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GaN器件

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  • 富特募资5.28亿,将建GaN OBC等项目
    富特科技计划募资5.28亿用于GaN器件新能源车载电源集成产品研发,目标是提高功率密度至6kW/L,OBC平均效率达96.5%,并降低无源器件尺寸,助力国内能源车载电源系统行业发展。
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  • 事关8英寸!2家GaN企业实现新突破
    致能半导体实现8英寸蓝宝石基氮化镓器件量产,新微半导体发布低压GaN工艺平台,多家氮化镓企业展示技术进展与合作机会。
    事关8英寸!2家GaN企业实现新突破
  • 功率氮化镓市场,迎来黄金时代
    氮化镓(GaN)作为第三代半导体的核心材料,正引领全球科技产业向高效能、低功耗转型。自2025年以来,GaN器件市场快速增长,预计到2030年市场规模将达到约30亿美元,年复合增长率高达42%。中国氮化镓产业从技术验证期迈向规模化商用阶段,头部上市公司通过技术创新与精准布局,推动全球氮化镓竞争话语权提升。GaN器件在消费电子、数据中心、汽车和工业等领域广泛应用,展现强劲的增长潜力。随着8英寸晶圆技术的推进和新材料、新结构的创新,GaN技术将迎来更多应用场景的规模化应用。
    功率氮化镓市场,迎来黄金时代
  • 安森美:已向客户提供垂直GaN器件
    安森美半导体推出垂直氮化镓(vGaN)产品,面向汽车及人工智能领域客户测试700V和1200V器件样品。该技术采用GaN-on-GaN技术,具有更高耐压能力和能效表现,适用于高功率应用场景。公司正研发第二代产品,预计2027年开始产生收入。
    安森美:已向客户提供垂直GaN器件
  • GaN市场,蓄势待发
    台积电宣布停止GaN芯片代工,转向先进制程产能布局,GaN市场却持续增长。GaN因其优越特性广泛应用于数据中心、人形机器人和汽车等领域。尽管面临成本和技术挑战,GaN器件的成本有望下降,未来可能超越SiC器件。
    GaN市场,蓄势待发