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基于碳化硅的双向PCS设计
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Sic与IGBT特性对比研究(基于双脉冲实验的)
SiC功率器件的应用要求对SiC半导体器件本身结构性能及工作特性等有系统认识和研究,其相关工作在国内才刚起步。通过搭建双脉冲实验平台,对SiC功率器件驱动工作特性进行实验研究,进行双脉冲测试, 实现530 A大电流驱动关断实验。与IGBT模块的双脉冲测试结果对比,SiC功率器件比IGBT器件开关速度更快,开关损耗更小,续流管反向特性好,反向恢复电流更小。此外,针对SiC功率器件关断时的涌浪电压问题
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SiC MOSFET高效又安全 选好栅极驱动器很重要
SiC MOSFET高效又安全,选好栅极驱动器很重要 隔离驱动在新能源应用中扮演了非常重要的角色,将直接或间接影响新能源产品的安全性、可靠性、寿命、效率以及成本等,本期从5个方面解读隔离驱动的重要参数; 1.安规方面 2.时间相关的介电击穿(TDDB) 3.共模瞬态抗扰度(CMTI) 4.传输延时(Tpd) 5.驱动能力(Isink&Isource) 1.安规方面 隔离耐压(Viso) 隔
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南京IGBT/SiC功率模块项目投产,年产250万只
4月23日,丹佛斯动力系统官方宣布,他们的南京功率模块园区正式启用,总投资超8亿元,可年产IGBT/SiC功率模块250万只,电机及电驱动产品10万套。
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高效、紧凑SiC功率模块趋势下,TDK如何重构新能源“心脏”?
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