DDR5

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DDR5是一种计算机内存规格。与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。

DDR5是一种计算机内存规格。与DDR4内存相比,DDR5标准性能更强,功耗更低。其它变化还有,电压从1.2V降低到1.1V,同时每通道32/40位(ECC)、总线效率提高、增加预取的Bank Group数量以改善性能等。目前还没有正式支持DDR5内存的平台,AMD预计会在2021年的Zen4处理器上更换插槽,支持DDR5内存,而Intel这边14nm及10nm处理器都没有明确过DDR5内存支持,官方路线图显示2021年的7nm工艺Sapphire Rapids处理器才会上DDR5,而且是首发服务器产品,消费级的估计还要再等等。收起

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  • 技术资料:KSTB一体成型电感在DDR5应用中的性能表现与选型建议
    随着AI技术的快速发展,CPU核心数量不断增加,数据处理需求呈指数级增长,传统DDR4内存的带宽和能效已逐渐成为系统性能的瓶颈。DDR5作为下一代内存标准应运而生,旨在满足数据中心、高性能计算及高端计算机对更高速度和更大容量的迫切需求。而新一代存储技术的变革与发展,对电感器的产品尺寸、电气性能等也提出了更高的要求。 一、DDR5对电感器的需求 DDR5 是第五代双倍数据率内存技术的缩写。它是计算机
  • 一文读懂DRAM之DDR4 和 DDR5的不同
    本文介绍了DRAM和DDR的基本概念及其发展。DRAM是一种动态随机存取存储器,依靠电容存储电荷表示0/1,并且需要周期性刷新。DDR则是双倍数据率SDRAM,能够在同一个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据。 文章详细比较了DDR4和DDR5的关键区别,包括速率、电压、通道结构、Bank数量、单条容量、PMIC位置和ECC机制等方面。DDR5相比DDR4具有更高的频率、带宽、通道并行度、电压降低和更复杂的电源管理特性。 此外,文章还探讨了DDR5在信号完整性、电源管理和可靠性方面的挑战,以及其在封装和模组上的差异。最后,针对工程应用提出了何时选择DDR4还是DDR5的建议,强调了带宽需求和平台代际更新的重要性。
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    11/28 10:03
    一文读懂DRAM之DDR4 和 DDR5的不同
  • 研报 | DRAM供应吃紧推高DDR5合约价,2026年获利有望超越HBM3e
    TrendForce集邦咨询预测2025年第四季Server DRAM合约价将上涨18-23%,并有望继续上调。2026年Server整机出货量增长4%,单机DRAM搭载容量提高,推动整体需求超出预期。DDR5合约价全年上涨,而HBM3e则面临降价压力。随着DDR5价格上升,两者价差缩小,预计2026年起DDR5获利超越HBM3e。
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  • 德明利亮相GITEX 2025,以智能存储加速全球化布局
    /美通社/ -- 2025年10月13日,全球科技盛会GITEX GLOBAL 2025在阿联酋迪拜世界贸易中心开幕。德明利携全栈定制化消费级存储产品与解决方案亮相,以创新存储技术赋能AI与高性能计算,加速全球化布局,助力人工智能生态发展。 TWSC at GITEX GLOBAL Show 2025 AI驱动新蓝海,中东市场迎来机遇 在AI驱动的全球数字化浪潮下,消费电子正成为存储市场增长新引擎
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  • DDR4和DDR5内存管理机制中,如何提高内存的利用率?
    DDR4和DDR5内存利用率优化涉及硬件配置、系统设置和软件策略。首先,理解DDR4和DDR5的关键架构特性,如Bank Group设计和双独立子通道。硬件方面,启用多通道和交错访问,合理配置时序参数。操作系统和软件层面,优化数据访问模式,使用大页内存,减少内存碎片。最后,监控内存使用情况并进行稳定性测试。
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    09/27 10:25
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  • DDR4和DDR5的内存管理机制
    DDR4 和 DDR5 的内存管理机制在架构、电源管理、错误校正等方面有显著差异。下面详细解析它们的关键特性与运作方式。
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    09/24 09:51
  • DDR4和DDR5内存管理机制中,如何优化数据传输效率?
    DDR4和DDR5内存优化涉及硬件设计、控制器策略及系统级协同。关键优化包括Bank Group设计、预取机制、调度策略、时序参数调整、信号完整性优化及系统软件级优化。DDR5进一步增强并行性,增加Bank数量和独立子通道;预取位数提升至16n,突发长度扩展至BL16;时序参数调整和信号完整性优化;系统级优化如内存交错访问、数据对齐和大页内存配置。
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  • DDR5数据信号的长STUB要背钻吗?
    本文探讨了不同速率下长stub对DDR4、DDR5和LPDDR5数据信号的影响。结果显示,低速信号(≤8Gbps)中长stub效果较好;但在高速信号(≥6400Mbps)中,短stub表现更优,长stub可能导致眼高和眼宽下降。因此,PCB设计应考虑使用短stub层,并在必要时进行背钻以保证信号完整性。
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  • 技术更替下,DRAM市场跌宕风波“四”起
    近日,全球DRAM市场正陷于跌宕起伏的浪潮之中。CFM闪存市场的最新报告显示,2025年年初至今,DRAM市场综合价格指数已攀升47.7%,其中6月单月涨幅高达19.5%。导致该现象的关键因素之一是三大DRAM内存原厂相继宣布,旗下以DDR4和LPDDR4X为代表的老款产品即将EOL(生命周期结束),引发市场对这些产品积极备货,进而从2024年下半年的供应过剩状态急速转向2025年上半年的供不应求,其价格甚至反超了作为当下主流产品的DDR5产品,预计2025年第三季度将成为新旧世代交替的关键节点。
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    07/31 09:30
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  • 《元器件动态周报》——DDR4价格失控加速DDR5市场渗透
