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扫码加入10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案.docx
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东沃电子10G（万兆）太网口ESD静电浪涌保护方案，如下图：
从10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案图中可以看出，电路保护器件选用的是东沃自主研发、生产、销售的半导体放电管DWOS4-100/400AD、ESD静电保护二极管DW05DTF-B（DFN1006-2L封装）。东沃电子技术团队设计的10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案满足IEC61000-4-510/700μs 40Ω DM:0.5KV CM:6KV。
想了解更多有关10G（万兆）以太网口ESD静电浪涌保护方案、ESD静电保护二极管型号、参数、特性、规格书及应用，欢迎与东沃电子沟通交流：136 7581 6901（微信同号）朱工！方案设计、EMC测试、样品供应、器件定制，东沃电子一站式为您服务！
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NLV25T-1R0J-PF | 1 | TDK Corporation | General Purpose Inductor, 1uH, 5%, 1 Element, Ferrite-Core, SMD, 1008, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT |
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$0.42 | 查看 | |
| 51021-0200 | 1 | Molex | Board Connector, 2 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, 0.049 inch Pitch, Crimp Terminal, Locking, Receptacle, |
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$0.22 | 查看 | |
| IPW65R080CFDAFKSA1 | 1 | Infineon Technologies AG | Power Field-Effect Transistor, 43.3A I(D), 650V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247, GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
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$14.51 | 查看 |
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