FD-SOI_FD-SOI资讯

18nm FD-SOI+ePCM 技术平台全景解析 —— 新一代高性能 MCU 核心发展路线

**摘要：** 本文介绍了先进嵌入式非易失存储技术在微控制器SoC中的重要性和挑战。随着工艺进步，传统浮栅存储技术面临成本上升、漏电流增大和存储密度不足等问题。因此，18nm FD-SOI工艺配合嵌入式相变存储器ePCM成为解决这些问题的核心方案。该方案通过FD-SOI工艺抑制短沟道效应并降低静态漏电流，同时采用ePCM进行后端集成，解决了传统存储技术的难题。此外，该方案还具备出色的模拟兼容性和可靠性，适用于汽车、工业和物联网等多个领域。

芯次元玩家

528

06/26 15:03

MCU FD-SOI

底层物理原理深度拆解 ——18nm FD-SOI 工艺与 ePCM 相变存储核心技术机理

本文介绍了18nm UTBB FD-SOI工艺在晶体管物理难题上的解决方案，包括全耗尽型器件（FD-SOI/FinFET）、HKMG高k金属栅极技术和体偏置FBB/RBB阈值电压动态调制技术。此外，还详细阐述了ePCM嵌入式相变存储器的工作机理及其优势，包括GST材料的双稳态导电原理、垂直BJT单向选择器的设计逻辑以及三种脉冲的应用。最后，文章讨论了FD-SOI和ePCM两大技术协同增益逻辑，并提出了针对关键技术短板的配套优化方案。

芯次元玩家

805

06/26 14:59

FD-SOI

18nm FD-SOI+ePCM MCU 完整集成架构与工程落地解决方案

本文介绍了基于18nm FD-SOI工艺的MCU SoC的整体硬件分层集成架构，包括数字逻辑层、模拟混合层和ePCM存储子系统。详细描述了ePCM存储阵列的工程优化方案，如阵列效率计算公式、分布式分段字线缓冲架构和BJT选择器的优势。此外，还提供了ePCM全生命周期可靠性工程解决方案，包括代码/数据分区差异化设计、三级脉冲算法体系和ECC纠错、SOA安全工作区双重硬件故障防护。最后，文章列举了MCU的功耗、读写性能标准化工程指标，并展示了在汽车、工业和物联网领域的定制化集成方案。

芯次元玩家

258

06/26 14:55

MCU FD-SOI

STM32V8 系列落地产品分析与 18nm FD-SOI+ePCM 技术长期行业价值

STM32V8是一款基于18nm FD-SOI工艺的高端MCU，采用Cortex-M85内核，具备DSP、ML加速等功能。其ePCM存储单元提升了存储能力和功耗表现，同时增强了模拟集成和可靠性。适用于车载、工业和物联网领域，具有降本、高可靠性和宽温等特点。

芯次元玩家

3963

06/26 14:35

MCU FD-SOI

18nm FD-SOI+ePCM：MCU 性能革命，意法半导体解锁嵌入式新上限

在工业控制、边缘 AI、汽车电子等场景对 MCU 性能、功耗、可靠性要求持续攀升的当下，传统工艺与存储方案已逼近物理极限。意法半导体（ST）联合三星，以18nm FD-SOI 工艺 + 嵌入式相变存储器（ePCM）为核心，打造新一代 MCU 技术平台，彻底打破性能与功耗的平衡难题，为嵌入式系统带来 “性能跃升、功耗骤降、存储扩容、可靠性升级” 的全维度突破。本文从技术原理、核心优势、应用价值、落地产品四大维度，深度解读这场 MCU 技术革命。

芯次元玩家

1351

05/20 14:42

MCU FD-SOI

突破10nm壁垒！CEA-Leti官宣FD-SOI技术路线图，直指7nm未来

全球半导体技术追求更高能效与更强性能，FD-SOI技术因其独特背偏压调控能力成为5G、汽车电子、边缘计算等领域首选。第十届上海FD-SOI论坛展示CEA-Leti最新路线图，提出FD-SOI技术向10nm及以下节点迈进，通过自适应背偏压技术实现能效飞跃。CEA-Leti计划从28nm至7nm不断优化，目标大幅提升晶体管密度与射频性能，同时强调设计与工艺协同优化的重要性。尽管面临挑战，CEA-Leti计划在2025至2029年完成多版本迭代，推动FD-SOI技术在先进制程中的应用。

