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ST GaN/SiC 宽禁带器件:电机控制(家电 / 工业)高频高效小型化核心方案

11/18 17:08
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ST 的 GaN氮化镓)与 SiC碳化硅)宽禁带器件,以 “高频低损耗、高效节能、小型化降本” 为核心价值,精准适配家用电器(冰箱、洗衣机、空调)与工业电机驱动(伺服、高压电机)场景,通过提升 PWM 频率、降低开关损耗,实现效率提升 4%+、元件体积缩减 87%+、功率密度翻倍,成为电机控制升级的关键支撑。

资料获取:ST GaN 和 SIC 产品在电机控制中的应用: 在家用电器与电机驱动中的价值主张

1. 核心价值主张:宽禁带器件的三大核心优势

GaN 与 SiC 凭借优于硅器件的物理特性,在电机控制中形成不可替代的价值,二者分工明确、互补覆盖全功率段:

  • 高频适配:支持 PWM 频率从传统硅器件的 20kHz 提升至 100kHz+,减少电机电流谐波,降低扭矩波动,适配高速电机需求;
  • 低损耗高效:开关损耗比硅器件降低 60%+,逆变器效率提升至 98.68% 以上,电机整体效率提升 4%~10%;
  • 小型化降本:高频下可使用小容量陶瓷电容替代电解电容,元件体积缩减 87%,PCB 面积大幅减少,同时简化散热设计(部分场景可移除散热器)。

2. 家用电器应用:精准适配中低功率高频场景

GaN 与 SiC 针对冰箱、洗衣机、空调等家电电机,实现 “能效升级 + 成本优化” 双重目标:

2.1 冰箱压缩机(350W~800W)

  • 核心方案:GaN SiP 模块(如 350W 效率优化型)搭配 STM32G0/G4 MCU
  • 价值体现:PWM 频率 5kHz 时,COP(能效比)提升 2.2%~3.5%,4500rpm 高速工况下 COP 仍保持 1.818,优于硅器件的 1.807;
  • 关键优势:适配变频压缩机高频需求,输入功率降低 3%,冷却能力提升 1.5%。

2.2 洗衣机 / 烘干机(800W~1.5kW)

  • 核心方案:GaN 离散器件(如 SGT65R65AL)+ STDRIVEG611 驱动器
  • 价值体现:PWM 频率提升至 100kHz,电机效率提升 4%,无需散热器即可稳定运行,简化整机结构设计;
  • 关键优势:抗高频干扰,适配滚筒电机动态负载需求,降低扭矩波动。

2.3 空调 / 热泵(2kW~10kW)

  • 核心方案:SiC 二极管 + SJ MOSFET 或 SiC MOSFET 模块(如 STGWA50HP65FB2);
  • 价值体现:7kW 商用空调 PFC 效率提升 0.25%,整机能效符合 IEA 净零排放要求;高压场景下(650VDC),损耗比硅器件降低 2.6 倍;
  • 关键优势:支持 60kHz 高频 PFC,适配多联机空调的高压大电流需求,功率密度提升 30%。

3. 工业电机驱动应用:赋能高压高功率高效场景

SiC 器件主打工业高压高功率电机驱动,GaN 适配中功率伺服,核心价值为 “损耗降低 + 功率密度提升”:

3.1 工业伺服驱动(1.5kW~15kW)

  • 核心方案:SiC MOSFET(如 SCTW90N65G2V)+ STGAP2HSICS 驱动器 + STM32H7 MCU;
  • 价值体现:600VDC、14.1Arms 工况下,4kHz 开关频率时损耗比 IGBT 降低 2.6 倍,8kHz 时降低 2.7 倍;效率提升 1.9%~2.7%;
  • 关键优势:解决 SiC dV/dt 冲击问题,适配伺服电机高频响应需求,功率密度提升至 2kW/L 以上。

3.2 高压电机驱动(10kW~50kW)

  • 核心方案:SiC IPM 模块(如 ACEPACK 系列)+ Vienna PFC 拓扑;
  • 价值体现:支持 800VDC 高压输入,开关频率提升至 60kHz,逆变器损耗降低 40%,散热系统体积缩减 50%;
  • 关键优势:适配工业泵、风机、机床主轴等高压场景,满足 IEA “同类最佳” 能效标准。

4. ST 核心产品方案:一站式选型与落地

ST 提供 “器件 + 控制器 + 驱动” 全栈解决方案,降低开发门槛:

4.1 GaN 产品方案(中低功率,350W~800W)

  • 集成方案:GaN SiP 模块(如 350W 高端型、600W 高动态型),集成 GaN 半桥、驱动器与保护功能;
  • 控制器搭配:STM32G031/G431/G474,支持高频 PWM 生成(184ps 精度)与 FOC 算法;
  • 关键优势:4 层 PCB 即可实现,EMI 优化,dV/dt 调谐至 10V/ns。

