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英诺赛科

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英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。

英诺赛科是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓外延及器件研发与制造的高新技术企业,采用IDM(Integrated Device Manufacture)全产业链模式,建立了全球首条产能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圆量产线。 收起

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  • 英诺赛科GaN产品打入谷歌供应链
    英诺赛科宣布其氮化镓产品成功进入谷歌AI硬件平台并签订供货协议,标志着公司在AI服务器和数据中心领域的领先地位。作为全球氮化镓领域的头部企业,英诺赛科正与意法半导体、安森美等多家国际知名企业展开深度合作,共同推动氮化镓技术在AI数据中心、汽车电子等领域的应用。预计未来几年内,英诺赛科将继续扩大其在全球高端市场的份额,引领氮化镓行业的技术创新与发展。
  • 英诺赛科:GaN芯片累计出货20亿颗
    英诺赛科氮化镓功率芯片出货量达到20亿颗,同比增长显著,尤其在数据中心、汽车电子和消费电子领域取得进展,与多家知名企业达成合作,推动氮化镓技术广泛应用。
    英诺赛科:GaN芯片累计出货20亿颗
  • 【化合物半导体】国产氮化镓厂商英诺赛科为何能够赢得国际半导体巨头青睐?
    英诺赛科通过与意法半导体、安森美的战略合作,巩固在全球氮化镓功率半导体市场的领先地位。英诺赛科凭借8英寸硅基氮化镓晶圆量产能力和高良品率,大幅降低了成本并提升了竞争力。随着全球GaN功率芯片市场需求爆发,特别是消费电子、数据中心与电信、新能源汽车等领域的发展,英诺赛科有望继续引领市场趋势。
    【化合物半导体】国产氮化镓厂商英诺赛科为何能够赢得国际半导体巨头青睐?
  • 安森美与英诺赛科达成战略合作协议,共同加速推进全球氮化镓产业生态建设
    安森美(onsemi)宣布已与英诺赛科(Innoscience)签署谅解备忘录,双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓(GaN)硅基工艺,以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力,以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力,旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案,推动 GaN 技术普及进程。 安森美(onsemi)与英诺赛科(Innosci
  • Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计,赋能AI数据中心电源
    Allegro 创新栅极驱动器助力工程师实现钛金级效率和极佳功率密度,满足严苛的 AI 和边缘计算应用需求 全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”,纳斯达克股票代码:ALGM),与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience,港交所:-2577.HK) 宣布达成战略合作,推出了一款开创
    Allegro与英诺赛科联合推出全GaN参考设计,赋能AI数据中心电源
  • 英伟达公布合作名单,14家SiC/GaN厂商入选
    英伟达发布800V直流电生态系统文章,宣布与中国本土功率半导体企业英诺赛科合作,探讨如何通过800V直流电架构和多尺度储能解决AI数据中心的高功耗和波动性挑战。
    英伟达公布合作名单,14家SiC/GaN厂商入选
  • 募资14.34亿元!英诺赛科拟扩大GaN产能
    10月10日,英诺赛科发布公告称,他们将按每股75.58港元的价格配售2070万股新H股,预计募集资金约15.64506亿港元(约合人民币14.34亿),净发行价约为每股74.90港元。与此同时,英诺赛科还披露了关于此次配售所得款项的用途:
    募资14.34亿元!英诺赛科拟扩大GaN产能
  • 大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
    致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下诠鼎推出两款基于英诺赛科(Innoscience)InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶体管和INS2002FQ氮化镓半桥驱动IC的48V四相2kW降压电源方案。 图示1-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源的展示板图 随着人工智能与高性能计算的爆发式增长,CPU/GPU的功率持续升高。为显著降
    大联大诠鼎集团推出两款基于英诺赛科产品的48V四相2kW降压电源方案
  • 英诺赛科:GaN营收超5亿,车规芯片交付增长128%
    8月28日,英诺赛科发布了2025年上半年业绩公告。据透露,英诺赛科报告期内实现销售收入5.534亿元人民币,同比增长43.4%,毛利率为6.8%,同比增长28.4%,实现毛利转正。 此外,英诺赛科在报告期内新增客户导入693项,新增55家直销客户、1家经销商。值得关注的是,英诺赛科的财报还透露了诸多亮点,表明其在海外市场、业务开拓、产能建设等方面实现了快速突破: 氮化镓器件及模组收入大幅增长 海
