GaN

• GaN引领机器人革新，6大企业齐推技术落地

  氮化镓技术正在推动机器人领域的产业升级，多家企业如步科股份、求远电子、固高伺创、科沃斯、世强硬创、新工绿氢等纷纷加大研发投入并推出相关产品。这些企业在机器人关节驱动、伺服电机、关节电机驱动等方面利用氮化镓技术提升了性能和效率，例如步科股份的氮化镓驱动技术优化了机器人关节驱动系统，求远电子的JMD101方案提高了关节电机驱动性能，而固高伺创的GSFDGaN驱动器则解决了伺服驱动系统中的应用难题。

  行家说三代半

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  12/20 10:55

  GaN 氮化镓

  
• 安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件

  安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布，已与格罗方德（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以

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  12/19 11:47

  GaN 安森美

  
• 直面5大挑战 罗姆SiC/GaN赋能数据中心

  随着 800V HVDC架构浪潮奔涌而来，碳化硅和氮化镓头部企业正重兵集结，强势切入数据中心电源赛道。这片潜力十足的市场，已然跃升为第三代半导体行业新一轮的竞逐高地。

  行家说三代半

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  12/17 16:48

  SiC 数据中心

  
• 现代汽车投资GaN，金额超1.8亿

  全球电动汽车行业关注车规级GaN技术，多家车企加大投资。现代汽车与起亚通过HKMC参与VisIC Technologies的B轮融资，融资金额达2600万美元，主要用于第三代和第四代GaN技术的研发、供应链稳定及新应用拓展。现代汽车表示此举有助于提高电动汽车的效率和性能。此外，现代汽车还与英国GaN公司CGD达成合作，CGD的单芯片ICeGaN解决方案获得现代汽车的认可，有望应用于电动车牵引逆变器。

  行家说三代半

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  12/16 17:03

  GaN GaN技术
• 小米宣布开发GaN，有望导入手机内部

  小米手机射频团队成功入选IEDM 2025，率先报道了应用于移动终端的高效率低压硅基氮化镓射频功率放大器。该技术在10V工作电压下实现了功率附加效率突破80%，并解决了传统GaN器件高压问题，为下一代移动通信终端提供了关键技术支持。

  行家说三代半

  45.7万

  12/16 09:29

  GaN 射频功率放大器
• 恩智浦：关闭射频GaN晶圆厂

  继台积电后，又一家半导体巨头宣布要退出氮化镓市场。

  行家说三代半

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  12/13 09:14

  GaN 射频
• 意法半导体新电机控制GaN芯片平台提升家电能效等级

  服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) （纽约证券交易所代码:STM) 新推出一款智能功率芯片，帮助家电和工业制造设备厂商利用最新的GaN (氮化镓)技术来提高电机驱动器的能效、性能和成本效益。 市面上现有的GaN电源适配器和充电器能够为笔记本电脑提供功率充足的电能，还能解决USB-C快充对功率的需求，而且能效很高，能够满足即将

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  12/09 11:32

  意法半导体 GaN

  
• AMEYA360代理：上海永铭第三代半导体落地关键，如何为GaN/SiC系统匹配高性能电容解决方案

  引言： 氮化镓(GaN)与碳化硅(SiC)技术正推动功率电子革命，但真正的场景落地，离不开与之匹配的被动元件协同进化。 当第三代半导体器件以其高频、高效、耐高温高压的优势，在新能源汽车电驱系统、光伏储能逆变器、工业伺服电源、AI服务器电源及数据中心供电等场景中加速普及时，供电系统中的电容正面临前所未有的挑战：高频开关噪声加剧、高温容值衰减、纹波电流过大、功率密度不足——这些已成为GaN/SiC系统

  AMEYA360

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  12/05 12:38

  SiC 电容
• 安森美与英诺赛科达成战略合作协议，共同加速推进全球氮化镓产业生态建设

  安森美（onsemi）宣布已与英诺赛科（Innoscience）签署谅解备忘录，双方将探索利用英诺赛科成熟的200毫米氮化镓（GaN）硅基工艺，以扩大 GaN 功率器件的生产规模。该合作将整合安森美在系统集成、驱动器和封装方面的专业能力，以及英诺赛科成熟先进的 GaN 制造能力，旨在加速推出高性价比、节能高效的解决方案，推动 GaN 技术普及进程。 安森美（onsemi）与英诺赛科（Innosci

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  12/04 10:47

  GaN 安森美
• 英飞凌XDP混合反激式控制器与CoolGaN技术赋能安克业界领先的160W Prime 充电器

  全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY）宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达 160W 功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺寸。这一合作成果正在重新定义高功率密度和高效率的行业标准，尤其体现在安克推出的 160W Prime 充电器上。这款业界领先的设备采用英飞凌最

