合肥长鑫即将量产 DRAM 内存芯片？国内第一批摆脱空白

与非网 9 月 12 日讯，本月初，紫光集团旗下长江存储正式宣布，其 64 层堆栈 3D NAND 闪存已开始量产。虽然国产 3D NAND 已经取得了突破了，但是在 DRAM 内存芯片领域，国内依然是一片空白。原本被寄予厚望的福建晋华，由于遭遇美国“禁令”，已长期处于停摆状态。

在紫光之前，我们可能看到的第一个国产内存应该是合肥长鑫公司的，他们比紫光做内存更早，该公司 2016 年成立于安徽合肥，一期工程投资就高达 72 亿美元（约合 494 亿人民币），将建设一座月产能 12.5 万晶圆的内存厂，目前工厂建设已经进入了尾声，正在进行设备安装、调试阶段。受多方影响，硕果仅存的合肥长鑫存储不得不小心翼翼，放慢节奏，强化合规，稳扎稳打。

最新消息显示，合肥长鑫的进展还跟顺利，已经提前进行机台安装，有望在 Q4 季度顺利量产国内第一批内存。

合肥长鑫的技术合作方是易兆创新，二者从去年开始共同开发 19nm 工艺的 DRAM 颗粒，并已经做出了 8Gb DDR4 的样品，并将于今年第三季度退出 8Gb LPDDR4 样品，年底正式量产，月产能将达到 2 万片晶圆，后续不断提升到 12.5 万片晶圆 / 月的目标产能。事实上，长鑫的 DRAM 内存技术依旧与奇梦达公司有着深厚的渊源。

此前在 GSA+Memory 存储峰会上，长鑫存储的董事长兼 CEO 朱一明发表了《中国存储技术发展与解决方案》主题演讲，提到了长鑫的 DRAM 内存技术来源，主要就是已破产的奇梦达公司，获得了一千多万份有关 DRAM 的技术文件及 2.8TB 数据，在此基础上改进、研发自主产权的内存芯片，耗资超过 25 亿美元。

如果年底顺利量产 19nm 工艺、8Gb 核心的内存，虽然与美光、三星等公司的第三代 10nm 工艺还有一两代的代差，但是这个技术水平还是可以的，因为市面上很多内存条也就是这个规格，用于制备单条 8GB、16GB 的内存条是 OK 的，可以说国产内存的起点是非常高的，但后续的良率、产能提升才是关键，在这个市场上赚到钱活下去并不容易。

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