碳化硅MOSFET

基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度、小型化方向发展。但随着开关速度的提高，电路中寄生参数的影响越来越大，导致桥式变换器存在严重的串扰问题。文中根据 SiC 金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)的工作特性，在 RCD(电阻-电容-二

800V HVDC是新一代AI数据中心高压直流供电技术，通过提升电压等级实现能效跃升，已成为英伟达等科技巨头推动的行业标准方案。 为什么是800V HVDC、为什么是碳化硅MOSFET，以及两者结合为AI数据中心带来的核心优势三个方面进行详细分析。 一、 背景：AI数据中心面临的挑战与800V HVDC的必然性 传统的AI数据中心普遍采用480V交流或48V直流配电。但随着AI算力（特别是GPU集

采用多芯片并联的方法可提高 sic MOSFET 功率模块的应用电流等级，但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致，这将影响功率模块的可靠性 建立了典型的三芯片并联半桥模块电路模型，分别改变功率回路和驱动回路的杂散参数并计算其不均衡度，使用双脉冲测试方法测试相应的开、关电流，计算其电流不均衡度。研究了模块内部各杂散参数对多芯片并联均流能力的影响，结果表明，功率模块的瞬态均流能力受

碳化硅MOSFET因其独特的性能优势，如宽带隙、高击穿电场强度、快速开关速度等，在电力电子、光伏逆变器和高频电子等领域广泛应用。本文介绍了碳化硅MOSFET的基本特性和主要应用场景。 **碳化硅MOSFET的主要特点：** - **宽带隙**：提供更高的工作温度和更低的导通电阻。 - **高击穿电场强度**：增强器件的耐压能力和可靠性。 - **快速开关速度**：适合高频操作，减少开关损耗。 - **低导通电阻**：在高温下保持较低的导通电阻，利于节能和散热。 - **快速恢复性能**：体二极管恢复速度快，减少开关损耗。 **应用场景：** - **电力电子**：提高器件的功率密度和效率。 - **光伏逆变器**：改善系统性能和稳定性。 - **高频电子**：适用于高频开关应用，简化被动元件设计。 **驱动电路设计要点：** - 使用驱动能力较强的驱动芯片。 - 减少驱动电路寄生电感的影响。 - 采用负压关断以避免噪声干扰。 - 配备退饱和保护、故障信号反馈等功能。 **结论：** 碳化硅MOSFET凭借其卓越的性能，成为现代电子设备的理想选择，尤其在高频和高功率应用中展现出显著优势。合理设计驱动电路是充分发挥其潜力的关键。

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