先进封装技术_先进封装技术是什么意思

从不同类型IGBT封装对焊料的要求差异看结构与场景看适配逻辑

IGBT 封装的核心差异体现在功率等级、应用环境、结构复杂度三个维度 —— 从分立的TO封装到集成化的汽车主驱模块，从硅基IGBT到SiC模块，封装形式的变化直接决定了焊料的“性能优先级”：有的需平衡成本与基础可靠性，有的需极致散热与抗振动，有的需适配高温与小型化。以下按主流封装类型拆解焊料要求差异，结合结构特点与应用场景说明底层逻辑。一、传统分立封装（TO-247、TO-220）：中低功率场景

傲牛科技

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2025/11/05

锡膏 SiC功率器件

屹立芯创SRS：突破混合键合翘曲与应力瓶颈

混合键合技术的诞生背景随着半导体工艺节点持续微缩（7nm、5nm、3nm及以下），单纯依靠线宽缩小已逼近物理瓶颈。行业转而通过先进封装技术提升系统性能、能效比与功能集成度。在市场需求驱动下，封装技术历经焊料凸点（Solder Bump）、铜柱凸点（Pillar Bump）-2D、微凸点（Micro Bump）、微焊盘（Micro Pad）-2.5D到无凸点（Bumpless）-3D的演进。混合键

屹立芯创-ELEADTECH

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2025/10/24

半导体先进封装技术

混合键合（Hybrid Bonding）工艺介绍

所谓混合键合（hybrid bonding），指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合键合工艺，来实现三维集成，在Hybrid Bonding前，2D，2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点（Micro bump）来实现芯片与基板

屹立芯创-ELEADTECH

3996

2025/07/16

混合键合先进封装技术

半导体先进封装技术涌现！

AI、HPC等技术迅速发展，对半导体性能与功耗提出了更高要求，而传统封装技术难以满足AI时代的需求，半导体先进封装技术迎来大显身手的时刻，吸引多家半导体大厂积极布局。最新消息显示，博通宣布先进封装技术取得新进展。