    核心观点 DDR4价格失控与供应缺口推动DDR5/LPDDR5X渗透率跃升,AI终端升级持续拉动高性能存储需求。 封装资源短缺+产能转向高端产品,低容量芯片(LPDDR4X、小容量NAND)紧缺或持续至2026年。 DDR4泡沫将破,LPDDR4X因刚性需求维持涨势,三季度原厂全面提价策略明确。 三大维度解读存储器件最新供需动态 市场需求分析 7月,四方维商品动态商情存储需求指数环比下降11.68
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    07/14 13:29
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  • 国产ASIC芯片双线突围:攻坚AI主控,竞逐90%增速的千亿配套市场
    从主控到电源,国产芯片关键势力崛起,打响AI定制化战役。
  • 长鑫量产DDR5存储芯片
    不久前,长鑫存储发布针对服务器及 PC 应用的 DDR4 发布产品结束通知,预计最晚在 2026 年上半年正式停止供货,未来将不再开发标准 DDR4 产品,仅保留部分产线保障消费市场的 DDR4 产品供应,其重心将转至 DDR5 及高带宽内存(HBM)领域。
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    06/19 10:45
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  • Bourns 全新推出两款屏蔽功率电感器系列 专为 DDR5 电源管理电路开发
    全新系列采用奈米晶磁芯构造,具备高性能特性,并拥有低 ACR/DCR,可降低损耗并提供高效率,符合 DDR5 规范 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商,全新推出 SRP2512CL 和 SRP3212CL 系列屏蔽功率电感器。这两个全新系列具备低交流阻抗 (ACR) 与低直流内阻 (DCR),可有效降低能量损耗并提升效率。Bourns 特别针对最新的 DDR5 内
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    06/16 14:18
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  • AI PC爆发前夜,高性能内存如何突破性能天花板?
    AI 的快速发展正在重塑 PC 市场,对内存带宽和容量的需求将持续加速增长。由先进内存接口芯片组驱动的高性能 LPDDR5 和 DDR5 内存模块,将成为释放 AI 巨大潜力的关键所在。
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    05/27 17:55
  • V-COLOR推出全球首款 DDR5 OC RDIMM RGB
    全球高效能记忆体创新领导品牌 v-color Technology Inc. 推出业界首款 DDR5 OC RDIMM RGB 记忆体模组。此革命性产品专为重新定义工作站与专业运算效能而设计,单条容量从 16GB 起,并提供高达 64GB 单条或 512GB(64GBx8)套件组合,支援最高 8000MT/s 的惊人速度。 v-color 更推出全新超低时序 CL26 的 RDIMM 规格,专为
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    05/08 17:47
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  • Cadence推出突破性DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 内存 IP 系统解决方案
    高性能数据中心和企业内存解决方案现已上市,欢迎客户垂询合作 楷登电子(美国 Cadence 公司,NASDAQ:CDNS)近日宣布率先推出基于台积公司 N3 工艺的 DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2 内存 IP 解决方案。该新解决方案可满足业内对于更大内存带宽的需求,能适应企业和数据中心应用中前沿的 AI 处理需求,包括云端 AI。Cadence® DDR5 MRDIMM IP
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  • 内存拆解报告:光威龙武 · 奕 32GB 6000MHz DDR5内存
    近年来,新平台已经由DDR4内存升级到DDR5内存,简单来说,DDR5内存具备更低的功耗,更高的频率,以及更高的带宽,能够更好的满足包括AI在内的高性能计算需求,从而成为市场的主流。并且DDR5内存现已推出单条64GB规格,对大内存容量需求更加友好。
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  • 科摩思天河玄女DDR5 RGB内存高度适配AMD平台
    国产存储品牌KEYMOS科摩思发布天河玄女DDR5 RGB灯条,提供6000MT/s CL28超低时序,此内存产品高度适配AMD平台,并支持AMD EXPO及Intel XMP 3.0双超频协议,助力游戏玩家、内容创作者及专业用户突破性能瓶颈。 KEYMOS科摩思天河玄女DDR5内存条产品图 特挑海力士A-die颗粒 天河玄女DDR5 RGB内存条【特挑海力士A-die颗粒,其6000MT/s C
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    04/24 07:05
    科摩思天河玄女DDR5 RGB内存高度适配AMD平台
  • 科摩思DDR5内存条荣获智臻科技年度黑马称号
    2024年下半年,DIY硬件市场迎来了两大处理器巨头的巅峰对决,AMD锐龙9000和Intel酷睿Ultra系列处理器的发布,其内存频率也得到进一步提升,DDR5内存成为DIY玩家的首选。 KEYMOS科摩思承影机甲DDR5产品图 针对大众游戏玩家打造的存储模组产品,科摩思去年9月发布DDR4和DDR5规格的承影机甲马甲条,其针对AMD平台推出6000MT/s超低时序的CL28产品,同时也为Int
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    02/17 07:05
  • 科摩思继年度黑马再获大陆内存市场杰出新锐品牌
    科摩思以“南天门计划问天战甲”为设计理念推出面向主流用户的承影机甲马甲条系列和针对高端游戏玩家的天河玄女和赤霄白帝RGB灯条系列产品。其承影机甲DDR5内存条凭借出色的性能表现成为市场爆款产品,该产品被太平洋智臻科技评为“年度内存黑马”,而科摩思更是被博板堂评为“大陆内存市场杰出新锐品牌”。 KEYMOS科摩思大陆内存产品市场杰出新锐品牌奖杯图 作为超盈智能科技旗下品牌,科摩思充分依托母公司14年
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    02/17 07:04
    科摩思继年度黑马再获大陆内存市场杰出新锐品牌

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