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  12/03 07:04

  英飞凌 GaN

  
• 突破45亿美元！SiC/GaN正驶向新周期

  行家说三代半年会将于12月3-4日在深圳召开，聚焦SiC与GaN市场发展趋势，涵盖全球市场规模、衬底出货量、GaN市场复盘及车规级市场前景等内容，邀请多家知名企业进行深度分享，助力行业人士把握未来机遇。

  行家说三代半

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  12/01 09:30

  SiC GaN

  
• Teardown of a Tesla-specific Expansion Dock

  NOTE：Click here for the Chinese version. Tesla Model 3/Y originally comes with a limited number of USB-C ports, making it difficult to meet the charging and data transfer needs of multiple devices sim

  曹顺程

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  11/28 15:25

  拆解 MOSFET

  
• 安森美垂直氮化镓（vGaN） 技术10大高频问答

  安森美凭借垂直氮化镓(vGaN)技术引领电力电子领域的变革，提供高能效系统，革新性能与可靠性标准。垂直GaN因其独特的垂直电流路径，实现了更高的电流密度和工作电压，优于横向GaN、硅和碳化硅器件。安森美率先实现规模化量产，拥有众多专利和专业制造设施，确保卓越性能和可靠性。垂直GaN技术对于电动汽车、可再生能源和人工智能数据中心的发展至关重要，有助于提升系统能效、缩小体积和降低成本。

  安森美半导体

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  11/19 10:50

  GaN 氮化镓

  
• 三家企业推进 GaN/SiC 技术新进展

  英飞凌推出首款100V车规级GaN晶体管，GE Aerospace发布第四代碳化硅MOSFET器件，SemiQ推出新型SOT-227封装高性能碳化硅模块，三大企业在氮化镓和碳化硅领域取得新进展，推动功率半导体技术发展。

  化合物半导体市场

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  11/19 10:30

  英飞凌 碳化硅

  
• 新增5起GaN合作，涉及长安汽车/台积电等

  随着车规、消费电子等领域对GaN需求增加，产业链各方积极合作，推动GaN技术在多个领域的应用。平创半导体与长安汽车合作攻克车规级GaN功率芯片技术；红与蓝微电子与联颖光电加强GaN器件技术交流；格罗方德与台积电达成GaN技术授权；罗姆半导体与微星合作推广GaN适配器；英飞凌与海信携手推出GaN电视适配器。这些合作展示了GaN技术在不同应用场景中的潜力。

  行家说三代半

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  11/13 11:37

  GaN GaN技术

  
• GAN技术在电机控制中的优势

  来源：意法半导体 满足日益增长的高能效和高功率性能的需求，同时不断降低成本和尺寸是当今功率电子行业面临的主要挑战。 较新的宽禁带化合物半导体材料氮化镓 (GaN) 的引入代表功率电子行业在朝着这个方向发展，并且，随着这项技术的商用程度不断提高，其应用市场正在迅猛增长。 高电子迁移率晶体管(HEMT)氮化镓(GaN)的品质因数 (FOM)、导通电阻 RDS(on) 和总栅极电荷(QG)三个参数均优于

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  11/13 07:15

  GaN 电机驱动

  
• 合计近10亿！2家GaN企业推进融资

  纳微半导体计划融资1亿美元，加速进入高功率市场；Vertical Semiconductor获1100万美元融资，推动垂直氮化镓技术研发量产。

  行家说三代半

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  11/12 14:04

  GaN 纳微半导体
• 12英寸！新增3个GaN项目

  imec、格罗方德、爱思强等启动12英寸GaN项目，采用硅衬底及QST衬底；山东汶上县签约GaN半导体智能制造项目；Wayvis融资15.6亿用于投资建设射频GaN新工厂，预计2027年投产。

  行家说三代半

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  11/10 10:07

  GaN

  
• 机器人"关节革命"：GaN芯片成国产替代战场

  近日，中科无线半导体基于氮化镓(GaN)HEMT工艺的机器人关节ASIC驱动器芯片已正式推出并商用。 这一成果进一步填补了国产机器人GaN驱动芯片的空白，为国产机器人关节模组的自主化提供了技术累计。 机器人保有量突破428万台，GaN成为下一阶段的增长点 近年来，全球机器人产业迎来爆发式增长。 国际机器人联合会(IFR)发布的《2024年全球机器人报告》显示，截至2023年底，全球工厂运行的机器人

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  11/05 13:20

  芯片 GaN
• 英飞凌推出首款100V车规级晶体管，推动汽车领域氮化镓（GaN）技术创新

  英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）宣布推出其首款符合汽车电子委员会（AEC）汽车应用标准的氮化镓（GaN）晶体管系列，继续朝着成为GaN技术领导企业的目标迈进，并进一步巩固了其全球汽车半导体领导者的地位。 英飞凌CoolGaN™ 100V G1车规级晶体管 英飞凌正式推出CoolGaN™ 100V G1系列车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101汽车应用标

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  11/05 10:11

  英飞凌 GaN

  

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