浪涌抑制晶闸管_浪涌抑制晶闸管是什么意思

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浪涌防护静电防护
 10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案

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2024/07/26

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浪涌防护静电防护
 百兆/千兆以太网口ESD静电浪涌保护方案

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2024/07/26

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浪涌防护静电防护
 RS485/RS232静电浪涌防护方案（一）

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2024/06/19

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ESD中HBM、MM、CDM模型区别与不同领域设计应用指南
因近期很多工程师朋友想了解HBM、MM、CDM有什么区别？想弄明白先看下名字， HBM（Human Body Model）、MM（Machine Model）和CDM（Charged Device Model）是三种用于评估集成电路（IC）静电放电（ESD, Electrostatic Discharge）标准模型。它们模拟了不同场景下静电放电对芯片造成的损害，因此在芯片设计、封装和制造过程中都具

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HBM TVS二极管
一文搞懂ESD TVS技术原理与选型应用指南
1、ESD TVS 技术原理与分类 1.1 ESD与TVS核心区别与工作原理 ESD （ElectroStatic Discharge Protection，简称ESD）静电放电瞬态电压抑制二极管专为静电放电（ESD）（如人体接触）设计的半导体保护器件，其核心工作机制基于 PN 结的雪崩击穿效应。正常工作时，PN 结处于高阻态，仅有微弱的漏电流通过（通常为 nA 级），不会干扰电路的正常运行。当

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2025/12/12

瞬态电压抑制器瞬态抑制二极管
纳秒响应+5000A浪涌保护：华悦芯P1900MEL晶闸管守护多领域电子设备安全！
现代电子设备面临浪涌保护新挑战如今的电子设备工作环境越来越复杂，电力不稳、雷击风险、负载突变等情况时有发生。一个瞬间的高压浪涌就可能导致精密设备损坏、系统停机，甚至造成重要数据丢失。特别是在5G通信、新能源、智能电网等新兴技术快速发展的背景下，电子系统对浪涌保护装置的要求越来越高——不仅要“反应快”，还要能“扛得住”。浪涌保护装置需要抗住更大的浪涌冲击，同时还要保证长期运行的可靠性。面对这些挑

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2025/09/15

瞬态电压抑制器瞬态电压抑制二极管
开关上下电压不同的原因
开关上下电压不同，通常是由于以下几个原因引起的： 1、开关接触不良开关内部的接触点可能出现氧化、磨损或松动，导致接触电阻增大。当开关闭合时，电流通过接触点的电压降变大，使得开关上下两端的电压不一致。 2、开关内置的电弧效应在开关操作过程中，特别是在切换高电压或大电流时，开关内可能会产生电弧。电弧产生的电压降会导致开关两端的电压不同。电弧效应也可能损坏开关，导致接触不良。 3、电源问题

库克库伯电容器

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2024/08/12

无功补偿开关
TSS管
TSS管，全称为"Thyristor Surge Suppressor"（晶闸管浪涌抑制器），是一种特殊类型的电力保护器件，常用于电路中用于防止过电压和浪涌电流对设备和系统造成损坏。TSS管通过利用晶闸管特有的导通特性来吸收电路中的浪涌能量，并将其分散或耗散，保护系统免受电压尖峰和浪涌的影响。本文将介绍TSS管的工作原理、结构、特点、优势以及在电力系统中的应用领域。

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2025/08/18

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