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扫码加入用于LED中EOS保护的PolyZen器件
随着当今对节能和降低功耗的需求不断增长，发光二极管(led)已成为下一代照明应用的首选解决方案。因此，越来越多的人开始关注防止EOS(电气过度压力)事件的损害，具体来说，指的是LED应用可能承受的任何不良电压、电流或功率。
当EOS事件超过设计规格的最大要求时，LED应用很容易受到损坏。EOS事件通常是短暂的;这意味着它们发生的时间很短，通常不到一秒，通常被称为尖峰(例如，电流尖峰或电压尖峰)。然而，EOS事件可以是永久性的，例如将电池插入电池供电的LED手电筒中。任何单个EOS事件，无论持续时间长或短，或任何数量的事件，都有可能对LED造成损坏。这种损坏既可以表现为立即故障，也可以表现为在EOS事件发生数小时后发生的故障。
| 器件型号 | 数量 | 器件厂商 | 器件描述 | 数据手册 | ECAD模型 | 风险等级 | 参考价格 | 更多信息 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL3177EIUZ-T | 1 | Intersil Corporation | ±15kV IEC ESD Protected, 3.3V, Full-duplex, 20Mbps RS-485/RS-422 Transceiver; MSOP8, SOIC8; Temp Range: -40° to 85°C |
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$1.74 | 查看 | |
| TSC2007IPWR | 1 | Texas Instruments | 12-bit, nanopower, 4-wire micro touch screen controller 16-TSSOP -40 to 85 |
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$3.09 | 查看 | |
| DS18B20Z+ | 1 | Maxim Integrated Products | Serial Switch/Digital Sensor, 12 Bit(s), 0.50Cel, Rectangular, 8 Pin, Surface Mount, 0.150 INCH, LEAD FREE, SOIC-8 |
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$6.17 | 查看 |
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Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。
Littelfuse主要提供MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、IGBT/SiC功率模块及保护器件，核心产品/技术包括IXYS IGBT；在低空经济产业链中覆盖功率半导体。收起
查看更多力特于1927年于美国伊利诺伊州芝加哥正式成立。如今，力特已经在行业中建立了广泛和全面的电路保护产品系列和产品线，是世界领先的电路元器件供应商及电路保护品牌。
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