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聚焦:人工智能、芯片等行业
SEMI宣布，自2021年1月1日起， SOI国际产业联盟正式加入SEMI，成为策略合作伙伴（Strategic Association Partner）。SOI国际产业联盟是一个代表SOI（绝缘体上硅）微电子完整价值链的领先行业组织，总部位于马萨诸塞州牛顿市。在双方的合作伙伴关系下，联盟及其成员作为重要的创新驱动者，将继续加深整个电子行
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY） 推出了采用转模封装的1200 V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS™ Maxi IPM IM828系列是业界在这一电压级别上的第一款产品。
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）为进一步壮大电平转换EiceDRIVER™产品阵容，推出1200 V三相栅极驱动器。
芯片一般是指集成电路的载体，也是集成电路经过设计、制造、封装、测试后的结果，通常是一个可以立即使用的独立的整体。
因为逻辑芯片本身拥有极大的市场份额和市场知名度，所以对于这类产品的代工，很多读者都如数家珍。
半导体产业经历2019上半年的衰退后，下半年在库存逐渐去化及市场需求旺季效应下情况略显好转，也让供应链厂商期望2020年能迎来市场需求的反转。
SOI产业联盟（ SOI微电子完整价值链的领先行业组织）今日宣布了半导体行业的两位杰出获奖者，分别是来自村田制作所（Murata）旗下pSemi公司的董事长兼首席技术官Jim Cable和中芯集成电路(宁波)有限公司的首席执行官兼总经理Herb Huang（黄河）
作为设计和生产创新半导体材料的全球领军企业，法国Soitec半导体公司于9月16日和17日出席了第七届上海FD-SOI论坛和国际RF-SOI研讨会，探讨SOI及其它优化衬底如何助力5G及AIoT快速发展。
全球领先的模拟/混合信号代工厂商X-FAB Silicon Foundries,今天宣布推出针对不断增长的48V汽车电源系统（48V board net）和电池管理系统芯片市场的新型高压器件。
由于半导体发展趋势，在相同晶圆面积下填入更多晶体管，势必使线宽逐渐微缩，但尺寸微缩却有限制，其闸极线宽极限约在3～5nm间(线宽愈小则电阻值愈大)，使得科学家试图找寻在不微缩线宽尺寸下，如何以相同的制程方式提升元件效率，突破摩尔定律限制，而SOI(Silicon on Insulator)硅晶绝缘体技术，即为解决方法之一。
FinFET和SOI是晶圆工艺在21世纪初进化出的两条发展线路。FinFET用在标准化的产品上，而SOI则开始在特定的领域开花结果，如射频器件、AIoT芯片等。
各大晶圆厂积极寻求差异化，Bulk CMOS、FD-SOI和finFET随时待命，不过问题在于，在28nm之后，芯片制造商将走向何方？
作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业，Soitec半导体公司于2018年9月18日至19日参加了在上海由SOI国际产业联盟举办的第六届FD-SOI高峰论坛暨国际RF-SOI研讨会（Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop）。
真空管的发明是电子工业发展的重要动力。但是，在第二次世界大战之后，由于需要大量的分立元件，设备的复杂性和功耗显着增加，而设备的性能却不断下降，其中一个例子是波音B-29，由300~1000个真空管组成。
王曦，中国科学院院士，我国著名半导体材料学专家，中科院上海微系统与信息技术研究所所长、我国高端集成电路衬底材料的主要开拓者和领军人物。3月23日，他在上海科技奖励大会上获得了2017年度科技功臣奖。
射频器件制造商及其代工合作伙伴继续推出基于RF SOI工艺技术的传统射频开关芯片和调谐器，用于当今的4G无线网络。最近，GlobalFoundries为未来的5G网络推出了45nm RF SOI工艺。为了改变市场格局，一家无晶圆厂IC设计公司正在推出基于替代工艺RF MEMS的新一代RF产品和天线调谐器
中国至少已浮出三家晶圆厂将采用SOI工艺先进制程。根据MarketsandMarkets 最新预估，SOI市场在2022年市场价值将达18.6亿美元，2017-2022年期间平均复合成长率将达29.1%。其中，亚太区晶圆厂将是主力客户。
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。
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