开关损耗_开关损耗是什么意思

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碳化硅为何选择英飞凌？—— SiC MOSFET性能评价的真相
核心技术优势/方案详细规格/产品实体图/PCB/方块图Datasheet/测试报告/Gerber/Schematics/User manual +一键获取在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（R）”的理解。sp）”和“高温漂移”的问题。作为碳化硅为何选择英飞凌的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相误区一见：碳化硅为何选择英飞凌？

大大通

1011

07/09 10:19

能源碳化硅技术
MOSFET关断过程中的开关损耗如何计算？800字手把手教你搞定这个电路知识点
上一篇文章我们介绍了MOSFET导通过程中的开关损耗的计算方法，接下来就讲一下MOSFET在关断过程中的交叉损耗计算，主要是要估算关断时的交叉时间，然后算出功耗。

硬件那点事儿

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04/26 10:25

MOSFET 开关损耗
MOSFET导通过程中的开关损耗如何计算？1200字手把手教你搞定这个电路知识点
MOSFET导通过程中的开关损耗这部分内容是关于MOSFET在开关过程中的交叉损耗Cross Loss计算，主要涉及导通时间的估算和功耗分析。公式是什么？如何计算呢？设计中又有哪些需要注意的地方？接下来就把它通俗易懂地讲一下。以下分析基于MOSFET驱动感性负载哦，如果是驱动阻性负载，算法是不一样的，大家注意！

硬件那点事儿

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04/21 10:25

MOSFET 开关损耗
开关损耗
开关损耗是指在电力电子开关器件（如MOSFET、IGBT）中，由于电路开关动作引起的能量损耗。开关损耗是电力电子装置效率低下的主要原因，因此如何有效减小开关损耗一直是电力电子领域研究的重点。

eefocus_3880508

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2023/05/11

开关损耗
开关电源的主要损耗有哪些导通损耗和开关损耗的关系
开关电源是一种高效率、可靠性较高的电源，但在实际使用中仍然存在一定的损耗。

eefocus_3880508

1453

2023/04/18

开关电源开关损耗

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