芯耀
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今年下半年，四大全球NAND闪存制造商——三星电子、SK海力士、铠侠和美光——同时削减了NAND闪存的供应量。分析师认为，虽然调整供应量旨在推高价格，但随着生产设施被需求快速增长的四层单元（QLC）工艺所取代，产量下降不可避免，尤其是在人工智能（AI）数据中心领域。
与此同时，三星电子、SK海力士和铠侠正努力提高NAND闪存的价格，而NAND闪存的价格在过去一年一直维持在成本水平。据报道，三星电子尤其正在与主要海外客户讨论明年的NAND闪存供应量，并在内部考虑将价格提高20%至30%。
根据市场研究公司Omdia提供的年度NAND闪存产量数据，三星电子已将其今年的NAND晶圆产量目标从去年的507万片下调至472万片，降幅约为7%。铠侠（Kioxia）也已将其晶圆产量从去年的480万片调整至今年的469万片。Omdia预测，三星电子和铠侠的减产措施将持续到明年。
SK海力士和美光也采取保守策略，限制产量以利用价格上涨带来的收益。SK海力士的NAND闪存产量从去年的201万片下降至今年的180万片，降幅约为10%。美光也面临着类似的情况。美光维持着保守的供应策略，将其最大的NAND生产基地——新加坡Fab 7工厂的产量维持在30万片左右。
随着主要供应商同步调整产量，NAND产品的平均售价（ASP）也在迅速上涨。海外市场研究公司预测，仅上个季度就上涨了15%的NAND价格，未来可能还会上涨40%至50%。据TrendForce数据显示，应用最广泛的512Gb三层单元（TLC）NAND闪存芯片的晶圆现货价格较上周上涨14.2%，达到每片5.51美元。现货价格是指产品在分销市场上的即时交易价格。价格上涨意味着产品供应量下降。
TLC NAND闪存的短缺也表明，主要的NAND供应商正将重心从TLC转向利润更高的QLC闪存。QLC和TLC指的是单个单元（NAND闪存的基本单元）中存储的比特数。TLC每个单元存储3比特，而QLC每个单元存储4比特。在相同面积下，QLC的容量比TLC高出30%，这使其在生产人工智能数据中心所需的高容量固态硬盘（SSD）方面具有优势。
一位半导体行业内部人士解释说：“现有基于TLC的NAND生产线向QLC（人工智能数据中心固态硬盘的关键部件）的转换，导致四大供应商的产量自然下降，部分TLC NAND生产设施被迫关闭。” 他补充道：“通常情况下，设施和工艺转换造成的产量‘损失’会导致市场价格飙升。”
与此同时，长期以来一直面临供应过剩问题的三星电子和SK海力士，也在NAND价格上涨的迹象下努力实现利润最大化。此前有报道称，美国SanDisk公司已从本月起将其NAND产品合同价格提高了高达50%。由于北美主要科技公司对NAND价格可能飙升感到恐慌，一些分析师认为明年的NAND供应已经售罄
