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FD-SOI

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  • 18nm FD-SOI+ePCM 技术平台全景解析 —— 新一代高性能 MCU 核心发展路线
    **摘要：** 本文介绍了先进嵌入式非易失存储技术在微控制器SoC中的重要性和挑战。随着工艺进步，传统浮栅存储技术面临成本上升、漏电流增大和存储密度不足等问题。因此，18nm FD-SOI工艺配合嵌入式相变存储器ePCM成为解决这些问题的核心方案。该方案通过FD-SOI工艺抑制短沟道效应并降低静态漏电流，同时采用ePCM进行后端集成，解决了传统存储技术的难题。此外，该方案还具备出色的模拟兼容性和可靠性，适用于汽车、工业和物联网等多个领域。
    345
    06/26 15:03
    MCU FD-SOI
  • 底层物理原理深度拆解 ——18nm FD-SOI 工艺与 ePCM 相变存储核心技术机理
    本文介绍了18nm UTBB FD-SOI工艺在晶体管物理难题上的解决方案，包括全耗尽型器件（FD-SOI/FinFET）、HKMG高k金属栅极技术和体偏置FBB/RBB阈值电压动态调制技术。此外，还详细阐述了ePCM嵌入式相变存储器的工作机理及其优势，包括GST材料的双稳态导电原理、垂直BJT单向选择器的设计逻辑以及三种脉冲的应用。最后，文章讨论了FD-SOI和ePCM两大技术协同增益逻辑，并提出了针对关键技术短板的配套优化方案。
    198
    06/26 14:59
    FD-SOI
  • 18nm FD-SOI+ePCM MCU 完整集成架构与工程落地解决方案
    本文介绍了基于18nm FD-SOI工艺的MCU SoC的整体硬件分层集成架构，包括数字逻辑层、模拟混合层和ePCM存储子系统。详细描述了ePCM存储阵列的工程优化方案，如阵列效率计算公式、分布式分段字线缓冲架构和BJT选择器的优势。此外，还提供了ePCM全生命周期可靠性工程解决方案，包括代码/数据分区差异化设计、三级脉冲算法体系和ECC纠错、SOA安全工作区双重硬件故障防护。最后，文章列举了MCU的功耗、读写性能标准化工程指标，并展示了在汽车、工业和物联网领域的定制化集成方案。
    187
    06/26 14:55
    MCU FD-SOI
  • STM32V8 系列落地产品分析与 18nm FD-SOI+ePCM 技术长期行业价值
    STM32V8是一款基于18nm FD-SOI工艺的高端MCU，采用Cortex-M85内核，具备DSP、ML加速等功能。其ePCM存储单元提升了存储能力和功耗表现，同时增强了模拟集成和可靠性。适用于车载、工业和物联网领域，具有降本、高可靠性和宽温等特点。
    192
    06/26 14:35
    MCU FD-SOI
  • 18nm FD-SOI+ePCM：MCU 性能革命，意法半导体解锁嵌入式新上限
    在工业控制、边缘 AI、汽车电子等场景对 MCU 性能、功耗、可靠性要求持续攀升的当下，传统工艺与存储方案已逼近物理极限。意法半导体（ST）联合三星，以18nm FD-SOI 工艺 + 嵌入式相变存储器（ePCM） 为核心，打造新一代 MCU 技术平台，彻底打破性能与功耗的平衡难题，为嵌入式系统带来 “性能跃升、功耗骤降、存储扩容、可靠性升级” 的全维度突破。本文从技术原理、核心优势、应用价值、落地产品四大维度，深度解读这场 MCU 技术革命。
    1210
    05/20 14:42
    MCU FD-SOI
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