Littelfuse电源半可能的故障模式按包应用说明

2024/01/03 作者：力特奥维斯Littelfuse

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Littelfuse电源半可能的故障模式按包应用说明

由于IGBT模具的结构，压包式IGBT对压力和静电放电(ESD)都敏感。器件上的非均匀夹紧或过夹紧压力可能导致硅的直接损坏或器件操作能力的恶化。其次，由于MOSFET 栅极结构，IGBT对ESD很敏感。在操作设备时，如果不采取适当的防静电措施，可能会由于不受控制的静电放电/感应高压对设备造成灾难性的损坏。

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器件型号	数量	器件厂商	器件描述	ECAD模型	参考价格	更多信息
B82477G4333M000	1	TDK Corporation	General Purpose Inductor, 33uH, 20%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 5050, ROHS COMPLIANT	ECAD模型下载ECAD模型	$2.61	查看
BSS138K	1	Lite-On Semiconductor Corporation	Small Signal Field-Effect Transistor		$0.37	查看
VS-30TPS16-M3	1	Vishay Intertechnologies	Silicon Controlled Rectifier, SCR		$4.02	查看

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在从消费电子产品到车辆和工业设施的使用电能的应用中，Littelfuse 产品一只是重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合，并在功率控制和检测领域拥有不断发展的平台。作为其加速组织增长和战略并购公司战略的一部分，他们正不断向相邻市场扩张。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；并提供安全控制和电力分配产品。

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