SiC功率器件

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  • 总投资70亿!厦门8英寸碳化硅超级工厂验收
    福建环保网公示厦门士兰集宏8英寸SiC功率器件芯片产线一期阶段性竣工环保验收合格。项目2024年6月开工,总投资70亿元,一期设计月产3.5万片、验收期实际月产2.33万片;二期总产能达72万片/年,面向新能源车、光伏、储能、AI电源等。士兰微SiC业务加速,6英寸接近满载,车规及AI模块出货增长。
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    SiC MOSFET器件凭借禁带宽度宽、临界击穿场强高(是硅的10倍以上)、导热系数大等材料优势,在高压、高频、高温场景中展现出显著的性能优势。与Si IGBT相比,全SiC模块的开关损耗可降低50%以上,系统电能转换效率可提升至98%以上。 然而,SiC材料的高频高速开关特性也对封装提出了远高于硅器件的挑战。封装不仅决定安装方式和散热路径,还直接影响功率回路的寄生电感、栅极回路的稳定性以及模块在
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    湾芯展今年很热闹。1000余家企业、近8万平方米展区、超3000件新品首发,AI芯片、Chiplet、3D堆叠、算力集群轮番登场。 但热闹背后有个问题很少被摆上台面:芯片算力一路狂飙,堆叠密度越来越高,到底靠什么才能稳定跑满性能? 答案不在晶圆上,而在一块藏在芯片底部、几乎没人拍的陶瓷基板里。 一、算力越强,散热越致命 先进封装的逻辑已经变了。 过去拼单芯性能,现在靠Chiplet和3D堆叠,把多
  • 罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。 随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相
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  • 2家企业SiC器件出货突破3000万颗
    国内SiC功率器件企业方正微和飞锃半导体近期分别宣布,其SiC MOSFET均突破3000万颗级的规模化交付,标志着国产SiC器件正加速迈向成熟。方正微已累计交付超3000万颗车规主驱SiC MOSFET,而飞锃半导体1200V SiC器件累计出货超3500万颗。这表明中国碳化硅产业链在产能爬坡、车规认证和市场渗透等方面已具备与国际巨头竞争的实力,为下游应用降低成本并保障供应链安全提供了有力支持。