解决高频电源 MOS 选型痛点，MDD辰达半导体一文讲透随着科技的发展,电子产品的设计越来越精致

随着科技的发展,电子产品的设计越来越精致，电源体积要求越来越小，为满足其更高的功率密度，各种转换器拓扑的选择与电源转换技术都是提高工作频率，减小磁性器件体积，来满足整个方案的要求。但是为了提高工作频率对MOS管有哪些要求呢？

漏源击穿电压（VDS）：需大于电源输入电压峰值，通常留1.5-2倍余量。例如，若输入电压为24V，VDS应选48V及以上，以应对电压尖峰和波动。

栅源电压（VGS）：确保驱动电路输出电压与MOS管阈值电压（VGS(th)）匹配，一般VGS(th)需低于驱动电压，且留一定余量（如驱动电压为5V，VGS(th)选2-3V）。

最大漏极电流（ID）：根据负载电流选型，ID应大于负载峰值电流，建议留1.5-2倍余量。例如，负载电流为3A，ID选5A及以上。

脉冲电流（IDM）：考虑负载启动或瞬态电流冲击，IDM需大于峰值脉冲电流。

RDS(on)越小，导通损耗越低，效率越高。高频下，RDS(on)的温度系数需稳定，避免高温时电阻大幅增加。建议选择RDS(on)在mΩ级别的MOS管，并注意其在最高工作温度（如125℃）下的阻值变化。

定义关系：Ciss = Cgs + Cgd（栅源电容+栅漏密勒电容），直接决定栅极电荷（Qg）的充放电时间。

高频开关损耗：高频下，Ciss越大，栅极驱动电路需要更大的电流（I = C·dV/dt）才能快速充放电。若驱动能力不足，会导致：

导通/关断延迟：延长开关过渡时间，增加开关损耗（如交叉导通损耗）。

开关频率上限：Ciss过高会限制电源的最高工作频率（例如>1MHz的LLC谐振拓扑）。

结电容Ciss在高频电源中直接影响效率、可靠性和成本，是选型时需优先评估的参数之一，需结合开关频率、驱动能力及拓扑结构综合考量。

栅极电荷（Qg）：Qg越小，开关速度越快，开关损耗越低。高频应用中，优先选择Qg小于50nC的MOS管。

米勒电容（CGD）：CGD影响开关速度和米勒平台损耗，应选CGD较小的MOS管，以减少开关时间。

开关延迟时间（td(on)/td(off)）：td(on)和td(off)应小于10ns，确保快速响应。

热阻（RθJA/RθJC）：选择热阻低的封装，如TO-220、TO-247等，或带有散热片的封装。若空间受限，可选DFN等小封装，但需注意散热设计。

最大功率耗散（PD）：根据电源功率和散热条件选型，PD应大于实际功耗，避免过热。

封装类型：优先选低寄生电感的封装（如SO-8FL），减少高频下的寄生参数影响。若空间紧张，可选DFN封装，但需注意爬电距离和散热。

可靠性：选择知名厂商的产品，确保长期稳定性和抗干扰能力。

MOSFET在高频场景中的应用非常广泛，主要应用于以下产品：

户外储能、充电宝、点烟器、笔记本、POS机、无人机等

升降压DC/DC

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降压DC/DC