夏珍

2321

2025/09/25

与非观察 FD-SOI

清华陈文华：FD-SOI 是高频通信的 “最优解” 之一

清华大学电子工程系教授陈文华在上海FD-SOI论坛上介绍，基于22纳米全耗尽型绝缘体上硅（FD-SOI CMOS）工艺的集成电路展现出显著优势，尤其适用于高集成度、低功耗、高性能的相控阵系统。他展示了三个关键设计案例，包括一款23-29 GHz的三堆叠功率放大器、一款24-38 GHz的有源矢量求和移相器和一个D波段（127-162 GHz）六倍频器，证明了FD-SOI CMOS技术在毫米波和太赫兹电路设计中的强大性能和灵活应用。

夏珍

2493

2025/09/25

与非观察毫米波

MIPS CEO：从聊天机器人到机器人，RISC-V 如何赋能物理 AI 全链路？

MIPS首席执行官Sameer Wasson在上海FD-SOI论坛上发表主题演讲，探讨未来十年半导体行业趋势，特别是“物理AI”的兴起及其对技术生态的影响。他指出，AI技术从云端向边缘扩展，物理AI成为推动实体系统智能化的关键，要求计算架构具备实时响应与自主行动的能力。MIPS推出基于RISC-V指令集的Atlas处理器IP组合，满足多样化需求，并强调通过虚拟平台实现软硬件协同开发，缩短开发周期。

夏珍

1192

2025/09/25

与非观察 RISC-V

MIPS CEO：从聊天机器人到机器人，RISC-V 如何赋能物理 AI 全链路？

格罗方德：为边缘 AI 量身打造，FD-SOI如何制胜“功耗与性能”战场？

格罗方德在2025年9月25日的上海FD-SOI论坛上提出，FD-SOI技术正以“为边缘AI量身打造”的定位，推动全球多个行业的变革。当前，AI无处不在已成为技术发展的核心趋势，物理AI的兴起让各类设备从“能思考”向“能行动”跨越，而这一过程中，功耗管理、连接性能与设备自主性成为关键挑战，FD-SOI技术则恰好成为应对这些挑战的核心解决方案。边缘AI的普及正在重塑市场格局，从移动设备、汽车到数据中心与物联网，各领域对技术的需求呈现出多样化且严苛的特征。移动设备需要延伸AI助手功能，实现沉浸式显示、高清摄像与音频体验；汽车行业迈入软件定义时代，自动驾驶、安全保障与驾乘舒适感的提升，对芯片的功耗、带宽和集成能力提出更高要求；数据中心与基础设施面临海量边缘数据处理压力，同时受限于功耗、尺寸与成本；物联网设备则追求“AI无处不在”，需在有限资源下实现安全连接与高效计算。这些需求的背后，都指向“高性能”与“超低功耗”的双重诉求，而FD-SOI技术正是格罗方德为满足这一诉求打造的核心产品。作为超低功耗产品的核心，FD-SOI技术已在多领域实现广泛应用，且需求持续加速。在智能移动设备中，它支撑着RF/mmWave前端、连接模块、成像与显示功能的高效运行；物联网领域里，无线MCU、边缘计算、成像与显示设备借助该技术突破功耗瓶颈；数据中心与基础设施方面，FD-SOI技术为卫星通信、无线基础设施及光网络收发器提供稳定支持；汽车行业更是将其用于雷达、智能传感器、MCU区域处理与车载网络，成为智能汽车发展的重要支撑。Ed Kaste指出，FD-SOI技术的优势集中体现在“连接”、“功耗”与“集成”三大维度，精准匹配AI设备的核心需求。在连接性能上，基于无掺杂硅通道的设计，FD-SOI技术能实现低失配、高性能的RF表现，尤其是在多频段展现出领先优势。从6GHz到140GHz频段，其Psat（饱和功率）与PAE（功率附加效率）持续提升，例如6GHz频段Psat性能提升2dBm、PAE提升7%，140GHz频段PAE提升6%。在功耗控制上，通过薄埋氧层设计，该技术实现了低漏电与功率性能的精准调控，即便在电池供电的设备中，也能在保证性能的前提下大幅降低能耗。在集成能力上，FD-SOI技术搭载了优化的嵌入式非易失性存储器（eNVM）组合，MRAM与RRAM两种方案各有侧重，分别适用于汽车及高要求工业应用和低功耗物联网与移动消费设备。从技术布局到市场落地，格罗方德的FD-SOI技术正构建起“连接-采集-处理-行动”的完整闭环，为边缘AI的发展提供稳定、高效的底层支撑。随着物理AI的深入渗透，FD-SOI技术将继续在功耗、连接与集成上突破创新，推动更多行业实现从“智能化”到“自主化”的跨越，成为全球技术变革中不可或缺的核心力量。

