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快速恢复二极管

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快速恢复二极管也常用普通二极管的图形符号来表示,用文字说明或在型号上予以区别。快速恢复二极管与普通二极管相似,但制造工艺与普通一极管有所不同。在靠近PN结处的掺杂浓度很低,以此获得较高的开关速度和较低的正向压降。它的反向恢复时间为200~750 ns,高速的可达10 ns。与肖特基二极管相比,其耐压值要高得多。它主要用作高速整流元件,在开关电源和逆变电源中作整流一极管,以降低关断损耗,提高效率和减小噪声。

快速恢复二极管也常用普通二极管的图形符号来表示,用文字说明或在型号上予以区别。快速恢复二极管与普通二极管相似,但制造工艺与普通一极管有所不同。在靠近PN结处的掺杂浓度很低,以此获得较高的开关速度和较低的正向压降。它的反向恢复时间为200~750 ns,高速的可达10 ns。与肖特基二极管相比,其耐压值要高得多。它主要用作高速整流元件,在开关电源和逆变电源中作整流一极管,以降低关断损耗,提高效率和减小噪声。收起

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    2021/04/20
  • 快速恢复二极管
    快速恢复二极管(Fast Recovery Diode)是一种特殊类型的二极管,其主要设计用于高频和高效率的电力转换应用。在现代电子学领域中,快速恢复二极管扮演着关键的角色,广泛应用于交流-直流变换器、逆变器、开关稳压器等电路中。