东进世美肯正在开发2nm半导体工艺核心材料 High NA光刻胶

CINNO Research产业资讯，东进世美肯（Dongjin Semichem）投身于“High NA极紫外线(EUV)”用光刻胶(Photoresist，PR)的开发中。High NA EUV是被称为新一代半导体曝光设备的设备，被誉为2纳米以下超细微工艺必备的设备。继国内首次量产全部依赖于进口的半导体EUV PR后，将挑战新一代PR材料的国产化。

根据韩媒ETNews报道，东进世美肯最近制定了High NA EUV PR开发路线图。将从今年下半年启动研发，目标是最快在2025年上半年完成技术开发。公司计划在荷兰半导体设备公司ASML的High NA EUV设备大规模生产之前完成PR开发。

PR是在晶圆上绘制半导体电路的曝光工艺用核心材料。在晶圆上涂布后，经过曝光作业，性质就会发生变化，将成为电路图案的底色。EUV用PR尤其是在绘制高分辨率图案时，是必需的材料。到目前为止，虽然全部依赖于从日本等海外进口，但东进世美肯去年曾首次成功实现EUV PR的国产化。采用纯韩国自有技术，成功开发出了2019年作为日本出口管制三大品种之一的光刻胶，引起业界广泛关注。目前正在向三星电子供货。

新挑战的新产品是配合“High NA EUV”设备的新一代EUV PR材料。High NA EUV是将展现集光能力的镜头开口数(NA)从原来的0.33提高到0.55的设备，是能够绘制超细电路图案的关键设备。三星电子、SK海力士、TSMC、英特尔等尖端半导体企业都决定从ASML引进该设备。ASML是世界上唯一一家能够提供EUV设备和新一代High NA EUV设备的企业。

ASML预计明年出货首台High NA EUV设备。据悉，2026-2027年将实现大规模量产。东进世美肯在High NA EUV市场正式爆发前完成相关PR产品商业化，为抢占市场打下铺垫。

东进世美肯推进多种High NA EUV的PR开发流程。这是因为High NA设备初期的生产效率会下降，影响半导体良率的因素非常多，因此将考虑到多种“变量”，进行产品开发。除了采用少量产生高灵敏度化学反应的化学放大光刻胶(CAR)型外，还考虑到了基于无机物(MOR)的产品。考虑到无机物PR与无机物相比，实现超细微电路的精度更高。

为尽量减少半导体曝光工艺时间，公司还推进改善PR分辨率、图案粗糙度和灵敏度。这些因素左右着PR的品质、是提高半导体生产性的关键因素。

东进世美肯开始开发High NA EUV用PR，预告将与现有的市场领先者一决高下。EUV PR由信越化学、JSR、TOK等日本企业主导。据悉，他们也在开发High NA用PR。

东进世美肯相关人士表示：“材料开发公司必须比零部件、设备公司至少快6个月，才可能被半导体厂商或设备公司采用自己的材料”，并称，“由于新一代EUV设备尚未普及或材料开发需要验证，将通过客户、合作伙伴等获得产品测试机会，并将启动针对High NA EUV设备优化的PR开发的各种流程。”