夏珍

2625

2025/09/25

与非观察边缘AI

聚焦上海 FD-SOI 论坛！Soitec CEO诠释如何以半导体材料创新领跑未来

Soitec于2025年9月15日在第十届上海FD-SOI论坛上展示了其在半导体材料领域的技术创新和市场策略。公司通过FD-SOI技术提供低功耗、高性能解决方案，已在边缘AI、5G通信和汽车电子等领域取得进展。同时，Soitec积极拓展化合物半导体材料，布局光电子和高功率应用。预计到2030年，AI设备数量将大幅增长，Soitec计划在边缘AI、汽车电子和通信领域进一步扩展业务。

夏珍

1896

2025/09/25

与非观察 FD-SOI

聚焦上海 FD-SOI 论坛！Soitec CEO诠释如何以半导体材料创新领跑未来

IBS CEO 重磅解读：为什么 FD-SOI 是边缘 AI 与中国半导体发展的 “战略纽带”？

第十届上海 FD-SOI 论坛上，IBS CEO Handel Jones强调了FD-SOI技术在边缘AI时代的战略价值，尤其是在低功耗和无线连接效能方面的优势。随着AI市场持续增长，FD-SOI技术预计将显著扩大市场份额，特别是在智能穿戴设备、图像处理器等领域。中国半导体产业虽有快速崛起之势，但仍面临先进晶圆制造和技术生态建设的挑战。FD-SOI技术为中国在边缘AI时代提供了重要的技术支持和发展机遇。

夏珍

2459

2025/09/25

与非观察边缘AI

IBS CEO 重磅解读：为什么 FD-SOI 是边缘 AI 与中国半导体发展的 “战略纽带”？

戴伟民：年复合增长率34.5%！FD-SOI赛道炙手可热，芯原领跑IP生态

2025年9月15日，第十届上海FD-SOI论坛召开，芯原股份创始人戴伟民介绍了FD-SOI技术的历史、特点及其在低功耗、边缘计算、物联网等领域的应用前景。FD-SOI技术自2001年起发展至今，历经多代技术迭代，目前已成为全球领先的低功耗技术之一。芯原股份在FD-SOI领域已有深厚积累，已开发多种基于该技术的IP，并在汽车电子、物联网、边缘AI等多个领域取得了显著成果。预计未来几年，FD-SOI市场规模将持续快速增长。

夏珍

2763

2025/09/25

与非观察 FD-SOI

芯原推出基于FD-SOI工艺的无线IP平台，支持多样化物联网及消费电子应用

芯原股份（芯原，股票代码：688521.SH）今日发布其无线IP平台，旨在帮助客户快速开发高能效、高集成度的芯片，广泛应用于物联网和消费电子领域。该平台基于格罗方德（GF）22FDX®（22纳米FD-SOI）工艺，支持短程、中程及远程无线连接，并提供完整的IP解决方案，可实现具有竞争力的功耗、性能及面积（PPA）。该平台针对低能耗蓝牙（BLE）、双模蓝牙（BTDM）、NB-IoT及Cat.1/C

与非网编辑

801

2025/09/24

射频 CMOS

FD-SOI，半导体“特色”工艺之路能否走通？

在进入28纳米节点时，半导体逻辑制造工艺出现了分岔。一条路线走向了三维工艺，即大家所熟知的FinFET，代表厂商有台积电、英特尔和中芯国际等晶圆制造厂商；另一条路线则还在坚持平面工艺，被称为FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽硅型绝缘体上硅），代表厂商有意法半导体（STMicroelectronics）。三星电子与格罗方德（GlobalFoundries）则两条腿走路，对FinFET与FD-SOI都有布局，但三星的先进逻辑制造工艺还是以FinFET为主。

TechSugar

2189

2024/10/31

FinFET FD-SOI

什么是FD-SOI，为什么欧洲执着于此？

FD-SOI（fully depleted silicon-on-insulator）解决了芯片制造商的漏电问题，但该技术落后于更传统的FinFET工艺。

Astroys

2.5万

2024/09/27

FinFET FD-SOI

FD-SOI会是我国突破封锁的一次机会吗？

近日，美国又进一步扩大对我国半导体行业的制裁措施，限制我国发展人工智能和先进半导体。“在日益复杂的地缘政治因素影响下，传统的市场化和赛道可能面临着激烈的竞争，除了国内外的竞争外，同时涵盖了更广泛的政治竞争。”中国集成电路创新联盟秘书长叶甜春在近期举办的第八届FD-SOI论坛上表示。中国半导体想要在被封锁的状况下取得突破和发展，就要开辟新的赛道和市场，这样中国半导体才能拥有更符合商业规则的发展机会。

TechSugar

645

2023/10/27

半导体行业 FD-SOI