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台懋半导体 MOS:为锂电池保护板 “保驾护航”
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180度无传感器FoC电动工具
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2023/05/08
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MDD辰达半导体推出低内阻、强抗浪涌MOSFET,电池管理系统BMS中的关键元器件
一、 BMS工作原理与安全机制 储能系统已成为构建新型电力系统的关键环节,而电池管理系统(BMS)在储能中承担着关键角色。 BMS的核心使命是确保电池组安全、高效、长寿。它通过实时监测电池电压、电流、温度等参数,实现三大核心保护功能: 过充/过放保护:电压超限时切断相应MOSFET回路 过流/短路保护:极短时间内(<100ms)关断放电MOSFET 过温保护:温度异常时禁止充放电操作,防止热
MDD辰达半导体
430
11/22 09:39
bms
浪涌保护
芯片百大榜——峰岹科技,“硬”啃人形机器人?
在上一篇文章《国内外人形机器人用MCU对比分析》中,我们对国内外人形机器人用MCU厂家进行了对比分析。今日,我们再来聊聊一家以自主研发为核心的(BLDC)电机驱动芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技与大多数竞争对手采用的ARM 内核架构不同,公司从底层架构上将芯片设计、电机驱动架构、电机技术三者有效融合,用算法硬件化的技术路径在芯片架构层面实现复杂的电机驱动控制算法,形成自主知识产权的电机驱动控制处理
王兵
8627
04/29 10:51
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三代进化,安森美 EliteSiC MOSFET 技术发展解析
SiC 器件性能表现突出,能实现高功率密度设计,有效应对关键环境和能源成本挑战,也因此越来越受到电力电子领域的青睐。与硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 器件的运行频率更高,有助于实现高功率密度设计、减少散热、提高能效,并减轻电源转换器的重量。其独特的材料特性可以减少开关和导通损耗。与 Si MOSFET 相比,SiC 器件的电介质击穿强度更高、能量带隙更宽且热导率更优,有利于开发更紧凑、更高效的电源转换器。
安森美半导体
1470
02/20 10:55
安森美
SiC MOSFET
提高工业电机效率:采用SiCMOSFET技术的三相逆变器
工业电机需要可靠、高效的电源解决方案。这款采用SiC(碳化硅)MOSFET技术设计的三相逆变器代表着在满足现代工业应用的功率和效率需求方面迈出了重要一步。SiCMOSFET因其降低导通电阻和增加击穿电压的能力而受到认可,使其成为高压、高效应用的理想选择。在本文中,我们将介绍逆变器的规格、关键组件和操作功能。
腾恩科技
725
2024/11/15
SiC MOSFET
三相逆变器
KLV2002光耦固态继电器的主要特性
KLV2002采用光耦合MOSFET技术,在输入和输出之间提供3750Vrms的隔离,以确保在高压环境下安全运行。其隔离屏障由输入侧的高效GaAlAs红外LED和输出侧的MOSFET组成,实现无电接触的信号传输。
克里雅半导体科技
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2024/11/15
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