GaN

• VisIC公司CEO：特斯拉/现代GaN汽车即将发布

  VisIC宣布现代汽车计划在2029年量产GaN车型，特斯拉演示车将在2026年进行路测。VisIC已完成B轮融资，获得现代汽车的战略投资，致力于在电动汽车与AI数据中心领域持续发力。公司已通过现代汽车的长期验证，计划进一步拓展中国市场，特别是电动汽车逆变器领域。未来，VisIC还将瞄准数据中心电源市场，利用其独特技术优势，提供高效、低成本的氮化镓解决方案。

  行家说三代半

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  01/20 10:30

  GaN 氮化镓

  
• 富特募资5.28亿，将建GaN OBC等项目

  富特科技计划募资5.28亿用于GaN器件新能源车载电源集成产品研发，目标是提高功率密度至6kW/L，OBC平均效率达96.5%，并降低无源器件尺寸，助力国内能源车载电源系统行业发展。

  行家说三代半

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  01/19 10:29

  GaN OBC
• GaN融资密集落地，3家企业业务提速

  氮化镓赛道热度攀升，新微半导体母公司完成25.7亿元战略融资，助力业务增长；能讯半导体完成D轮融资，实现多项技术与产能突破；康讯半导体获得数千万级天使轮融资，加速氮化镓芯片商业化进程。

  行家说三代半

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  01/15 10:43

  GaN 氮化镓
• Bourns 推出全新热跳线芯片系列 以紧凑尺寸实现高效散热表现

  Bourns® BTJ 系列热跳线芯片具备高热导率与绝缘特性，有助于保护系统组件并延长其使用寿命 Bourns 全球知名电源、保护和传感解决方案电子组件领导制造供货商，推出全新 BTJ 系列热跳线芯片，专为在紧凑外型中提供高效散热而设计。这些独特的组件兼具高热导率与绝缘特性，有助于保护系统组件并延长其使用寿命。由于热跳线芯片能快速导散热量且 不导电，因此不会对系统运作造成任何影响。 Bourns®

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  01/13 15:48

  GaN Bourns

  
• 英特尔发布12吋GaN芯片，衬底厚度仅19µm

  英特尔展示基于12英寸硅晶圆的GaN Chiplet技术，采用业界最薄氮化镓芯片，实现高电流密度和优异射频性能，具备低导通电阻和低漏电流特性。该技术采用单片集成GaN N-MOSHEMT和Si PMOS工艺，并具备CMOS数字电路库。在TDDB、PBTI、HTRB、HCI等性能测试中表现良好，满足可靠性要求。预计12英寸GaN芯片成本将低于8英寸，低压GaN器件有望率先采用12英寸生产线。

  行家说三代半

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  01/09 10:13

  GaN 硅晶圆

  
• 英诺赛科：GaN芯片累计出货20亿颗

  英诺赛科氮化镓功率芯片出货量达到20亿颗，同比增长显著，尤其在数据中心、汽车电子和消费电子领域取得进展，与多家知名企业达成合作，推动氮化镓技术广泛应用。

  行家说三代半

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  01/08 10:41

  GaN 氮化镓

  
• VisIC完成超亿元B轮融资，现代汽车等最新参投

  VisIC Technologies宣布完成由全球半导体领导者领投的2,600万美元B轮融资，Hyundai Motor Company和Kia（统称“HKMC”）作为战略投资者参投 电动汽车氮化镓（GaN）功率半导体先锋VisIC Technologies Ltd.今日宣布其B轮融资第二次交割顺利完成，共募集2,600万美元。 本轮由一家全球半导体领导者领投，HKMC作为战略投资者加入。 这一里

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  01/07 09:45

  电动汽车 SiC

  
• 与传动头部企业合作，这一GaN厂商切入机器人赛道

  2025年12月30日，宏微科技披露公告称，他们已与一家国内传动领域的控制设备与系统集成头部公司签署了《战略合作协议》，未来将聚焦电控系统、液压控制系统、伺服系统、机器人核心零部件（执行器、电动缸、控制器）中所用到的功率半导体器件，并重点围绕氮化镓功率半导体器件开展联合共研。

  行家说三代半

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  01/06 15:15

  GaN 电控系统
• 从电网到GPU：安森美以SiC与垂直GaN突破AI数据中心能效极限

  AI 的迅猛发展推动了数据中心的广泛部署，但其巨大的能源需求引发环保担忧。数据中心的用电量预计在未来几年将持续增长，成为电力消耗的重要组成部分。为应对这一挑战，业界正探索通过提高能效和采用新型半导体材料来降低数据中心的总体拥有成本(TCO)。安森美作为领先的解决方案提供商，正在利用碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽禁带材料，开发高效能的电源转换器，以满足AI处理器和GPU的高用电需求，从而促进数据中心向更加绿色、可持续的方向发展。

