碳化硅MOSFET_碳化硅MOSFET是什么意思

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设计资料

ASC60N1200MT3Hi 碳化硅MOS低压降VF：1.55V

碳化硅MOS+模块+应用（芯片） 1.31 MB
361

02/09 09:24
碳化硅MOSFET
ASC100N1200MT3Hi 碳化硅MOS低压降VF：1.42V

碳化硅MOS+模块+应用（芯片） 1.30 MB
305

02/09 09:23
碳化硅MOSFET
ASC120N1700MT4LG碳化硅1700V120A(14mΩ),驱动电压兼容+15/18V。

碳化硅MOS+模块+应用（芯片） 810.59 KB
1335

01/22 13:17
碳化硅 MOS 碳化硅MOSFET
ASC150N1200MT4G碳化硅MOS：1200V10mΩ(150A)驱动电压兼容+15/18V

碳化硅MOS+模块+应用（芯片） 2.01 MB
447

01/22 13:16
SiC MOSFET 碳化硅MOSFET
ASC100N1700MT4L碳化硅MOS:1700V100A

碳化硅MOS+模块+应用（芯片） 1.66 MB
1916

01/20 12:53
碳化硅MOSFET

文章

大功率储能PCS 设计
在此研制了一款500kW 大功率储能功率变换系统(PCS) 。给出PCS 的硬件系统结构，介绍控制系统硬件、主电路拓扑、三相逆变桥构成和辅助电源供电。在PCS 三相逆变电路数学模型基础上，提出一种定频直接功率控制策略，在两相静止坐标下实现有功和无功功率的瞬时控制。制作实验样机并搭建全控整流平台模拟电池，样机具有较高功率密度，对研制样机进行实验分析，验证所研制PCS 的性能。光伏、风电等新能

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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01/07 15:26

DC-DC SiC功率模块
800V平台车载充电系统 PFC设计
电动汽车产业进入规模化快速发展新阶段, 充电基础设施匮乏及充电速度慢等问题日益突出,提升充电功率, 兼容充电设施成为焦点. 文章对800V电压平台三相车载充电系统功率因数校正电路 (PowerFactorCorrection, PFC)进行设计分析, 旨在提升慢充功率及兼容性, 并对充电模式和放电模式进行仿真分析, 在某车型上制作样机验证, 最终得出一种适合车载单相/三

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

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01/05 10:41

新能源汽车碳化硅MOSFET
碳化硅MOS开尔文源TO-247-4S封装的Driver Source和Gate设计更细优势
碳化硅MOSFET四脚封装（典型如TO-247-4或类似封装）中将Driver Source和Gate引脚特意设计得更细，这是一个精妙的工程优化，其好处和设计意图主要集中在 “增强开关性能”和“提高系统可靠性” 上。简单来说，故意将驱动回路（Kelvin源极）的引脚做细，是为了引入一个可控的、微小的寄生电感，从而隔离高频驱动回路和主功率回路，抑制有害的栅极振荡和电压尖峰。（在实际设计中遇到栅极

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

1968

2025/12/27

碳化硅MOSFET 功率因数校正
多家SiC企业订单/交付捷报频传
临近年底，多家SiC企业取得新进展：晶盛机电交付12英寸单片式碳化硅外延生长设备给瀚天天成；国基南方碳化硅MOSFET系列产品获得国际客户批量订单；芯塔电子成功向华南某大型光伏电站批量供应碳化硅MOSFET。这些进展展示了国内SiC企业的技术创新和市场拓展能力。

行家说三代半

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2025/12/25

SiC 碳化硅MOSFET
碳化硅MOS新型负压关断驱动设计
基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度、小型化方向发展。但随着开关速度的提高，电路中寄生参数的影响越来越大，导致桥式变换器存在严重的串扰问题。文中根据 SiC 金属–氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxidesemiconductor field-effect transistor，MOSFET)的工作特性，在 RCD(电阻-电容-二

碳化硅MOS+模块+应用（芯片）

2621

2025/12/02

SiC MOSFET SiC功率模块

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