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AI芯片决战先进封装:2026年产能缺口超30%,国产供应链迎黄金十年
2026年初,全球半导体产业迎来了一个标志性的拐点:台积电CoWoS先进封装产能缺口超过30%,日月光等行业巨头宣布封装服务全线涨价30%,多家AI芯片厂商公开表示,当前制约顶级AI芯片量产的核心瓶颈已经不再是7nm、3nm等先进制程的晶圆制造能力,而是先进封装环节的产能与技术供给。 这一现象绝非行业短期的供需波动,而是摩尔定律逼近物理极限后,全球半导体产业价值重心转移的必然结果——先进封装已经从
华芯邦
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03/31 15:19
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先进封装技术
从不同类型IGBT封装对焊料的要求差异看结构与场景看适配逻辑
IGBT 封装的核心差异体现在功率等级、应用环境、结构复杂度三个维度 —— 从分立的TO封装到集成化的汽车主驱模块,从硅基IGBT到SiC模块,封装形式的变化直接决定了焊料的“性能优先级”:有的需平衡成本与基础可靠性,有的需极致散热与抗振动,有的需适配高温与小型化。以下按主流封装类型拆解焊料要求差异,结合结构特点与应用场景说明底层逻辑。 一、传统分立封装(TO-247、TO-220):中低功率场景
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2025/11/05
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屹立芯创SRS:突破混合键合翘曲与应力瓶颈
混合键合技术的诞生背景 随着半导体工艺节点持续微缩(7nm、5nm、3nm及以下),单纯依靠线宽缩小已逼近物理瓶颈。行业转而通过先进封装技术提升系统性能、能效比与功能集成度。在市场需求驱动下,封装技术历经焊料凸点(Solder Bump)、铜柱凸点(Pillar Bump)-2D、微凸点(Micro Bump)、微焊盘(Micro Pad)-2.5D到无凸点(Bumpless)-3D的演进。混合键
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2025/10/24
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先进封装技术
混合键合(Hybrid Bonding)工艺介绍
所谓混合键合(hybrid bonding),指的是将两片以上不相同的Wafer或Die通过金属互连的混合键合工艺,来实现三维集成,在Hybrid Bonding前,2D,2.5D及3D封装都是采用焊锡球凸点(solder bump)或微凸点(Micro bump)来实现芯片与基板
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2025/07/16
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先进封装技术
半导体先进封装技术涌现!
AI、HPC等技术迅速发展,对半导体性能与功耗提出了更高要求,而传统封装技术难以满足AI时代的需求,半导体先进封装技术迎来大显身手的时刻,吸引多家半导体大厂积极布局。最新消息显示,博通宣布先进封装技术取得新进展。
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2024/12/09
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