晶体管

• Diodes 公司推出超低 VCE(sat) NPN与 PNP 双极型晶体管

  Diodes 公司（Diodes）（Nasdaq: DIOD）宣布推出 DXTN/P 78Q与80Q系列，扩充符合汽车规范的双极型（Bipolar）晶体管产品组合。这两个系列是超低 VCE(sat) NPN与PNP晶体管，提供业界领先的传导效率与热性能，针对高要求的汽车电源开关与控制进行优化。 两个系列的十二款高性能器件支持广泛的电压范围，适用于12伏、24伏和48伏汽车系统。这些器件适用于栅极驱

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  13小时前

  MOSFET 晶体管

  
• ADI公司LDO的电容选择指南

  作者：Glenn Morita，应用工程师 为什么电容的选择至关重要？ 电容往往被人们所忽视。电容既没有数十亿计的晶体管，也没有采用最新的亚微米制造工艺。在许多工程师的心目中，电容不过是两个导体加上中间的隔离电解质。总而言之，它们属于最低级的电子元件之一。 工程师们通常通过添加一些电容的办法来解决噪声问题。这是因为他们普遍将电容视为解决噪声相关问题的“灵丹妙药”，很少考虑电容和额定电压以外的参数。

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  2025/12/17

  pcb 晶体管

  
• 承压超过1200V，安森美vGaN解锁极致功率密度与效率

  安森美推出垂直氮化镓(vGaN)晶体管，具备高频率处理极高压的能力，效率超越传统硅芯片。这项技术已在66,000平方英尺的先进设施中实现规模化量产，并应用于电动汽车充电器、人工智能数据中心等多个领域，有望推动全面电气化进程。

  安森美半导体

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  2025/12/16

  晶体管 大功率二极管
• 学子专区论坛 - ADALM2000实验：Peltz振荡器

  作者：Antoniu Miclaus，系统应用工程师 目标 本次实验旨在研究Peltz振荡器配置的特性。 背景知识 不同于采用单个晶体管的Clapp、Colpitts和Hartley振荡器，Peltz配置使用两个晶体管。观察图1，注意晶体管Q1配置为共基极放大器级。由L1和C1组成的谐振电路提供集电极负载。集电极的输出馈送到晶体管Q2的基极。Q2配置为射极跟随器（共集电极）级。当射极跟随器（Q2发

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  2025/11/12

  示波器 晶体管

  
• 一文了解新型晶体管(环栅晶体管GAA)制造技术

  本文探讨了CMOS晶体管的发展趋势，特别是针对短沟道效应的解决方案。介绍了新型材料（如GaAs、InGaAs、InAs等）和结构（如FinFET、GAAFET）的应用，以及英特尔和台积电在制程技术上的创新。重点阐述了垂直型环栅晶体管（GAAFET）的优势，包括更优的沟道形貌、不受光刻限制的栅极长度、更高的集成密度和更低的功耗。文中还详细介绍了GAAFET的制造工艺，对比了水平型和垂直型环栅晶体管的特点，并指出现有技术面临的挑战和改进方向。

  半导体全解

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  2025/11/03

  晶体管 CMOS

  
• 高压、高频功率转换系统中，为何要使用隔离式栅极驱动器？

  隔离式栅极驱动器是指栅极驱动器与数字隔离器的一体化单芯解决方案，其主要负责隔绝高低压电路间的直接电气联系，同时充当逻辑侧MCU的功率放大器，以产生适当的大电流栅极驱动，让MOSFET、IGBT和SiC MOSFET等功率晶体管得以高速导通或关闭，进而降低系统功耗并增强其对噪声的抗干扰能力。 一种典型增强型双通道隔离式栅极驱动器（CMT8602X）的应用原理图 如上述应用原理图所示，在涉及高频电力变

