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  • STM32G0B1 ADC 数据异常排查：参考电压 VREF + 低于 3.0V 的核心影响
    STM32G0B1 的 ADC 模块在低参考电压（VREF+）场景下易出现采样数据异常，核心原因是 VREF + 低于 3.0V 时，硬件校准无法完全补偿偏移误差，最大误差可达 50LSB（对应 20mV@12bit 分辨率）。本文基于 ST 官方 LAT1337 应用笔记，详解问题根源、测试验证过程及实操解决方案，帮你快速规避低参考电压导致的 ADC 精度问题。
    83
    21分钟前
    ADC模块 STM32G0
  • STM32G0 STOP 模式 “唤醒失败” 排查：DMA 时钟错误关闭导致的异常解决
    STM32G0 系列凭借优秀的低功耗特性，广泛应用于汽车电子等需要频繁进入 STOP 模式的场景。但部分用户反馈，STM32G0B1 在模拟汽车频繁打火测试（72 小时连续工作）中，进入 STOP 模式后会出现 “无法唤醒” 现象 —— 屏幕无显示、外部中断无响应，看似低功耗唤醒故障，实际是 DMA 外设关闭流程不规范导致的系统卡死。本文基于 ST 官方 LAT1236 应用笔记，详解故障定位、根源分析及标准解决方案，适用于 STM32G0 全系列低功耗项目。
    127
    3小时前
    低功耗 STM32G0
  • STM32G071 standby 模式退出后 SRAM 数据保留：问题解析与实操方案
    在 STM32G071 芯片的低功耗应用场景中，standby 模式因极致节能成为首选，但不少工程师在实际开发中会遇到 “配置 SRAM 数据保留后，退出 standby 模式仍丢失数据” 的问题。本文基于 ST 官方 LAT1278 应用笔记（Rev 1.0），从问题本质、排查逻辑到落地解决方案，系统拆解 STM32G071 standby 模式下 SRAM 数据保留的核心要点，为嵌入式开发提供可直接复用的技术指南。
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    01/27 12:38
    低功耗 SRAM
  • STM32G0B1 待机模式意外唤醒深度解析：RTC 结构体未初始化的隐形坑
    STM32G0B1 待机模式（Standby）被意外唤醒的核心原因是RTC 时间结构体未完整初始化，导致随机值写入 RTC 控制寄存器（RTC_CR），触发内部唤醒线（WUFI），而非外部 WKUP 引脚触发。故障还可能伴随 PC13 引脚异常输出 1Hz 方波，仅断电重启可临时恢复，需通过规范结构体初始化彻底解决。
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    2025/12/31
    STM32G0
  • STM32G0 单线串口帧错误终极解决：切换时序 + 配置双优化，告别电平冲突
    STM32G0 客制化单线串口（TX/RX SWAP 切换）出现帧错误，核心原因是TX/RX 切换时序过慢 + GPIO 配置不符合官方要求—— 发送完数据后，复杂函数调用导致未及时切到 RX 状态，STM32G0 端 GPIO 保持低电平，拉低对方（STM32L433）发送的起始位电平（低至 1.5V），触发停止位报错。解决方案：中断内直接操作寄存器快速切换，搭配 DMA 收发，无需修改兼容设计即可修复。
    842
    2025/12/23
    STM32G0
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