新思三星携手推出3nm GAA的全套设计方法和流程

新思科技（Synopsys）近日发布 3nm 全环栅（GAA）AMS 设计参考流程，为开发者提供一整套从前端到后端的设计方法，以使用新思科技定制设计平台来设计模拟和混合信号电路。该方法已经过优化，可为使用三星 3nm GAA 工艺节点技术的 5G、HPC、AI 和 IoT 等先进应用的开发者，提供最高的设计效率。

先进节点的复杂性驱使开发者寻找缩短设计周期的新方法。通过紧密合作，新思科技和三星提供了经优化的流程，可克服设计复杂性并为 3nm GAA 设计提供最佳的生产率。该流程的主要功能包括设计中的电迁移分析，开发者可在版图完成之前通过该流程提供的准确的电迁移分析来缩短设计完成时间。AMS 设计参考流程还包括新思科技 IC Validator 物理验证解决方案中的实时设计规则检查（DRC），版图开发者可在工作时基于 DRC 直接从版图画布中快速检查是否违反设计规则。

AMS 参考流程为 3nm GAA 流程技术的设计提供了一种行之有效的方法。该方法包括一整套文件化的流程和设计实例，并已得到三星的验证。AMS 参考流程涵盖的主题包括设计输入、电路仿真、蒙特卡洛分析、噪声分析、RF 分析、老化和 EM/IR 分析、寄生参数仿真、定制版图和签核。

“借助新思科技 AMS 参考流程，开发者可以将 3nm GAA 技术快速部署在要求严苛的应用，如人工智能、5G 网络、汽车、物联网和先进数据中心。新思科技支持的先进方法学可以帮助我们内部的 IP 开发者和客户更有效地创建模拟和混合信号设计。”

——Sangyun Kim

电子代工厂设计技术团队副总裁

三星

新思科技定制设计平台以 Custom Compiler™设计和版图环境为基础，包括 HSPICE®电路仿真器、FineSim®电路仿真器、CustomSim™ FastSPICE 电路仿真器、Custom WaveView™波形显示器、StarRC™寄生参数提取以及 IC Validator 物理验证。该平台具有原生集成的 StarRC 提取功能，可提供寄生参数对电路行为、性能影响的早期反馈，并具有开创性的视觉辅助版图自动化功能，从而简化先进节点版图的创建。

“在开发 3nm GAA AMS 设计参考流程中，三星和新思科技共同致力于以实现强大的技术来缩短设计周期。例如，新思科技参考流程中包括了一种用于早期电迁移分析的全新解决方案，这可大大缩短了设计的完成时间。”

——Aveek Sarkar

工程副总裁

新思科技