  华普微 HOPERF

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  2025/09/29

  晶体管 隔离器

  
• 角逐2nm

  三星、台积电和Rapidus纷纷发力2nm制程，三星Exynos 2600即将量产，联发科2nm SoC已完成设计流片，苹果有望在2026年推出2nm芯片。台积电已准备好量产，三星良率有待提高，Rapidus则聚焦专用芯片市场。

  半导体产业纵横

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  2025/09/28

  晶体管 先进制程
• 1.4nm，提前实现良率！

  据消息人士透露，台积电的A14节点已提前实现了良率，重要的是，A14相比N2节点的预期性能提升。 据官方公布的细节，A14工艺相比即将量产的2nm（N2）会有非常显著的提升。在相同功耗下，A14 的速度可以提升大约15%。如果保持速度不变，功耗能下降30%左右。芯片逻辑密度也能提高20%， 这意味着在同样大小的芯片上，能塞进更多晶体管，性能和能效同时得到优化。 实现这些提升的关键在于，台积电采用了

  芯片大师

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  2025/09/28

  台积电 晶体管
• 元器件交易动态周报-8月二极管、晶体管需求指数延续下跌态势

  核心观点： 2025年8月，二极管和晶体管需求指数同比持平，环比呈下滑态势，分别环比下跌6.6%和5.8%。8月国内汽车产销量继续维持高增速，分别同比增长13%、16.4%；国内白色家电中空调、冰箱产量保持同比增长，洗衣机产量同比下降1.6%；值得关注的是，4、5月光伏和风电受政策影响，突击装机，需求前置，继而6-7月的新增装机容量同环比均大幅下滑，预计8月新增装机容量将继续呈下跌态势。交货周期方

  史德志

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  2025/09/22

  二极管 晶体管

  
• 第28-2版选型指南现已发布

  我们已更新并重新印刷了第28版选型指南（第二期，编号28-2），涵盖以下内容：二极管与整流器 晶体管与稳压器  本期主要新增器件： S5X-AQ – 5A/1800V标准整流器，采用SMC封装，符合AEC-Q101标准 DI374N12TL – 374 A/120V N沟道MOSFET，采用紧凑型TOLL封装 DI170SIC850D7 – 7A/1700V SiC MOSFET，采用带Kelvi

  Diotec德欧泰克半导体

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  2025/09/16

  二极管 稳压器
• 用脉冲应力重新定义先进 CMOS 的可靠性测试

  本文通过引入脉冲应力与电荷泵技术，解决了传统直流方法在先进 CMOS 及高K材料可靠性评估中的三大盲区：动态恢复效应、频率相关寿命、界面陷阱实时监测。 对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和 TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力 / 测量循环。所施加的应力电压通常是一个直流信号，使用它是因为它更容易映射到器件模型中。

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  2025/08/15

  电路 晶体管

  
• 元器件交易动态周报-7月二极管和晶体管交货周期指数大幅回落

  核心观点： 2025年7月，二极管和晶体管需求指数保持稳定，分别环比增长-0.87%和5.7%。6月国内下游终端需求分化：受政策影响下，4、5月光伏和风电突击装机容量大增后，6月新增装机容量回归常态；白色家电产量维持稳定；汽车产量继续维持较高增速，分别同比增长11.4%、13.8%。交货周期方面，7月二极管和晶体管交货周期指数大幅回落，整体交货时间呈现缩短态势。价格上，7月二极管和晶体管价格相比上

  史德志

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  2025/08/11

  二极管 晶体管

  
• 无需电平转换器 高侧电流源的更简洁方案

  紧凑型便携测量仪器集电压、电流、电阻等基础电参数测量、通断性测试及绝缘测试功能于单手持设备中，其电路层集成多种定制化拓扑结构：包含实现信号增益的放大电路，执行滤波与数字化的信号处理模块，以及抑制电路故障和静电放电（ESD）所致电压尖峰的保护单元。 德欧泰克MMBTA2907型PNP双极结型晶体管作为高侧电流源的核心元件，无需额外电平转换器即可实现被测器件（DUT）接地参考。 该方案显著降低电路整体

