适用于高集成度、低功耗、高性能的相控阵系统。他展示了三个关键设计案例，包括一款23-29 GHz的三堆叠功率放大器、一款24-38 GHz的有源矢量求和移相器和一个D波段（127-162 GHz）六倍频器，证明了FD-SOI CMOS技术在毫米波和太赫兹电路设计中的强大性能和灵活应用。

MIPS首席执行官Sameer Wasson在上海FD-SOI论坛上发表主题演讲，探讨未来十年半导体行业趋势，特别是“物理AI”的兴起及其对技术生态的影响。他指出，AI技术从云端向边缘扩展，物理AI成为推动实体系统智能化的关键，要求计算架构具备实时响应与自主行动的能力。MIPS推出基于RISC-V指令集的Atlas处理器IP组合，满足多样化需求，并强调通过虚拟平台实现软硬件协同开发，缩短开发周期。

格罗方德在2025年9月25日的上海FD-SOI论坛上提出，FD-SOI技术正以“为边缘AI量身打造”的定位，推动全球多个行业的变革。当前，AI无处不在已成为技术发展的核心趋势，物理AI的兴起让各类设备从“能思考”向“能行动”跨越，而这一过程中，功耗管理、连接性能与设备自主性成为关键挑战，FD-SOI技术则恰好成为应对这些挑战的核心解决方案。边缘AI的普及正在重塑市场格局，从移动设备、汽车到数据中心与物联网，各领域对技术的需求呈现出多样化且严苛的特征。移动设备需要延伸AI助手功能，实现沉浸式显示、高清摄像与音频体验；汽车行业迈入软件定义时代，自动驾驶、安全保障与驾乘舒适感的提升，对芯片的功耗、带宽和集成能力提出更高要求；数据中心与基础设施面临海量边缘数据处理压力，同时受限于功耗、尺寸与成本；物联网设备则追求“AI无处不在”，需在有限资源下实现安全连接与高效计算。这些需求的背后，都指向“高性能”与“超低功耗”的双重诉求，而FD-SOI技术正是格罗方德为满足这一诉求打造的核心产品。作为超低功耗产品的核心，FD-SOI技术已在多领域实现广泛应用，且需求持续加速。在智能移动设备中，它支撑着RF/mmWave前端、连接模块、成像与显示功能的高效运行；物联网领域里，无线MCU、边缘计算、成像与显示设备借助该技术突破功耗瓶颈；数据中心与基础设施方面，FD-SOI技术为卫星通信、无线基础设施及光网络收发器提供稳定支持；汽车行业更是将其用于雷达、智能传感器、MCU区域处理与车载网络，成为智能汽车发展的重要支撑。Ed Kaste指出，FD-SOI技术的优势集中体现在“连接”、“功耗”与“集成”三大维度，精准匹配AI设备的核心需求。在连接性能上，基于无掺杂硅通道的设计，FD-SOI技术能实现低失配、高性能的RF表现，尤其是在多频段展现出领先优势。从6GHz到140GHz频段，其Psat（饱和功率）与PAE（功率附加效率）持续提升，例如6GHz频段Psat性能提升2dBm、PAE提升7%，140GHz频段PAE提升6%。在功耗控制上，通过薄埋氧层设计，该技术实现了低漏电与功率性能的精准调控，即便在电池供电的设备中，也能在保证性能的前提下大幅降低能耗。在集成能力上，FD-SOI技术搭载了优化的嵌入式非易失性存储器（eNVM）组合，MRAM与RRAM两种方案各有侧重，分别适用于汽车及高要求工业应用和低功耗物联网与移动消费设备。从技术布局到市场落地，格罗方德的FD-SOI技术正构建起“连接-采集-处理-行动”的完整闭环，为边缘AI的发展提供稳定、高效的底层支撑。随着物理AI的深入渗透，FD-SOI技术将继续在功耗、连接与集成上突破创新，推动更多行业实现从“智能化”到“自主化”的跨越，成为全球技术变革中不可或缺的核心力量。

Soitec于2025年9月15日在第十届上海FD-SOI论坛上展示了其在半导体材料领域的技术创新和市场策略。公司通过FD-SOI技术提供低功耗、高性能解决方案，已在边缘AI、5G通信和汽车电子等领域取得进展。同时，Soitec积极拓展化合物半导体材料，布局光电子和高功率应用。预计到2030年，AI设备数量将大幅增长，Soitec计划在边缘AI、汽车电子和通信领域进一步扩展业务。