芯耀
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三星电子正考虑大幅削减其10纳米制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能。鉴于公司明年将“利润最大化”作为全公司目标，三星计划将生产重心转向通用DRAM，因为通用DRAM的利润率高于HBM3E。虽然1a DRAM已经过重新设计，但三星认为其利用率仍然较低，因此决定减产。
一位知情人士透露：“我们内部正在讨论将30%至40%的1a DRAM产能转换为10纳米制程的第五代（1b）DRAM。加上对成熟制程（如1z）的投资，我们将确保每月新增8万片1b DRAM晶圆的产能。”
三星电子的1b DRAM用于生产DDR5、LPDDR5X和GDDR7等通用DRAM。这些产品线近期面临供应短缺，导致价格大幅上涨。三星电子目前仅销售HBM3E产品，少数老款产品除外。该公司正积极减少HBM3E产品的销售，并专注于扩大通用DRAM的产能。
一位代表表示：“公司内部有强烈的趋势，力争明年取得卓越的外部业绩。我们的关键目标是实现比SK海力士更高的营业利润，并在盈利能力方面明显超越他们。”该代表补充道：“因此，我们正致力于实现DRAM产量的高速增长（与近期半导体行业的复苏趋势相符），并计划将大部分产能分配给利润率更高的通用DRAM。”
近年来，两家公司之间的盈利差距日益显著。去年，三星电子DS事业部实现营业利润15.1万亿韩元，而SK海力士则达到23.467万亿韩元。预计今年两家公司的营业利润将分别达到23.6万亿韩元和43万亿韩元。2023年，在半导体行业低迷时期，三星电子DS事业部录得14.8795万亿韩元的营业亏损，几乎是SK海力士（7.7303万亿韩元）的两倍。
三星电子的HBM3E 12层产品预计营业利润率约为30%，良率也显著提高。然而，通用DRAM（例如DDR5）的营业利润率预计可达60%以上，因此扩大HBM3E产能的需求并不迫切。此外，业内人士预测，从明年开始，HBM3E 12层产品的年均售价将下降30%以上。三星电子目前的产品价格已比SK海力士低30%，这可能会进一步提升其盈利能力。
该公司未能从其最大的HBM客户NVIDIA获得显著的销售额也对其造成了影响。尽管三星电子在今年下半年加入了NVIDIA的HBM3E供应链，但其供应量仍然有限。这是因为NVIDIA已经从SK海力士和美光获得了充足的供应，并计划从明年开始将其主要产品过渡到HBM4。
一位半导体行业内部人士解释说：“明年英伟达的HBM3E供应链占比将仅为个位数百分比。鉴于HBM3E与通用DRAM之间存在巨大的利润差距，目前生产HBM3E是亏损的。他们基本上只是勉强通过了HBM3E的认证测试，因此非常重视通过测试。”
三星电子目前除了向英伟达供应HBM3E外，还向AMD、博通和谷歌等主要科技公司供应HBM3E。AMD计划从明年开始主要使用HBM4，但博通和亚马逊等ASIC公司预计仍将继续需要HBM3E。如果三星电子减少HBM3E产能，这将不可避免地影响其供应链。一位消息人士补充道：“如果美光科技由于重新设计问题在HBM4市场竞争力下降，明年继续将HBM产能集中于HBM3E，则可能从ASIC客户那里获得更多订单。”
与此同时，三星电子对其下一代产品HBM4的产能投资保持谨慎态度。三星电子计划在其现有1C DRAM产能（目前为每月2万片晶圆）的基础上，每月投资约8万片晶圆，并将现有成熟工艺生产线升级为1C工艺，预计到明年年底，总产能将达到15万片晶圆。据悉，三星电子正在考虑进一步削减投资。
此外，三星电子近期决定将其位于平泽和华城园区的部分NAND闪存生产线改造为通用DRAM生产线。鉴于通用DRAM的价格上涨预计将持续比NAND闪存更长的时间，此举似乎是对产能的战略性重新配置。
