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为提升获利,DRAM三巨头“分道扬镳”
三星电子计划减产HBM3E以扩大通用DRAM供给,SK海力士侧重扩大数据中心DRAM产能,美光则退出Crucial消费类存储业务,转投数据中心/企业级需求。
芯智讯
754
12/09 09:31
dram
HBM3E
三星通用内存扩产,砍HBM3E产能
三星电子正考虑大幅削减其10纳米制程的第四代(1a)DRAM芯片HBM3E的产能。鉴于公司明年将“利润最大化”作为全公司目标,三星计划将生产重心转向通用DRAM,因为通用DRAM的利润率高于HBM3E。虽然1a DRAM已经过重新设计,但三星认为其利用率仍然较低,因此决定减产。
芯片说 IC TIME
471
12/03 09:35
HBM3E
DRAM供应吃紧推高DDR5合约价,2026年获利有望超越HBM3e
2025年第四季Server DRAM合约价受惠于全球云端供应商(CSP)扩充数据中心规模,涨势转强,并带动整体DRAM价格上扬。尽管第四季DRAM合约价尚未完整开出,供应商先前收到CSP加单需求后,调升报价的意愿明显提高。TrendForce集邦咨询据此调整第四季一般型(Conventional DRAM)价格预估,涨幅从先前的8-13%,上修至18-23%,并且很有可能再度上修。 展望2026
与非网编辑
576
10/30 07:08
dram
HBM
三星又向博通供应HBM3E
继AMD之后,三星电子正向博通供应第五代高带宽存储器(HBM)。今年第一季度,三星电子在向NVIDIA供应HBM方面,将全球DRAM销量冠军宝座拱手让给了SK海力士,但凭借一系列大型科技订单,三星电子已为复苏奠定了基础。如果三星电子能够顺利获得NVIDIA的认证(批准),而这是其今年下半年面临的最大挑战,预计存储器“超缺口”的收复也将加速。
芯片说 IC TIME
424
06/19 09:57
HBM
HBM3E
三星高管赶赴英伟达总部,将敲定HBM3E订单
尽管美国政府对华实施制裁,NVIDIA 在今年第一季度(财年 2 月至 4 月)仍取得了令人惊喜的业绩。据悉,三星电子内存部门的主要高管近日集体前往 NVIDIA 美国总部出差。据推测,此举旨在敲定三星电子的高带宽内存 (HBM) 批量供应。
芯片说 IC TIME
853
06/03 15:39
三星电子
HBM3E
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