  Diotec德欧泰克半导体

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  2025/08/01

  晶体管 放大电路
• “CoPoS热” 背后，AI 倒逼半导体封装进入 "板级时代"

  近年来，伴随着生成式AI与大语言模型的快速发展，用来训练AI大模型的数据量越来越庞大，单芯片晶体管密度却已逼近物理与经济双重极限。以GPT-4为例，其训练参数量达到了1800B，OpenAI团队使用了25000张A100，并花了90-100天的时间才完成了单次训练，总耗电在2.4亿度左右，成本约为6300万美元。 在惊人数据量的背后，隐藏着AI爆发式发展对半导体行业提出的算力和存力等挑战。如何应对挑战？凭借面板级RDL与玻璃基板实现关键突破，在产能、良率与成本之间重构平衡，CoPoS（Chip-on-Panel-on-Substrate）正在给出答案。

  夏珍

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  2025/07/30

  晶体管 AI算力

  
• 深度解读 DU1215S 射频功率 MOSFET 晶体管在射频放大器的应用要点

  DU1215S

  瑞航达电子科技

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  2025/07/29

  无线通信 晶体管
• 上下管开关对称性的系统方法

  作者：林俊明 英飞凌科技消费、计算与通讯业务大中华区 首席工程师 摘要：半桥功率级是电力电子系统中的基本开关单元，应用于电源转换器、电机驱动器和D类功率放大器等电路设计中。本文介绍了一种系统方法，该方法利用预充电驱动电源方案和欠压锁定（UVLO）机制的控制策略，确保半桥电路中高边和低边开关的同步性。传统的基于自举电源的半桥驱动存在固有局限性，包括高边和低边驱动器之间电源的不对称性，这会破坏开关的同

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  2025/07/28

  驱动器 晶体管

  
• 中国提出颠覆性的晶体管技术

  在半导体技术领域，一个集成电路不仅可以在正面形成，还可以在背面形成的时代即将到来。imec于2018年发布的CFET（互补场效应晶体管）一直被视为继FinFET和GAA之后，前景光明的下一代场效应晶体管。然而，在今年的VLSI研讨会上，北京大学发布的“倒装堆叠晶体管（FFET）”却引起了广泛关注。

  半导体产业纵横

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  2025/07/15

  晶体管

  
• 元器件交易动态周报-功率器件需求持续向好

  核心观点： 2025年5月，中国汽车产销继续保持强劲增长势头，同比分别增长11.6%和11.2%。与此同时，5月光伏和风电新增装机容量迎来爆发式增长，分别增长388%和801%，助推功率器件需求连续5个月环比增长。交货周期方面，二极管和晶体管均处于上行态势，行业供应呈偏紧态势。价格上，二极管和晶体管价格环比均呈现不同程度的上涨。 三大维度解读功率器件最新供需动态： 市场需求分析 图 | 二极管四方

  史德志

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  2025/06/30

  二极管 晶体管

  
• 深入浅出介绍功率放大器（PA）记忆效应是什么？

  记忆效应是由放大器传输特性的时间变化引起的。由于射频功率放大器的作用是向天线端口提供稳定且可预测的功率，因此任何关于其特性变化的提及都可能引发关注。

  通信射频老兵

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  2025/06/23

  功率放大器 晶体管

  
• 晶体管光耦的工作原理

  晶体管光耦（Photo Transistor Coupler）是一种将发光器件和光敏器件组合在一起的半导体器件，用于实现电路之间的电气隔离，同时传递信号或功率。晶体管光耦的工作原理基于光电效应和半导体器件的特性。 工作原理概述 1. 发光器件：晶体管光耦通常包含一个发光二极管（LED）作为光源。当电流通过LED时，它会发出特定波长的光。 2. 光敏器件：光耦的另一侧是一个光敏器件，常见的是光电晶体

  晶台光耦

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  2025/06/20

  光耦 晶体管

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