10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案

东沃电子10G（万兆）太网口ESD静电浪涌保护方案，如下图：

从10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产、销售的半导体放电管DWOS4-100/400AD、ESD静电保护二极管DW05DTF-B（DFN1006-2L封装）。东沃电子技术团队设计的10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案满足IEC61000-4-510/700μs 40Ω DM:0.5KV CM:6KV。

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