4.2 SiC 产品方案(高压高功率,2kW~50kW)

  • 离散 / 模块:SiC MOSFET(650V/1200V)、SiC 二极管、SiC IPM;
  • 驱动搭配:STGAP2SICS/STGAP2HSICS,电隔离设计,抗扰度 > 100V/ns;
  • 控制器搭配:STM32H730/H743,支持多通道 ADC 同步采样与复杂控制算法。

5. ST GaN/SiC 电机控制选型对照表

下表基于 ST 工业峰会 GaN/SiC 电机控制应用文档,从器件类型、适配场景、核心参数、搭配控制器、实测效益五大维度,梳理不同功率段的选型方案。

器件类别 具体方案 适配功率范围 核心应用场景 核心参数 搭配控制器 实测效益
GaN(氮化镓) GaN SiP A(集成半桥 + 驱动) 200W~350W 冰箱压缩机、循环泵、风扇 650V e 模式,EMI 优化,dV/dt=10V/ns,PCB 为 4 层 FR-4(2 Oz) STM32G031 350W 工况下效率优化,冰箱 COP 提升 3.5%(1200rpm),输入功率降低 3%
GaN SiP B(高效型) 350W~600W 高端冰箱压缩机、小型洗衣机 650V e 模式,集成高压驱动器,RDSon(典型值)120mΩ,支持被动冷却 STM32G431 600W 工况下无风扇运行,温度仅超环境 35℃,PCB 面积缩减 40%
GaN 离散器件(SGT120R65AL) 600W~800W 洗衣机滚筒电机、烘干机 650V,RDSon(最大值)120mΩ,最高壳温 92℃,支持 10V/ns 硬开关 STM32G474 + STDRIVEG611 100kHz PWM 时电机效率提升 4%,无需散热器,元件体积缩减 87%(电容从 330μF→22μF)
GaN 离散器件(SGT65R65AL) 800W~1.5kW 大功率洗衣机、小型工业伺服 650V,RDSon(最大值)65mΩ,最大输入功率 1000W(300VDC),被动冷却 STM32H730 800W 工况下损耗比硅器件低 30%,整体效率提升 2.7%,功率密度达 1.8kW/L
SiC(碳化硅) SiC 二极管(STPSC20H065CW) 2kW~7kW 商用空调、热泵 PFC 环节 650V,正向压降 1.2V(典型值),适配 60kHz 高频 PFC STM32G474 7kW 空调 PFC 效率提升 0.25%(6kW 工况),整机能效符合 IEA 净零标准
SiC MOSFET(SCTW90N65G2V) 7kW~15kW 工业伺服驱动、中小型高压电机 650V,RDSon(典型值)90mΩ,支持 dV/dt 冲击抑制,适配 600VDC 总线 STM32H743 + STGAP2HSICS 14.1Arms 工况下,4kHz 开关频率损耗比 IGBT 低 2.6 倍,效率提升 1.9%
SiC IPM 模块(STGWA50HP65FB2) 15kW~50kW 高压电机驱动、工业泵 / 风机 650V/50A,集成 SiC 二极管,支持 Vienna PFC 拓扑,适配多联机空调 STM32H743 + STGIPQ4 10kW 工况下功率密度提升 30%,散热系统体积缩减 50%,损耗比硅器件低 40%

关键选型说明

  1. 功率优先级
    • 家电中低功率(<1kW):优先选 GaN SiP 方案(集成度高、成本低);
    • 家电大功率(1kW~2kW)/ 工业中功率(2kW~7kW):选 GaN 离散或 SiC 二极管方案;
    • 工业高压高功率(>10kW):必选 SiC MOSFET/IPM 模块(耐压高、损耗低)。
  2. 场景适配细节
    • 高频需求(>50kHz):优先 GaN(如洗衣机 100kHz PWM);
    • 高压需求(>400VDC):优先 SiC(如伺服驱动 600VDC、空调 800VDC);
    • 无散热器设计:仅 GaN 离散方案支持(800W 以下),SiC 需搭配简化散热。
  3. 控制器匹配逻辑
    • 中低功率(<1kW):STM32G0/G4 系列(性价比高,适配基础 FOC);
    • 中高功率(>1kW):STM32H7 系列(高性能,支持复杂算法与多通道采样)。

ST GaN 与 SiC 产品通过 “高频适配、低损耗高效、小型化降本” 三大核心价值,精准覆盖家用电器(中低功率高频)与工业电机驱动(高压高功率)场景,凭借现成的模块方案、STM32 控制器生态与实测验证的数据,大幅缩短开发周期,助力产品实现能效升级与差异化竞争。

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