由于IGBT模具的结构,压包式IGBT对压力和静电放电(ESD)都敏感。器件上的非均匀夹紧或过夹紧压力可能导致硅的直接损坏或器件操作能力的恶化。其次,由于MOSFET栅极结构,IGBT对ESD很敏感。在操作设备时,如果不采取适当的防静电措施,可能会由于不受控制的静电放电/感应高压对设备造成灾难性的损坏。
阅读全文
439
扫码加入Littelfuse电源半可能的故障模式按包应用说明
由于IGBT模具的结构,压包式IGBT对压力和静电放电(ESD)都敏感。器件上的非均匀夹紧或过夹紧压力可能导致硅的直接损坏或器件操作能力的恶化。其次,由于MOSFET栅极结构,IGBT对ESD很敏感。在操作设备时,如果不采取适当的防静电措施,可能会由于不受控制的静电放电/感应高压对设备造成灾难性的损坏。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BTA316Y-800CTQ | 1 | WeEn Semiconductor Co Ltd | Snubberless TRIAC, |
|
|
$0.73 | 查看 | |
| 39-00-0059 | 1 | Molex | Wire Terminal, LEAD FREE |
|
|
$0.05 | 查看 | |
| 1447440C | 1 | Murata Manufacturing Co Ltd | General Purpose Inductor, 470uH, 10%, 1 Element, Non-specified-Core, RADIAL LEADED, ROHS COMPLIANT |
|
|
$5.57 | 查看 |
人工客服
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件,核心产品/技术包括IXYS IGBT;在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
查看更多