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SiC功率模块

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  • 固态变压器SST主流架构及核心功率器件碳化硅（SiC）决策选型
    固态变压器（SST）是一种利用电力电子器件和高频变压器实现电压变换和电气隔离的新一代智能电力设备。它通过将工频交流电转化为高频电，再经过小型高频变压器进行隔离变压，最终还原为工频电。主要优点包括体积重量大幅减小、具备电气隔离和电能调控能力，并且兼容交直流电网。 主流拓扑结构为三级式，包含AC-DC整流级、DC-DC隔离级和DC-AC逆变级。整流级采用多电平PWM整流器实现功率因数校正和稳压；隔离级通过双有源桥DAB或谐振LLC变换器实现高频隔离和电压变换；逆变级则将低压直流逆变为工频交流电，支持功率双向流动。 针对中压10kV/35kV场景，三级式AC-DC-DC-AC架构是最常见的工程框架，具有强解耦、模块化、容错能力强等特点。具体选型时，应重点关注器件匹配、拓扑选择和工程落地要点，以确保系统的可靠性、成本和供应链稳定性。
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  • 利普思：扬州产线开工建设，加速布局电网和算力中心
    3月底，无锡利普思半导体有限公司迎来发展史上两大重要里程碑： 利普思扬州生产基地开工仪式在扬州市江都经济开发区隆重举行：项目总投资10亿元，年产能可达300万只；预计2027年3月达产，可同时满足50万辆新能源汽车和50GW新能源配套需求。 2026战略峰会圆满收官：利普思与多家行业龙头企业达成战略合作，并重磅发布4款SiC新模块。 这两大事件并行推进，不仅意味着利普思迈入发展新阶段，也印证了国产
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    据“无锡高新区在线”官方发布消息，1月9日，基本半导体车规级第三代半导体研发制造总部基地项目已正式签约落户，此次签约的总部基地项目将重点围绕产业链能力提升和产能扩充展开布局。
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    绝大多数商用碳化硅MOSFET被设计为不具备雪崩能力，且不应在其数据手册规定的最大额定电压VDSS之外工作。 这与传统的硅基功率MOSFET有根本性的区别。 详细解释与分析： 1. 硅 vs. 碳化硅的设计哲学 硅MOSFET：为了在硅材料上实现低导通电阻Rds(on),通常需要增加芯片面积，这会导致成本上升和开关性能下降。因此，许多硅MOSFET被设计为允许一定程度的雪崩击穿，作为一种“牺牲性能
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  • 碳化硅模块 CE/GE震荡原因及对策
    碳化硅（SiC）MOSFET在开关过程中产生的 CE（Collector-Emitter，即漏-源极）震荡 和 GE（Gate-Emitter，即栅-源极）震荡 是常见的动态问题，主要由以下原因引起： 一、CE震荡（漏-源极电压/电流震荡） 现象：在开关过程中，Vds 和 Id 出现高频衰减振荡。根本原因：寄生电感和寄生电容形成LC谐振电路。 主要原因及对策： 回路寄生电感（关键因素）PCB 走线
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