    英诺赛科:GaN营收超5亿,车规芯片交付增长128%
  • 最具潜力的4家半导体公司
    中芯国际、长江存储、MetaX&摩尔线程、英诺赛科四家中国半导体公司,在制造、存储、GPU/AI、功率器件等领域各有突破,展现中国半导体产业崛起之势。
    最具潜力的4家半导体公司
  • 英伟达带谁飞
    这两天,一则英诺赛科进入英伟达800V直流电源架构推荐供应商的消息,带飞了英诺赛科的股价,两天暴涨70%,似乎是又一起傍上英伟达就原地飞升的案例。 这几年,GPU市场极速扩张,在给英伟达带来4万亿市值的同时,把围绕GPU服务器的整个产业链都带飞了,晶圆代工、电源芯片、HBM、互连芯片、光模块至整机等都若干个厂商业绩连续数年暴涨,在行业里,早就有人笑称,当前的半导体行业,要分为AI半导体与非AI半导
  • 连年亏损却股价暴涨,英诺赛科能否上看千亿市值?
    前言:从历年亏损到转亏为盈,英诺赛科如何讲出另一个增长的故事? 7月31日,英伟达官网更新800V直流电源架构合作商名录,英诺赛科(2577.HK)成为名单中唯一的中国芯片企业。 受此消息影响,8月1日,英诺赛科股价一度狂飙超60%,刷新历史记录,截至收盘股价仍涨超30%,全天成交高达42.4亿港元,位列全港第六名,并创下公司上市以来单日最大成交量的记录。 8月1日英诺赛科股价截图 自2024年1
    5161
    2025/08/07
    连年亏损却股价暴涨,英诺赛科能否上看千亿市值?
  • 英诺赛科携手英伟达,共推AI数据中心800 VDC架构
    前言 随着AI工作负载的指数级增长,数据中心的电力需求也在不断攀升。传统的54V架构已难以满足现代AI数据中心中即将出现的兆瓦级机架的需求。英伟达与众多第三代半导体供应商、电源系统组件商和数据中心电力系统供应商合作,共同推动800 VDC架构的建设。 这一架构在可扩展性、效率、铜材减少、可靠性等方面都有显著优势,可支持从100KW到超过1MW的机架,并实现端到端效率提升,降低总拥有成本。英伟达计划
    英诺赛科携手英伟达,共推AI数据中心800 VDC架构
  • 英诺赛科股价大涨背后,GaN专利大战仍在继续
    随着氮化镓(GaN)市场的增长,该领域的竞争也在加剧,专利战正成为一项重要的竞争手段。 氮化镓市场快速增长,英诺赛科与英伟达达成合作 根据市场研究机构Yole Group 的报告《功率氮化镓(2024 年版)》预计,得益于氮化镓在汽车和服务器等高端应用场景中的应用,预计到 2029 年功率GaN市场规模将超过22亿美元,2023年至2029年的复合年增长率(CAGR)预计达43%。 8月1日,国产
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    2025/08/07
    英诺赛科股价大涨背后,GaN专利大战仍在继续
  • 专利围剿下的逆袭:中国 GaN 巨头闯入英伟达核心圈
    在英伟达公布的18家核心合作伙伴中,台系厂商台达电、光宝凭借电源模块技术入选电力组件供应商,与伊顿、施耐德等共同构建800V基础设施。芯片领域则由英飞凌、德州仪器等国际大厂主导,而中国厂商英诺赛科的突围标志着中国在第三代半导体领域已具备话语权。
    专利围剿下的逆袭:中国 GaN 巨头闯入英伟达核心圈
  • 英诺赛科:与联合汽车电子达成GaN合作
    7月30日,英诺赛科在官微透露,他们已与联合汽车电子成立联合实验室,将利用GaN技术在尺寸、重量和效率方面的优势,开发先进的新能源汽车电力电子系统。双方还在联合电子(苏州研发中心)举行了联合实验室揭幕仪式。 联合电子副总经理郭晓潞博士表示:“我们很高兴与英诺赛科合作,英诺赛科自2015年以来一直致力于GaN技术的量产,此次合作将加强双方包括高层管理人员在内的合作。我们已开发出基于GaN的高功率密度
  • 【化合物半导体】GaN功率半导体领头羊—英诺赛科深度分析
    本文涉及企业英诺赛科,意法半导体。英诺赛科成立于2015年,总部位于中国苏州,专注于硅基氮化镓技术的研发与产业化,是全球首家实现8英寸GaN晶圆大规模量产的IDM。公司通过全产业链布局,形成了从材料到系统应用的完整技术闭环。
    【化合物半导体】GaN功率半导体领头羊—英诺赛科深度分析
  • 英诺赛科获巨头力挺,牛大了!
    全球氮化镓龙头英诺赛科发布了一则引人瞩目的公告,公司最大基石投资者、国际半导体巨头意法半导体自愿延长禁售期,将原本2025年6月29日到期的禁售期延长至2026年6月29日 。这一举动不仅是意法半导体对英诺赛科长期价值的高度认可,凸显了产业资本对氮化镓领域前景的坚定信心。
  • 长城为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
    4月9日,英诺赛科宣布,长城电源面向AI数据中心的钛金级电源中,采用了其先进的氮化镓(InnoGaN)技术。这一创新之举,使得电源的转换效率突破96%大关,轻松超越全球最高80PLUS钛金级能效标准,为行业树立了新的技术标杆。
    长城为何联手英诺赛科?解密背后的GaN技术创新
  • 英诺赛科/英飞凌GaN创新:1200V;集成二极管
    4月14日,英诺赛科(02577)发布公告,宣布自主开发的1200V氮化镓(GaN)产品已实现量产。据介绍,该产品凭借其宽禁带特性,在高压高频场景中展现出显著优势,具备零反向恢复电荷的核心优势,有助于进一步推动能源转换系统的效率提升和小型化,可广泛应用于新能源车、工业及AI数据中心等领域。

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