SiC功率模块

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  • 利普思:扬州产线开工建设,加速布局电网和算力中心
    3月底,无锡利普思半导体有限公司迎来发展史上两大重要里程碑: 利普思扬州生产基地开工仪式在扬州市江都经济开发区隆重举行:项目总投资10亿元,年产能可达300万只;预计2027年3月达产,可同时满足50万辆新能源汽车和50GW新能源配套需求。 2026战略峰会圆满收官:利普思与多家行业龙头企业达成战略合作,并重磅发布4款SiC新模块。 这两大事件并行推进,不仅意味着利普思迈入发展新阶段,也印证了国产
  • 年产达百万只,无锡高新区新增车规级SiC功率模块项目
    据“无锡高新区在线”官方发布消息,1月9日,基本半导体车规级第三代半导体研发制造总部基地项目已正式签约落户,此次签约的总部基地项目将重点围绕产业链能力提升和产能扩充展开布局。
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  • 碳化硅器件雪崩和高dV/dt烧MOS的可能原因分析
    绝大多数商用碳化硅MOSFET被设计为不具备雪崩能力,且不应在其数据手册规定的最大额定电压VDSS之外工作。 这与传统的硅基功率MOSFET有根本性的区别。 详细解释与分析: 1. 硅 vs. 碳化硅的设计哲学 硅MOSFET:为了在硅材料上实现低导通电阻Rds(on),通常需要增加芯片面积,这会导致成本上升和开关性能下降。因此,许多硅MOSFET被设计为允许一定程度的雪崩击穿,作为一种“牺牲性能
  • 碳化硅模块 CE/GE震荡原因及对策
    碳化硅(SiC)MOSFET在开关过程中产生的 CE(Collector-Emitter,即漏-源极)震荡 和 GE(Gate-Emitter,即栅-源极)震荡 是常见的动态问题,主要由以下原因引起: 一、CE震荡(漏-源极电压/电流震荡) 现象:在开关过程中,Vds 和 Id 出现高频衰减振荡。根本原因:寄生电感和寄生电容形成LC谐振电路。 主要原因及对策: 回路寄生电感(关键因素)PCB 走线
  • 大功率储能PCS 设计
    在此研制了一款500kW 大功率储能功率变换系统(PCS) 。给出PCS 的硬件系统结构,介绍控制系统硬 件、主电路拓扑、三相逆变桥构成和辅助电源供电。在PCS 三相逆变电路数学模型基础上,提出一种定频直接 功率控制策略,在两相静止坐标下实现有功和无功功率的瞬时控制。制作实验样机并搭建全控整流平台模拟 电池,样机具有较高功率密度,对研制样机进行实验分析,验证所研制PCS 的性能。 光伏、风电等新能