芯耀
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一、EOS防护：现代电子设备的核心挑战-EOS
EOS（Electrical Overstress，电性过应力）是导致电子设备失效的主要原因之一，也是整个电子行业面临的一项持续挑战。EOS是指施加在器件上的电压、电流或功率超过了其最大额定承受能力，导致器件性能退化或永久性损坏。它比ESD（静电放电）的持续时间更长、能量更高，破坏性也更大。
随着芯片工艺进入纳米级，栅氧层更薄，器件对EOS的耐受能力进一步下降，使得防护设计更为关键。在日益精密的电子设备中，瞬态电压抑制二极管（TVS）作为电路保护的"安全卫士"，其性能直接关系到整个系统的可靠性。
二、传统TVS的局限性
但是传统的TVS 同样功率下，体积大（比如SMA，SMB封装）,而且VC 高，已经防护不了日益脆弱的高端的IC。我们经常会遇到这样的情况，比如浪涌300V的时候，TVS是好的，后端IC坏了，这就是传统TVS高钳位电压的弊端之一。三、MDD系列TVS的低钳位电压
MDD的SMFXX(C)AH系列TVS二极管，以其创新的低钳位电压技术，为电路保护领域带来了突破性解决方案。
与传统TVS对比如下:
该系列TVS可对电源口进行全方位防护：
该系列产品功率高达5600W，浪涌防护强，EOS防护高达350V以上，并且钳位电压远远低于传统TVS。同时兼顾了静电防护，可达接触和空气放电±30KV。而且封装为SOD-123FL小型贴片封装，满足产品的小型化要求，适合各种充电头，电动剃须刀，电动牙刷，小型蓝牙音响等各类用到USB充电技术产品的充电口要求,也可用在传统的电源口。
推荐型号
MDD的TVS采用clip先进封装工艺，有效降低应力，提高器件可靠性。MDD工厂有完整的器件生产线，从材料输入，到成品输出，有完善的质量体系，全程质量可控。
大功率低钳位电压TVS--SMFXX(C)AH系列：
| PartNumber | Marking | Direction | Vr | VBR@IT | It | Vc | Ipp | IR@VR | |
| (V) | (V)min | (V)max | (mA) | (V)max | (A) | (μA)max | |||
| SMF12AH | 12AH | Uni | 12 | 13.0 | 15.0 | 1 | 28 | 200 | 1 |
| SMF12CAH | 12CH | Bi | 12 | 13.0 | 15.0 | 1 | 28 | 200 | 1 |
| SMF15AH | 15AH | Uni | 15 | 16.0 | 19.8 | 1 | 30 | 200 | 1 |
| SMF15CAH | 15CH | Bi | 15 | 16.0 | 19.8 | 1 | 30 | 200 | 1 |
| SMF18AH | 18AH | Uni | 18 | 19.0 | 22.8 | 1 | 32 | 200 | 1 |
| SMF18CAH | 18CH | Bi | 18 | 19.0 | 22.8 | 1 | 32 | 200 | 1 |
| SMF20AH | 20AH | Uni | 20 | 21.8 | 24.7 | 1 | 32 | 200 | 1 |
| SMF20CAH | 20CH | Bi | 20 | 21.8 | 24.7 | 1 | 32 | 200 | 1 |
| SMF22AH | 22AH | Uni | 22 | 23.8 | 27.5 | 1 | 32 | 200 | 1 |
| SMF22CAH | 22CH | Bi | 22 | 23.8 | 27.5 | 1 | 32 | 200 | 1 |
| SMF24AH | 24AH | Uni | 24 | 24.8 | 30.0 | 1 | 32 | 180 | 1 |
| SMF24CAH | 24CH | Bi | 24 | 24.8 | 30.0 | 1 | 32 | 180 | 1 |
| SMF28AH | 28AH | Uni | 28 | 28.8 | 34.5 | 1 | 35 | 170 | 1 |
| SMF28CAH | 28CH | Bi | 28 | 28.8 | 34.5 | 1 | 35 | 170 | 1 |
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