CMOS工艺

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CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上,制作CMOS集成电路。

CMOS工艺是在PMOS和NMOS工艺基础上发展起来的。CMOS中的C表示“互补”,即将NMOS器件和PMOS器件同时制作在同一硅衬底上,制作CMOS集成电路。收起

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  • 为什么CMOS工艺都采用P型衬底(晶圆)呢?
    在集成电路制造领域,CMOS(互补金属氧化物半导体)工艺占据着绝对主导地位,而几乎所有主流 CMOS 芯片都采用 P 型硅晶圆作为衬底。这种选择并非偶然,而是源于半导体物理特性、制造工艺优化、电气性能平衡以及产业生态演进的综合结果。
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  • CMOS工艺-STI(浅沟槽隔离)
    学员问:能介绍STI工艺吗?相比于LOCOS,STI工艺有哪些有点?什么是STI工艺?STI(Shallow Trench Isolation)浅沟槽隔离,先在硅片上刻蚀浅沟槽,然后填充氧化硅,形成电气隔离层。主要作用是将CMOS的nMOSFET和pMOSFET隔离开,防止相互干扰。什么是LOCOS工艺?
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  • 聊聊高压CMOS工艺
    高压CMOS (HVCMOS) 是一种专门为处理高电压应用而设计的CMOS技术。HVCMOS技术因其能够处理高压且同时具备低压CMOS电路的所有优势,使其在现代电子设备的各个领域中成为不可或缺的技术。无论是电源管理、汽车电子还是其他需要高压处理的场景,HVCMOS都提供了一种高效、可靠的解决方案。
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  • 不可忽视的闪烁噪声
    当器件内部,载流子在不连续的材料上移动时,会随机的遭遇到捕获和释放,进而产生闪烁噪声。比如,MOS管中栅极的氧化层与硅介质层之间,就存在不连续性。
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  • 烁科中科信:离子注入机国产替代步伐提速
    2020年6月15日,烁科中科信宣布,12英寸中束流离子注入机顺利搬入集成电路大产线,此举标志着国产离子注入机市场化进程迈向新台阶