  安森美半导体

  1361

  2025/12/24

  SiC 数据中心
• 又一半导体巨头押注GaN

  安森美在氮化镓领域频繁合作，与格罗方德和英诺赛科分别在中低压和中高压氮化镓功率器件上展开合作，旨在扩大生产规模和产品组合，应对快速增长的市场需求。安森美此举不仅为其自身带来发展机遇，还将推动全球氮化镓产业格局的变化，促进市场竞争和技术进步。

  行家说三代半

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  2025/12/24

  GaN 氮化镓

  
• 【化合物半导体】国产氮化镓厂商英诺赛科为何能够赢得国际半导体巨头青睐？

  英诺赛科通过与意法半导体、安森美的战略合作，巩固在全球氮化镓功率半导体市场的领先地位。英诺赛科凭借8英寸硅基氮化镓晶圆量产能力和高良品率，大幅降低了成本并提升了竞争力。随着全球GaN功率芯片市场需求爆发，特别是消费电子、数据中心与电信、新能源汽车等领域的发展，英诺赛科有望继续引领市场趋势。

  半导体产业研究

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  2025/12/23

  GaN 英诺赛科

  
• GaN引领机器人革新，6大企业齐推技术落地

  氮化镓技术正在推动机器人领域的产业升级，多家企业如步科股份、求远电子、固高伺创、科沃斯、世强硬创、新工绿氢等纷纷加大研发投入并推出相关产品。这些企业在机器人关节驱动、伺服电机、关节电机驱动等方面利用氮化镓技术提升了性能和效率，例如步科股份的氮化镓驱动技术优化了机器人关节驱动系统，求远电子的JMD101方案提高了关节电机驱动性能，而固高伺创的GSFDGaN驱动器则解决了伺服驱动系统中的应用难题。

  行家说三代半

  2136

  2025/12/20

  GaN 氮化镓

  
• 安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件

  安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布，已与格罗方德（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以

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  2025/12/19

  GaN 安森美

  
• 直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心

  随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来，碳化硅和氮化镓头部企业正重兵集结，强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场，已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。

  行家说三代半

  999

  2025/12/17

  SiC 数据中心

  
• 现代汽车投资GaN，金额超1.8亿

  全球电动汽车行业关注车规级GaN技术，多家车企加大投资。现代汽车与起亚通过HKMC参与VisIC Technologies的B轮融资，融资金额达2600万美元，主要用于第三代和第四代GaN技术的研发、供应链稳定及新应用拓展。现代汽车表示此举有助于提高电动汽车的效率和性能。此外，现代汽车还与英国GaN公司CGD达成合作，CGD的单芯片ICeGaN解决方案获得现代汽车的认可，有望应用于电动车牵引逆变器。

  行家说三代半

  835

  2025/12/16

  GaN GaN技术
• 小米宣布开发GaN，有望导入手机内部

  小米手机射频团队成功入选IEDM 2025，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器。该技术在10V工作电压下实现了功率附加效率突破80%，并解决了传统GaN器件高压问题，为下一代移动通信终端提供了关键技术支持。

  行家说三代半

  40.1万

  2025/12/16

  GaN 射频功率放大器
• 恩智浦：关闭射频GaN晶圆厂

  继台积电后，又一家半导体巨头宣布要退出氮化镓市场。

  行家说三代半

  931

  2025/12/13

  GaN 射频
• 意法半导体新电机控制GaN芯片平台提升家电能效等级

  服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) （纽约证券交易所代码:STM) 新推出一款智能功率芯片，帮助家电和工业制造设备厂商利用最新的GaN (氮化镓)技术来提高电机驱动器的能效、性能和成本效益。 市面上现有的GaN电源适配器和充电器能够为笔记本电脑提供功率充足的电能，还能解决USB-C快充对功率的需求，而且能效很高，能够满足即将

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  2025/12/09

  意法半导体 GaN

  
• AMEYA360代理：上海永铭第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案

  引言： 氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势，在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时，供电系统中的电容正面临前所未有的挑战：高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统

  AMEYA360

  1251

  2025/12/05

  SiC 电容
• 安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

  安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。 安森美（onsemi）与英诺赛科（Innosci

  与非网编辑

  663

  2025/12/04

  GaN 安森美

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