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氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。

氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大学和名城大学教授赤崎勇、名古屋大学教授天野浩和美国加州大学圣塔芭芭拉分校教授中村修二因发明蓝光LED而获得当年的诺贝尔物理奖。收起

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    2025年，碳化硅与氮化镓行业取得亮眼成果，经历产业格局调整后，2026年迎来新机遇与挑战。能华半导体市场总监刘宝生分享了公司在技术、产能与市场拓展方面的进展，并预测未来五年第三代半导体行业将以“普及”为核心关键词，推动技术与应用场景不断扩展。
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    罗姆与台积电深化GaN功率器件合作，计划在2027年前建立自有生产线，以应对AI服务器和电动汽车市场的高需求。
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  • 键合率达95%！三菱电机推进GaN-on-Diamond新技术
    日本三菱电机、熊本大学及AIST联合研发成功制备出30mm x 30mm大面积GaN-on-diamond HEMT器件，采用马赛克金刚石衬底和表面活化键合技术，解决了大面积制造难题，大幅提升散热效率，适用于高功率射频、5G/6G基站、卫星通信等领域。
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    GaN 氮化镓
  • 设计难成本高？PI GaN系列INN3-EP让工业辅助电源设计少走弯路
    GaN技术在消费电子PD快充领域的广泛应用逐渐扩展至工业、汽车、通信和数据中心等领域，因其高频、高效和高功率密度的特点，成为推动能源转型、工业升级和通信革命的关键因素。InnoSwitch3-EP是一款专为工业场景设计的GaN电源IC，具有显著优势，包括能效提升、体积缩小、可靠性增强、成本优化和设计简化。相较于传统的Si MOS设计，INN3-EP在效率上提高了约3%，并减少了散热片的需求，节省了PCB空间。它具备高度集成、外形紧凑、EcoSmart高效节能、先进的保护/安全特性和完全符合各项安规要求等特点。通过合理选择元件和遵循PCB Layout注意事项，INN3-EP能够有效应用于各种工业辅助电源设计中，为智能制造注入新动力。
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  • GaN赛道持续升温，3家企业斩获融资
    氮化镓（GaN）领域迎来密集融资动态，合肥美镓传感、湖州镓奥科技、安徽先导极星三家企业分别在传感、功率、射频三大细分方向获得融资。国家级及地方国资、产业资本纷纷入局，显示出第三代半导体产业的强劲发展活力与投资价值。这些企业在各自领域取得显著进展，并计划加速产业化落地，推动国产替代进程。
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  • 英飞凌：GaN规模将增长400%
    英飞凌发布《英飞凌GaN洞察2026》白皮书，预测2026年GaN市场规模将增长50%，并在AI数据中心、车载系统和机器人等领域有广泛应用。双向开关GaN器件成为关键技术，预计在2026年实现首次市场应用。
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  • 单个数据中心的GaN潜在需求超12亿元？
    2026年春节前后，瑞萨与EPC达成GaN战略合作，罗姆获得台积电GaN专利授权，标志着全球头部功率半导体企业加速布局GaN赛道。AI数据中心成为推动GaN技术发展的重要驱动力，预计单个AI数据中心的GaN潜在价值含量可达数百万美元。低压GaN器件将成为数据中心的关键组件，有望打破硅MOSFET的市场壁垒。各大功率半导体企业正通过不同产品策略抢占这一新兴市场，未来GaN产业将迎来爆发式增长。
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    GaN
  • 英飞凌：GaN布局与金刚石衬底探索
    英飞凌推动氮化镓(GaN)功率器件在AI数据中心、机器人和可再生能源的应用，通过提升300mm GaN功率晶圆技术的成本效益，并探索新型材料如金刚石、蓝宝石和工程衬底。GaN在AI数据中心电源架构升级中显示出显著优势，尤其是在800V→48V中间母线(IBC)架构中，采用堆叠拓扑的650V GaN展现出卓越的功率密度和系统效率。然而，随着GaN器件在AI数据中心的大规模部署，热管理问题变得尤为突出，特别是对于高负载运行和单机功率持续提升的需求。因此，研究如何利用金刚石等新材料提高热导率，降低器件结温和改善系统稳定性显得尤为重要。
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  • 高密度功率引擎|650V增强型GaN功率晶体管
    GaN功率器件因其高频、高效、低损耗的特点，在电源设计中展现出巨大潜力。SKGM17N65-N88作为一款面向650V平台的应用，具有增强型常关特性，适合 Totem Pole PFC、AC-DC高频转换、DC-DC高密度电源等场景。其低反向恢复电荷和栅电荷使得高频开关更加容易实现，同时具备工业级认证和ESD防护，适用于大规模生产和严苛环境。
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