DDR SDRAM技术发展历程概述
DDR SDRAM技术自2000年起历经多代迭代,从DDR到DDR5,每一代都围绕“更高速度、更低功耗、更大容量”的目标进行技术创新。具体表现为:- DDR:2000年,首次提出“双倍数据速率”,工作电压2.5V;- DDR2:2003年,引入4bit预取,工作电压降为1.8V; DDR3:2007年,预取增至8bit,采用点对点“Fly-by”总线架构,工作电压1.5V;DDR4:2014年,引入Bank Group架构,工作电压1.2V;DDR5:2020年,采用32bit预取,工作电压1.1V。