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2nm工艺

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  • 刚刚，英特尔公布1.8nm重大进展
    英特尔在2026年VLSI研讨会上公布其2nm级制程路线图，重点介绍Intel 18A-P系列的性能增强版。该系列在相同功耗下性能提升9%，或在相同性能下功耗降低18%，具备更好的热特性和设计灵活性。Intel 18A-P采用了新的晶体管结构和技术，如低功耗与高性能晶体管选项、Power Boost能效增强技术和改进的热管理措施。此外，英特尔还展示了GAA晶体管和背面供电技术的应用前景，以及面向未来的CFET、氮化镓+硅集成和减成法钌互连技术的研究进展。这些创新有助于提升芯片性能和能效，推动2nm制程竞赛升温。
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    06/18 11:30
    芯片制造 2nm工艺
    刚刚，英特尔公布1.8nm重大进展
  • 三星CTO：HBM5搭配2nm代工工艺
    三星电子宣布推出基于2纳米工艺的下一代高带宽内存HBM5，旨在通过先进散热管理和整体解决方案巩固其在AI内存市场的领先地位。公司展示了HBM5样机，并发布HPB技术，预计在年内交付样品。此外，三星还展示了支持NVIDIA芯片系统的内存产品组合，强调与全球公司的合作以增强竞争力。
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    06/05 18:07
    三星电子 存储
  • 从FinFET到GAA，台积电2nm改写规则：摩尔定律没死，只是越来越贵。
    台积电成功量产2nm GAA工艺，相比3nm在性能、功耗和密度上有显著提升，良率达到65%-75%，而三星和英特尔仍处于追赶阶段。苹果提前锁定大部分产能，预计2026年底率先使用2nm芯片，安卓和云厂商则要等到2027年后才能跟进。2nm晶圆单价高达3万美元，标志着摩尔定律进入高端市场，低端市场将继续沿用旧工艺。
    4180
    04/15 23:14
    台积电 2nm工艺
  • 抢跑台积电！三星首发 2nm 制程芯片，AI 性能暴涨 113%
    三星发布全新Exynos 2600，采用自家2nm GAA制程，全性能核心设计，性能提升显著；GPU和NPU性能大幅增强，但仍面临散热和功耗挑战。外挂基带是为了应对2nm制程的良率问题，但牺牲了集成度。Exynos 2600有望助力三星重回高端市场，但实际表现还需等待Galaxy S26系列发布后评估。
    1089
    2025/12/24
    2nm工艺 GaA
    抢跑台积电！三星首发 2nm 制程芯片，AI 性能暴涨 113%
  • 1.4nm，提前实现良率！
    据消息人士透露，台积电的A14节点已提前实现了良率，重要的是，A14相比N2节点的预期性能提升。 据官方公布的细节，A14工艺相比即将量产的2nm（N2）会有非常显著的提升。在相同功耗下，A14 的速度可以提升大约15%。如果保持速度不变，功耗能下降30%左右。芯片逻辑密度也能提高20%， 这意味着在同样大小的芯片上，能塞进更多晶体管，性能和能效同时得到优化。 实现这些提升的关键在于，台积电采用了
    1247
    2025/09/28
    台积电 晶体管
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