键合工艺_键合工艺是什么意思

在人工智能（AI）驱动下，先进半导体需求快速增长的背景下，韩美半导体于2月27日宣布，已研发出全球首款“BOC COB键合机”，该设备旨在提升AI半导体的生产效率。

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02/28 09:52

COB 键合工艺

混合键合技术从实验室走向大规模量产，预计未来十年市场规模将持续增长。本文介绍了三种主流键合技术：W2W、D2W和SAB，并详细分析了它们的应用场景和技术特点。特别强调了低温/常温SAB技术在国内市场的重要性，尤其是对于异质集成和提高芯片良率的意义。国内厂商通过定制化设备和材料，有望在新兴技术赛道上取得领先地位。

半导体产业研究

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01/05 10:12

键合工艺

电阻率0.39mΩ•cm！SiC键合技术获新突破

SiC键合衬底领域取得新进展，青禾晶元成功研发大尺寸4H/3C-SiC单晶复合衬底，电阻率降至0.39 mΩ•cm；住友金属子公司Sicoxs的键合碳化硅衬底已应用于MOSFET器件开发，预计2025年末投产8英寸产线。多家厂商在SiC键合衬底方面取得技术突破，推进8英寸产品量产，有望推动行业发展。

行家说三代半

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2025/12/25

SiC 键合工艺

什么是激光解键合？

激光解键合利用特定波长激光从背面照射，使释放层发生光化学或光热反应，导致聚合物链断裂、局部碳化和粘接力下降，最终实现功能晶圆与载板分离。该方法具有无应力、室温操作的优点，并适用于Fan-out WLP/FOWLP、2.5D/3DIC、TSV工艺wafer thinning、Memory stacking(HBM)和Display/MicroLED背面处理等场景。

TOM聊芯片智造

1.1万

2025/12/09

键合工艺