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本指南类似于“MOVs的基础知识”，提供了关于多层抑制装置技术的具体 c信息，旨在作为Littelfuse多层数据表的补充。
“A”是应用，给出了这些产品使用的一般例子。
“B”是Basics，描述了基本的制造、操作和功能。
“C”是常见问题，解决生产工程师和设计师经常问的问题。
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扫码加入Littelfuse多层抑制器的基本原理
本指南类似于“MOVs的基础知识”，提供了关于多层抑制装置技术的具体 c信息，旨在作为Littelfuse多层数据表的补充。
“A”是应用，给出了这些产品使用的一般例子。
“B”是Basics，描述了基本的制造、操作和功能。
“C”是常见问题，解决生产工程师和设计师经常问的问题。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DM3AT-SF-PEJM5 | 1 | Hirose Electric Co Ltd | PCB Connector, 8 Contact(s), 1 Row(s), Male, Right Angle, Surface Mount Terminal, Black Insulator, Receptacle, |
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$2.43 | 查看 | |
| JANTX2N2329 | 1 | Silicon Transistor Corporation | Silicon Controlled Rectifier, 2.512A I(T)RMS, 400V V(DRM), 1 Element, TO-5 |
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$91.96 | 查看 | |
| NTR4003NT1G | 1 | onsemi | Single N-Channel Small Signal MOSFET 30V, 560mA, 1.5Ω, SOT-23 (TO-236) 3 LEAD, 3000-REEL |
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$0.38 | 查看 |
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Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
查看更多力特于1927年于美国伊利诺伊州芝加哥正式成立。如今，力特已经在行业中建立了广泛和全面的电路保护产品系列和产品线，是世界领先的电路元器件供应商及电路保护品牌。
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