ASC400N1200HPD碳化硅模块1200V400A

2025/08/26 作者：碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

1002

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

ASC400N1200HPD碳化硅模块1200V400A

966.07 KB

HPD 系列碳化硅（SiC）功率模块

1. 最高工作结温175℃；

2. 第三代模块寄生电感低于10nH，比现有模块小50%以上，降低开关损耗；

3. 参数： VDS：1200V ID：400A RDS(on) ：4mΩ

了解更多三代半碳化硅MOS与SiC模块信息，请关注微信公众号

在线预览

原创声明：本文为碳化硅MOS+模块+应用（芯片）原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

相关推荐

ASC300N1200MEP2B碳化硅模块EasyPACK适用于1500V太阳能系统和ESS应用
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
1038
2025/09/17
ASC400N1700ME3F碳化硅模块内加SiC二极管1700V400A/62mm
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
437
2025/08/27
ASC400N1200ME3碳化硅（SiC）功率模块1200V400A/62mm
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
906
2025/08/27
ASC400N1200MED碳化硅模块1200V400A/ED3
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
294
2025/08/27
ASC400N1200MD3F碳化硅模块平底板风冷散热
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
264
2025/08/26
ASC400N1700HPDL长端子6单元HPD碳化硅模块
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
917
2025/08/26
ASC600N1700ME3H碳化硅模块1700V加封碳化硅SBD
资料碳化硅MOS+模块+应用（芯片）
922
2025/08/20

方案定制

方案开发定制化，2000+方案商即时响应！

相关资料

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

研发设计碳化硅MOS管与SiC模块,芯片+模块+应用三位一体模式

微信公众号

TA的热门作品