FD-SOI

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  • ST,正在帮这家法国公司造量子芯片
    法国量子初创Quobly宣布,在ST 12英寸FD-SOI商用产线制造的单颗硅芯片上,成功演示量子比特读出、单/双量子比特门三项基本操作。其QSOI技术验证了半导体级量子处理器制造路径,目标2032年实现百万量子比特。
  • ReRAM+FD-SOI,边缘AI的最优解!
    在2026上海FD-SOI论坛,Weebit Nano演讲指出ReRAM与FD-SOI互补,推动高能效边缘AI SoC。ReRAM具低功耗、高密度、低成本、可扩展、高可靠等优势,可替代嵌入式闪存;结合FD-SOI实现嵌入式存储、近存计算与存内计算,适用于汽车、物联网、可穿戴及AI推理。
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    09/22 17:44
  • FD-SOI将迈入7nm时代,本土产业链加速完善!
    2026年9月20日,第11届上海FD-SOI论坛由芯原股份主办。IBS首席执行官Handel Jones指出,AI将推动全球半导体市场增长,数据中心支出和存储器需求带来机遇与风险。会议聚焦FD-SOI与FinFET互补,凭借低功耗、高频和模拟数字融合优势,适合边缘AI、物理AI及智能终端,并加速向7nm推进。中国产业链突破显著:锐立平芯拟建首条FD-SOI量产线,新傲芯翼300mm SOI产能扩张,支撑车载、IoT和6G等应用。
    FD-SOI将迈入7nm时代,本土产业链加速完善!
  • 不用迁移 FinFET!22FDX 凭借 ABX IP,在IoT和汽车领域实现对标先进工艺的芯片能效
    Racyics发布面向22FDX的ABX自适应体偏置IP,通过动态调节背栅电压收窄PVT角,优化性能、功耗与面积。FBB可提升最坏速度并支持0.40V低电压,RBB可在IoT和汽车Grade 1显著降低漏电与动态功耗,无需迁移FinFET。ABX提供完整签收方法学,已获博世等客户采用。
    不用迁移 FinFET!22FDX 凭借 ABX IP,在IoT和汽车领域实现对标先进工艺的芯片能效
  • 面向边缘AI,芯原展示FD-SOI从体偏置、MRAM到3D堆叠的量产实践
    2026年9月20日,在第十一届上海FD-SOI论坛上,芯原股份朱炯介绍其十余年FD-SOI布局与边缘AI实践:已构建完整IP生态,授权47家客户超330次IP、完成49个项目、40次流片;ABB自适应体偏置可使总功耗降约50%、待机功耗降15-25倍;并展示BLE等无线IP、嵌入式MRAM及3D异构集成量产实践,助力可穿戴等边缘AI落地。
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    09/20 15:18
    面向边缘AI,芯原展示FD-SOI从体偏置、MRAM到3D堆叠的量产实践