MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET，电池管理系统BMS中的关键元器件

一、 BMS工作原理与安全机制

储能系统已成为构建新型电力系统的关键环节，而电池管理系统（BMS）在储能中承担着关键角色。

BMS的核心使命是确保电池组安全、高效、长寿。它通过实时监测电池电压、电流、温度等参数，实现三大核心保护功能：

过充/过放保护：电压超限时切断相应MOSFET回路

过流/短路保护：极短时间内（<100ms）关断放电MOSFET

过温保护：温度异常时禁止充放电操作，防止热失控。

在短路保护场景中，回路内阻极小，瞬间电流可达数百至数千安培，这对MOSFET的抗冲击能力提出极高要求。

二、MDD MOSFET在储能BMS中的关键应用

在储能BMS中，充放电控制和主动均衡是两大关键电路，都离不开高性能的MOSFET。MDD辰达半导体推出的MDDG03R04Q与MDDG04R06Q两款N沟道MOSFET， 采用先进的 SGT工艺，轻松应对BMS中的会遇到的挑战。

1.低导通内阻，带来更高效率

MDDG03R04Q的导通电阻最大仅4.3 mΩ，在正常充放电时能显著减少导通损耗，降低温升，从而提升整个储能系统的能量转换效率，这对于需要长时间运行的储能设备至关重要。

2.强大的抗浪涌能力，守护系统安全

MDDG03R04Q的连续漏极电流高达80A，脉冲电流更达300A，能够承受瞬间的巨大电流冲击，确保在故障发生时能快速、可靠地切断电路，为整个电池包筑起最坚固的安全防线。

3.更高的耐压与更低的开关损耗

MDDG04R06Q 耐压可达40V，适用于更宽的工作电压范围。

总栅极电荷 Qg 极低 (典型值 17nC)，意味着驱动损耗更低，开关速度更快，对驱动电路的要求也更低。

4.封装，节省系统空间

采用紧凑的封装PDFN3*3-8L，有助于BMS设计工程师优化PCB板布局，实现产品的小型化与高集成度。

三、选型推荐

随着储能市场向高可靠性、高效率方向发展，MOSFET作为BMS中的关键执行器件，其性能直接影响系统安全。MDD的MOSFET产品以其低内阻、高抗浪涌和优异热稳定性等特性，为储能BMS提供可靠保障，助力能源结构转型。