BUCK功率参数合集(12)：MOSFET开关损耗或交叉损耗公式直观理解付费

在BUCK电路中，开关损耗（Switching loss），又叫交叉损耗或交越损耗，是影响转换效率的关键因素之一。是指MOSFET开通过程和关断过程中的损耗，其计算公式为输入电压 V_IN 与开关过程MOSFET电流的乘积，因为在MOSFET开通或关断的过程中漏极-源极电压Vds和漏极-源极电流Ids有交叉重叠的部分。

本文将深入剖析MOSFET开关损耗的计算公式推导方法，帮助大家既知其然，又知其所以然。

1、高边MOSFET开关损耗直观理解

(1) 高边MOSFET的开关过程

图 3.72高边开关管的状态转换过程

图 3.72所示，同步降压型开关电源电路中高边MOSFET开通过程和关断过程的时间分别为 T_r-H 和 T_f-H（即C时间段和D时间段），在这两个阶段高边MOSFET的漏极电压始终为V_IN 。

(2) 高边MOSFET功率损耗的初步公式

参考[ BUCK功率参数合集(5)：MOSFET导通损耗（平均值）公式推导方法 ]，高边MOSFET导通功率损耗的平均值公式(3.331)

$$ P_{SW-H,COND,AVG,TSW} = V_{DS(ON)-H} \times T_{ON} \times I_{OUT} \times F_{SW} \tag{3.331} $$